The invention provides an adhesive sheet that is not easy to produce residual adhesive after being stripped even after heating. The adhesive sheet of the invention has formed by adhesive containing base polymer, through active energy ray irradiation and the curing of the adhesive layer, the adhesive layer active energy ray curable before rigid (nano indentation elastic modulus and thickness of 25 DEG C of the product) is 0.0013N/m ~ 0.008N/m, the adhesive layer of active energy ray before curing at 25 DEG C, the nano indentation modulus is 0.045MPa ~ 0.175MPa, the thickness of the adhesive layer is 20 m ~ 60 M.
【技术实现步骤摘要】
粘合片
本专利技术涉及粘合片。
技术介绍
对于将形成有电极的半导体芯片(带电极的半导体芯片)进行树脂封装而制造的半导体部件,从能够小型化的观点出发,近年正受到关注。作为制造这种半导体部件的方法,研究了如下的方法(片上树脂封装法):在带电极的半导体芯片的电极侧粘贴粘合片而固定该带电极的半导体芯片,在粘合片上用树脂覆盖半导体芯片,从而进行树脂封装。对于上述方法中使用的粘合片,要求:能够维持带电极的半导体芯片的固定位置的粘合性、能够防止封装树脂在带电极的半导体芯片的电极面沿周围渗入的密合性、不会因封装工序中的加热而变质的耐热性、以及在封装后能够从被加工物容易地且残胶少地被剥离的剥离性。作为满足这样的特性的粘合片,考虑使用具备粘合性根据UV固化而变化(即,能够兼顾粘合性和剥离性)、耐热性优异、加热时不易产生密合性破坏的粘合剂层的粘合片(例如专利文献1)。但是,即使是这样的粘合片,也存在如下的问题:经过了加热处理的粘合片在如带电极的半导体芯片的电极面这样存在凹凸的表面上,无法充分减少剥离时产生的残胶。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2015-120884号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术是为了解决上述以往的问题而作出的,其目的在于,提供即使在加热后从凹凸面的剥离性也优异、剥离后不易产生残胶的粘合片。本专利技术人等进行了深入研究,结果发现,对于从凹凸面剥离粘合片时产生的残胶,其要因是:剥离应力集中在凹凸面角部(例如电极的角部),因此固化后的粘合剂层受到物理破坏,进而发现,这种要因比以往关注的要因(即、粘合剂层中的低分子量成分与被粘面的分子间力等) ...
【技术保护点】
一种粘合片,其具备由包含基础聚合物的粘合剂形成的粘合剂层,所述粘合剂层能够通过活性能量射线的照射而固化,活性能量射线固化前的该粘合剂层的刚性(25℃下的纳米压痕弹性模量与厚度之积)为0.0013N/m~0.008N/m,活性能量射线固化前的该粘合剂层在25℃下的纳米压痕弹性模量为0.045MPa~0.175MPa,该粘合剂层的厚度为20μm~60μm。
【技术特征摘要】
2016.07.19 JP 2016-1415381.一种粘合片,其具备由包含基础聚合物的粘合剂形成的粘合剂层,所述粘合剂层能够通过活性能量射线的照射而固化,活性能量射线固化前的该粘合剂层的刚性(25℃下的纳米压痕弹性模量与厚度之积)为0.0013N/m~0.008N/m,活性能量射线固化前的该粘合剂层在25℃下的纳米压痕弹性模量为0.045MPa~0.175MPa,该粘合剂层的厚度为20μm~60μm。2.根据权利要求1所述的粘合片,其中,活性能量射线固化前的所述粘合剂层的刚性(25℃下的纳米压痕弹性模量与厚度之积)为0.0025N/m~0.005N/m。3.根据权利要求1所述的粘合片,其中,活性能量射线固化前的所述粘合剂层在25℃下的纳米压痕弹性模量为0.1MPa~0.15MPa。4.根据权利要求1所述的粘合片,其中,所述基础聚合物为丙烯酸类聚合物。5.根据权利要求4所述的粘合片,其中,所述丙烯酸类聚合物为如下的单体原料的聚合物,所述单体原料包含下述式(1)所示的(甲基)丙烯酸烷基酯作为主单体,且包含具有与该主单体的共聚性的副单体,CH2=C(R1)COOR2(1)式(1)中的R1为氢原子或甲基,R2为碳数8以上的支链状或直链状的烷基。6.根据权利要求1所述的粘合片,其中,所述基础聚合物具有碳-碳双键,将所述粘合片在150℃下进行1小时加热时的、该碳-碳双键的残留率(加热后的碳-碳双键数/加热前的碳-碳双键数×100)为80%以上。7.根据权利要求1所述的粘合片,其中,...
【专利技术属性】
技术研发人员:福原淳仁,平山高正,有满幸生,
申请(专利权)人:日东电工株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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