一种通过微茎尖培养获得半夏脱毒苗的方法技术

本发明专利技术公布了一种通过微茎尖培养获得半夏脱毒苗的方法，它采用如下步骤：步骤一，取泰半夏块茎，诱导出的营养芽，块茎用清水洗净在相应条件下直接催芽处理；步骤二，切取带芽块茎及珠芽用流水冲洗，然后进行外植体消毒；步骤三，取消毒后的带芽块茎，无菌条件下，在解剖镜下分别剥取茎尖分生组织接种于芽的分化培养基；步骤四，接种后于暗培养７ｄ之后再转入光下进行正常培养。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
半夏(P. ternata)是我国特有的一种传统中药材，具有燥湿化痰、降逆止 呕、消痞散结之功效。但是根据有关资料检测显示，在我国半夏普遍受到芋花 叶病毒(Dasheen mosaic virus, DsMV)和黄瓜花叶病毒(Cucumber mosaic virus CMV)的侵染，使病毒在植株中大量积累，抑制植株的正常生长，使其种质逐年 衰退，从而严重影响了产量及品质的提高。对病毒病的防治，目前缺乏有效的 防治药剂。
技术实现思路
本专利技术提供了，它可以获得品 质均一和无病毒侵染的半夏种茎。本专利技术采用了以下技术方案 ， 它采用如下步骤步骤一，取泰半夏块茎，诱导出的营养芽，块茎用清水洗净 在相应条件下直接催芽处理；步骤二，切取带芽块茎及珠芽用流水冲洗，然后 进行外植体消毒；步骤三，取消毒后的带芽块茎，无菌条件下，在解剖镜下分 别剥取茎尖分生组织接种于芽的分化培养基；步骤四，接种后于暗培养7d之后 再转入光下进行正常培养。本专利技术步骤一中泰半夏块茎的直径为l.Ocm。本专利技术步骤一中的相应条件 为温度为28士l。C，相对湿度80y。。本专利技术步骤二中用流水冲洗的时间为60min。 步骤二中外植体消毒方法为先用75%酒精处理30s,然后用无菌水冲洗3-4次， 0. 1%升汞同时滴加Tween-80至终浓度约0.1%，再振摇10min,无菌水冲洗6-8 次，最后用10y。的H202浸泡6min，无菌水冲洗4-5次。本专利技术步骤二中的分化 培养基为以MS为基本的分化培养基，培养条件包括温度、光照，温度为25'C, 光照度为200-4001x,每天光照16小时。本专利技术步骤三中茎尖分生组织的长度 为0.2-O.5mm。本专利技术步骤三中的分化培养基釆用MS为基本培养基，添加琼脂 8 g/L，蔗糖30 g/L,调整pH值为5. 8， 121X:高压灭菌20分钟。本专利技术步骤三中解剖镜40x。本专利技术步骤四中正常培养条件为光照强度1500—20001x，光 照为12h/d,温度为25士1。C。釆用了以上技术方案后，通过组织培养脱除侵染半夏的主要病毒，可以获 得品质均一、无(未检出)病毒侵染的半夏种茎，这是半夏新的优良品种(系)选 育的基础。本专利技术应用组织培养技术脱毒，既清除植株营养体的病毒，并由已 去除病毒的组织再生出无病毒植株，保证植株的正常生长，提高产量及品质， 进一步扩大繁殖。 具体实施例方式本专利技术为，它釆用如下步骤 步骤一，取直径为l.Ocm泰半夏块茎，诱导出的营养芽，块茎用清水洗净在温 度为28± rC，相对湿度80%的条件下直接催芽处理；步骤二，切取带芽块茎 及珠芽用流水冲洗60min,进行外植体消毒，外植体消毒方法为先用75%酒精处 理30s，然后用无菌水冲洗3-4次，0. 1%升汞同时滴加Tween-80至终浓度约 0.1°/。，再振摇10min，无菌水冲洗6-8次，最后用10% HA浸泡6min，无菌水 冲洗4-5次，步骤二中的分化培养基为以MS为基本的分化培养基，培养条件包 括温度、光照，温度为25。C,光照度为200-4001x，每天光照16小时；步骤三， 取消毒后的带芽块茎，无菌条件下，40x解剖镜下分别剥取长度为0.2-0.5mm 的茎尖分生组织接种于芽分化培养基，分化培养基釆用MS为基本培养基，添加 琼脂8g/L，蔗糖30g/L,调整pH值为5.8， 121°C高压灭菌20分钟；步骤四， 接种后于暗培养7d之后再转入光下进行正常培养，正常培养条件为光照强度为 1500—20001x，光照为12h/d，温度为25士1。C。权利要求1、，它采用如下步骤步骤一，取泰半夏块茎，诱导出的营养芽，块茎用清水洗净在相应条件下直接催芽处理；步骤二，切取带芽块茎及珠芽用流水冲洗，然后进行外植体消毒；步骤三，取消毒后的带芽块茎，无菌条件下，在解剖镜下分别剥取茎尖分生组织接种于芽的分化培养基；步骤四，接种后于暗培养7d之后再转入光下进行正常培养。2、 根据权利要求l所述的通过微茎尖培养获得半夏脱毒苗的方法，其特征 步骤一中泰半夏块茎的直径为l.Ocm。3、 根据权利要求l所述的通过微茎尖培养获得半夏脱毒苗的方法，其特征 是所述的步骤一中的相应条件为温度为28土lt:，相对湿度80%。4、 根据权利要求l所述的通过微茎尖培养获得半夏脱毒苗的方法，其特征 是所述的步骤二中用流水冲洗的时间为60min。5、 根据权利要求l所述的通过微茎尖培养获得半夏脱毒苗的方法，其特征 是所述的步骤二中外植体消毒方法为先用75%酒精处理303，然后用无菌水冲洗 3-4次，0. 1%升汞同时滴加Tween-80至终浓度约0. 1%，再振摇10min，无菌水 冲洗6-8次，最后用10%的&02浸泡6min,无菌水冲洗4-5次。6、 根据权利要求l所述的通过微茎尖培养获得半夏脱毒苗的方法，其特征 是所述的步骤二中的分化培养基为以MS为基本的分化培养基，培养条件包括温 度、光照，温度为25。C，光照度为200-4001x,每天光照16小时。7、 根据权利要求l所述的通过微茎尖培养获得半夏脱毒苗的方法，其特征 是所述的步骤三中茎尖分生组织的长度为0. 2-0. 5min。8、 根据权利要求l所述的通过微茎尖培养获得半夏脱毒苗的方法，其特征 是步骤三中的分化培养基采用MS为基本培养基，添加琼脂8g/L,蔗糖30g/L, 调整pH值为5.8, 121'C高压灭菌20分钟。9、 根据权利要求l所述的通过微茎尖培养获得半夏脱毒苗的方法，其特征 是步骤三中解剖镜40x。10、 根据权利要求1所述的通过微茎尖培养获得半夏脱毒苗的方法，其特 征是步骤四中正常培养条件为光照强度为1500—20001x，光照为12h/d，温度 为25土1。C。全文摘要本专利技术公布了，它采用如下步骤步骤一，取泰半夏块茎，诱导出的营养芽，块茎用清水洗净在相应条件下直接催芽处理；步骤二，切取带芽块茎及珠芽用流水冲洗，然后进行外植体消毒；步骤三，取消毒后的带芽块茎，无菌条件下，在解剖镜下分别剥取茎尖分生组织接种于芽的分化培养基；步骤四，接种后于暗培养7d之后再转入光下进行正常培养。文档编号A01H4/00GK101194596SQ20071019182公开日2008年6月11日 申请日期2007年12月15日 优先权日2007年12月15日专利技术者杰 李 申请人:杰 李本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过微茎尖培养获得半夏脱毒苗的方法，它采用如下步骤：步骤一，取泰半夏块茎，诱导出的营养芽，块茎用清水洗净在相应条件下直接催芽处理；步骤二，切取带芽块茎及珠芽用流水冲洗，然后进行外植体消毒；步骤三，取消毒后的带芽块茎，无菌条件下，在解剖镜下分别剥取茎尖分生组织接种于芽的分化培养基；步骤四，接种后于暗培养７ｄ之后再转入光下进行正常培养。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李杰，
申请(专利权)人：李杰，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]