一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺制造技术

本发明专利技术涉及硅太阳能电池制造领域，尤其涉及一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，包括以下步骤：步骤1：挑选需补渡的电池片；步骤2：对石墨舟进行预镀膜：清洗石墨舟，将清洗后的石墨舟进行预镀膜；步骤3：电池片补渡准备：抽测电池片的平均厚度，按照12s/nm的补渡速率，计算出补镀所需的时间，并将需补镀电池片插入准备好的石墨舟内；步骤4：对电池片进行补渡：步骤5：将补镀完的电池片进行全捡并正常下传到下一道工序；采用该工艺补镀后的电池片边缘厚度与中间均匀一致，外形美观，颜色正常。

Treatment process of thin film thin film of coating film in PECVD process

The invention relates to a silicon solar cell manufacturing field, especially relates to a process for coating process of PECVD film thickness in partial sheet, which comprises the following steps: Step 1: select the need to fill cell transition; step 2: pre coating on graphite boat cleaning: graphite boat, cleaning Shi Mozhou after pre coating step; 3: cell patch preparation: the average thickness of pumping through the cell sheet, according to the 12s/nm complement of crossing rate, calculated replate the time required, and will need to replate battery insert ready Shi Mozhou; step 4: the battery patch to repair the Du: Step 5: battery patch after the whole plating and normal to pick up the next process; the process of cell edge and middle thickness after plating uniform, beautiful appearance, normal color.

【技术实现步骤摘要】
一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺
本专利技术涉及硅太阳能电池制造领域，尤其涉及一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺。
技术介绍
在太阳能电池生产中有一个工序叫做PECVD工序，PECVD工序的作用是在硅太阳能电池上沉积一层氮化硅薄膜，减少太阳光的反射率，来提高电池的转换效率。对电池进行镀膜时以石墨舟作为载体，由于石墨舟为石墨材质，镀膜时对氮化硅有一定的吸附能力，为了减少在对电池镀膜时由于石墨舟对氮化硅的吸附而影响电池镀膜的均匀性，因此新清洗的石墨舟上线前会预先在石墨舟上沉积一层氮化硅薄膜，减少石墨舟承载电池片镀膜时石墨舟对氮化硅的吸附能力，以此降低电池片镀膜时对电池片上沉积氮化硅薄膜均匀性的影响。在镀膜过程中，由于温度、石墨舟或者设备本身等一些不可控因素，每舟电池片可能会造成一些颜色不良电池片，这些不良片正常情况先需要返工处理，在这些不良片中一些电池片整体膜厚偏薄，片内膜厚均匀性无明显差异，因此可以将膜厚偏薄电池片收集后进行补镀膜并正常下传，降低生产成本。但由于一般造成偏薄片都是由于温度的不均匀造成，偏薄片边缘相对中间膜厚稍有偏厚，因此正常补镀后边缘相对偏厚，边缘颜色偏白。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服当前镀膜工序正常生产时由于设备、以及舟或者炉管温度等一些因素导致的舟内少许发红片边缘相对偏厚，将红片插入舟内补镀后边缘相对偏厚，外观不良的问题，而提供一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，该处理工艺可通过降低对石墨舟饱和时间，减少石墨舟上氮化硅的沉积量，补镀后的电池片边缘厚度与中间均匀一致。本专利技术是这样实现的：一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，包括以下步骤：步骤1：挑选需补渡的电池片：生产员工在镀膜后捡片时将返工片分类，将膜厚低于72nm且薄厚均匀的电池片放置于插片花篮中准备补镀；步骤2：对石墨舟进行预镀膜：清洗石墨舟，将清洗后的石墨舟进行预镀膜：将石墨舟进行射频辉光处理，射频时间为9-11min，射频功率为7000-8000W，占空比为0.98-0.12，压力为1400-1600mtorr，SiH4气体流量控制在0.8-1.2L/min，NH3气体流量控制在7.6-8.0L/min；步骤3：电池片补渡准备：从含100片电池片的花篮中抽取3片电池片进行检测厚度，得出该花篮中电池片的平均厚度，计算出需要补渡的厚度，按照12s/nm的补渡速率，计算出补镀所需的时间，并将需补镀电池片插入准备好的石墨舟内；步骤4：对电池片进行补渡：将计算好的时间写入补镀工艺，将插满补镀电池片的石墨舟送入炉内补镀：控制射频功率为7000-8000W，占空比为0.98-0.12，压力为1400-1600mtorr，SiH4气体流量控制在0.8-1.2L/min，NH3气体流量控制在7.6-8.0L/min；步骤5：将补镀完的电池片进行全检，备用。上述的一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，包括以下步骤：步骤1：挑选需补渡的电池片：生产员工在镀膜后捡片时将返工片分类，将膜厚低于72nm且薄厚均匀的电池片放置于插片花篮中准备补镀；步骤2：对石墨舟进行预镀膜：清洗石墨舟，将清洗后的石墨舟进行预镀膜：将石墨舟进行射频辉光处理，射频时间为10min，射频功率为7500W，占空比为0.1，压力为1500mtorr，SiH4气体流量控制在1L/min，NH3气体流量控制在7.8L/min；步骤3：电池片补渡准备：从含100片电池片的花篮中抽取3片电池片进行检测厚度，得出该花篮中电池片的平均厚度，计算出需要补渡的厚度，按照12s/nm的补渡速率，计算出补镀所需的时间，并将需补镀电池片插入准备好的石墨舟内；步骤4：对电池片进行补渡：将计算好的时间写入补镀工艺，将插满补镀电池片的石墨舟送入炉内补镀：控制射频功率为9800W，占空比为0.1，压力为1500mtorr，SiH4气体流量控制在1L/min，NH3气体流量控制在7.8L/min；步骤5：将补镀完的电池片进行全检，备用。本专利技术具有以下的优点：本专利技术中一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺对于边缘膜厚偏厚的发红片，可通过降低对石墨舟饱和时间，减少石墨舟上氮化硅的沉积量，以此在插偏薄片补镀时，由于前期石墨舟上氮化硅沉积量太少，因此石墨舟舟片对氮化硅有强的吸附力，造成电池边缘与石墨舟接触处吸附氮化硅减少，补镀后可有效避免电池边缘偏厚问题，补镀后的电池片边缘厚度与中间均匀一致，外形美观，颜色正常。具体实施方式下面结合具体的实施例对本专利技术作进一步的描述。实施例1：一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，包括以下步骤：步骤1：挑选需补渡的电池片：生产员工在镀膜后捡片时将返工片分类，将膜厚低于72nm且薄厚均匀的电池片放置于插片花篮中准备补镀；步骤2：对石墨舟进行预镀膜：清洗石墨舟，将清洗后的石墨舟进行预镀膜：将石墨舟进行射频辉光处理，射频时间为9min，射频功率为7000W，占空比为0.98，压力为1400mtorr，SiH4气体流量控制在0.8L/min，NH3气体流量控制在7.6L/min；步骤3：电池片补渡准备：从含100片电池片的花篮中抽取3片电池片进行检测厚度，得出该花篮中电池片的平均厚度，计算出需要补渡的厚度，按照12s/nm的补渡速率，计算出补镀所需的时间，并将需补镀电池片插入准备好的石墨舟内；步骤4：对电池片进行补渡：将计算好的时间写入补镀工艺，将插满补镀电池片的石墨舟送入炉内补镀：控制射频功率为7000W，占空比为0.98，压力为1400mtorr，SiH4气体流量控制在0.8L/min，NH3气体流量控制在7.6L/min；步骤5：将补镀完的电池片进行全检，备用。实施例2：一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，包括以下步骤：步骤1：挑选需补渡的电池片：生产员工在镀膜后捡片时将返工片分类，将膜厚低于72nm且薄厚均匀的电池片放置于插片花篮中准备补镀；步骤2：对石墨舟进行预镀膜：清洗石墨舟，将清洗后的石墨舟进行预镀膜：将石墨舟进行射频辉光处理，射频时间为11min，射频功率为8000W，占空比为0.12，压力为1600mtorr，SiH4气体流量控制在1.2L/min，NH3气体流量控制在8.0L/min；步骤3：电池片补渡准备：从含100片电池片的花篮中抽取3片电池片进行检测厚度，得出该花篮中电池片的平均厚度，计算出需要补渡的厚度，按照12s/nm的补渡速率，计算出补镀所需的时间，并将需补镀电池片插入准备好的石墨舟内；步骤4：对电池片进行补渡：将计算好的时间写入补镀工艺，将插满补镀电池片的石墨舟送入炉内补镀：控制射频功率为8000W，占空比为0.12，压力为1600mtorr，SiH4气体流量控制在1.2L/min，NH3气体流量控制在8.0L/min；步骤5：将补镀完的电池片进行全检，备用。实施例3：一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，包括以下步骤：步骤1：挑选需补渡的电池片：生产员工在镀膜后捡片时将返工片分类，将膜厚低于72nm且薄厚均匀的电池片放置于插片花篮中准备补镀；步骤2：对石墨舟进行预镀膜：清洗石墨舟，将清洗后的石墨舟进行预镀膜：将石墨舟进行射频辉光处理，射频时间为10min，射频功率为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：挑选需补渡的电池片：生产员工在镀膜后捡片时将返工片分类，将膜厚低于72nm且薄厚均匀的电池片放置于硅片花篮中准备补镀；步骤2：对石墨舟进行预镀膜：清洗石墨舟，将清洗后的石墨舟进行预镀膜：将石墨舟进行射频辉光处理，射频时间为9‑11min，射频功率为7000‑8000W，占空比为0.98‑0.12，压力为1400‑1600mtorr，SiH4气体流量控制在0.8‑1.2L/min，NH3气体流量控制在7.6‑8.0L/min；步骤3：电池片补渡准备：从含100片电池片的硅片花篮中抽取3片电池片进行厚度检测，得出该硅片花篮中电池片的平均厚度，计算出需要补渡的厚度，按照12s/nm的补渡速率，计算出补镀所需的时间，并将需补镀电池片插入准备好的石墨舟内；步骤4：对电池片进行补渡：将计算好的时间写入补镀工艺，将插满补镀电池片的石墨舟送入炉内补镀：控制射频功率为7000‑8000W，占空比为0.98‑0.12，压力为1400‑1600mtorr ，SiH4气体流量控制在0.8‑1.2L/min，NH3气体流量控制在7.6‑8.0L/min；步骤5：将补镀完的电池片进行全检，备用。...

【技术特征摘要】
1.一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：挑选需补渡的电池片：生产员工在镀膜后捡片时将返工片分类，将膜厚低于72nm且薄厚均匀的电池片放置于硅片花篮中准备补镀；步骤2：对石墨舟进行预镀膜：清洗石墨舟，将清洗后的石墨舟进行预镀膜：将石墨舟进行射频辉光处理，射频时间为9-11min，射频功率为7000-8000W，占空比为0.98-0.12，压力为1400-1600mtorr，SiH4气体流量控制在0.8-1.2L/min，NH3气体流量控制在7.6-8.0L/min；步骤3：电池片补渡准备：从含100片电池片的硅片花篮中抽取3片电池片进行厚度检测，得出该硅片花篮中电池片的平均厚度，计算出需要补渡的厚度，按照12s/nm的补渡速率，计算出补镀所需的时间，并将需补镀电池片插入准备好的石墨舟内；步骤4：对电池片进行补渡：将计算好的时间写入补镀工艺，将插满补镀电池片的石墨舟送入炉内补镀：控制射频功率为7000-8000W，占空比为0.98-0.12，压力为1400-1600mtorr，SiH4气体流量控制在0.8-1.2L/min，NH3气体流量控制在7.6-8.0L/mi...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟兵，彭平，夏中高，顾鹏，
申请(专利权)人：平煤隆基新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41