译码方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种译码方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述译码方法包括：基于第一读取电压电平来从可重写非易失性存储器模块中的多个第一存储单元读取第一数据并执行第一译码操作；若所述第一译码操作失败，评估所述可重写非易失性存储器模块的信道状态并根据所述信道状态获得第二读取电压电平，其中所述第二读取电压电平不同于所述第一读取电压电平，且所述第二读取电压电平不同于最佳读取电压电平；基于所述第二读取电压电平来从所述多个第一存储单元读取第二数据并执行第二译码操作。藉此，可提高译码效率。

Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit

The invention provides a decoding method, a memory storage device and a memory control circuit unit. Including the decoding method: first read voltage level from the nonvolatile storage unit of a plurality of first memory modules in the first data read and execute the first decoding operation based on; if the first decoding operation failed to evaluate the rewritable non-volatile memory module according to the channel and channel state state second read voltage level, wherein the second read voltage level different from the first read voltage level, and the second read voltage level different from the best of the second read voltage level; read voltage level to read second data from the first storage unit and perform decoding operation based on second. By this, the decoding efficiency can be improved.

【技术实现步骤摘要】
译码方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元
本专利技术涉及一种译码技术，尤其涉及一种译码方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。
技术介绍
数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可重写非易失性存储器模块(例如，闪速存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。在某些支援错误更正的存储器装置中，数据会先被编码然后才会被存储。一般来说，在对从存储器装置中读取的数据进行译码时，若译码失败，存储器装置可能会通过查表来逐一检查不同的读取电压或直接追踪最佳读取电压并藉由调整后的读取电压来重复读取存储单元阵列，以尝试减少待译码数据中的错误。但是，当存储器装置的信道状态很差时，通过查表来盲目的测试不同的读取电压或追踪最佳读取电压都需要花费很多时间，使得存储器装置的译码效率下降。
技术实现思路
本专利技术提供一种译码方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可提高译码效率。本专利技术的一范例实施例提供一种译码方法，其用于包括多个存储单元的可重写非易失性存储器模块，所述译码本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种译码方法，用于包括多个存储单元的可重写非易失性存储器模块，其特征在于，所述译码方法包括：基于第一读取电压电平来从所述多个存储单元中的多个第一存储单元读取第一数据；对所述第一数据执行第一译码操作；若所述第一译码操作失败，评估所述可重写非易失性存储器模块的信道状态并根据所述信道状态获得第二读取电压电平，其中所述第二读取电压电平不同于所述第一读取电压电平，且所述第二读取电压电平不同于最佳读取电压电平；基于所述第二读取电压电平来从所述多个第一存储单元读取第二数据；对所述第二数据执行第二译码操作。

【技术特征摘要】
1.一种译码方法，用于包括多个存储单元的可重写非易失性存储器模块，其特征在于，所述译码方法包括：基于第一读取电压电平来从所述多个存储单元中的多个第一存储单元读取第一数据；对所述第一数据执行第一译码操作；若所述第一译码操作失败，评估所述可重写非易失性存储器模块的信道状态并根据所述信道状态获得第二读取电压电平，其中所述第二读取电压电平不同于所述第一读取电压电平，且所述第二读取电压电平不同于最佳读取电压电平；基于所述第二读取电压电平来从所述多个第一存储单元读取第二数据；对所述第二数据执行第二译码操作。2.根据权利要求1所述的译码方法，其特征在于，评估所述可重写非易失性存储器模块的所述信道状态并根据所述信道状态获得所述第二读取电压电平的步骤包括：获得所述多个第一存储单元中符合预置条件的存储单元的第一数目；根据所述第一数目来决定所述第二读取电压电平。3.根据权利要求2所述的译码方法，其特征在于，获得所述多个第一存储单元中符合所述预置条件的存储单元的所述第一数目的步骤包括：根据所述第一数据中的第一类数据来获得符合所述预置条件的存储单元的所述第一数目。4.根据权利要求2所述的译码方法，其特征在于，根据所述第一数目来决定所述第二读取电压电平的步骤包括：获得所述第一数目与所述多个第一存储单元的总数的比值；根据所述比值来决定所述第二读取电压电平。5.根据权利要求2所述的译码方法，其特征在于，所述第一数目的值正相关于所述第一读取电压电平与所述第二读取电压电平之间的电压差值。6.根据权利要求1所述的译码方法，其特征在于，还包括：若所述第二译码操作失败，执行最佳读取电压电平追踪操作以获得所述最佳读取电压电平；基于所述最佳读取电压电平来从所述多个第一存储单元读取第三数据，其中所述第三数据中的错误位的总数少于所述第二数据中的错误位的总数；对所述第三数据执行第三译码操作。7.根据权利要求1所述的译码方法，其特征在于，所述译码方法适用于具有三维存储单元阵列的所述可重写非易失性存储器模块。8.根据权利要求1所述的译码方法，其特征在于，所述可重写非易失性存储器模块的阈值读取电压电平与所述可重写非易失性存储器模块的预置读取电压电平之间的第一电压差值大于第二电压差值的一半，其中所述第二电压差值为所述多个第一存储单元的初始阈值电压分布上的状态所对应的阈值电压上端点与阈值电压下端点之间的电压差值，其中基于所述阈值读取电压电平从所述多个第一存储单元读取的数据所包含的错误位的总数趋近于用于控制所述可重写非易失性存储器模块的存储器控制电路单元的最大错误更正能力所对应的一错误位数目。9.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：连接接口单元，用以连接至主机系统；可重写非易失性存储器模块，包括多个存储单元；存储器控制电路单元，连接至所述连接接口单元与所述可重写非易失性存储器模块，其中所述存储器控制电路单元用以发送第一读取指令序列以指示基于第一读取电压电平来从所述多个存储单元中的多个第一存储单元读取第一数据，其中所述存储器控制电路单元更用以对所述第一数据执行第一译码操作，其中若所述第一译码操作失败，所述存储器控制电路单元更用以评估所述可重写非易失性存储器模块的信道状态并根据所述信道状态获得第二读取电压电平，其中所述第二读取电压电平不同于所述第一读取电压电平，且所述第二读取电压电平不同于最佳读取电压电平，其中所述存储器控制电路单元更用以发送第二读取指令序列以指示基于所述第二读取电压电平来从所述多个第一存储单元读取第二数据，其中所述存储器控制电路单元更用以对所述第二数据执行第二译码操作。10.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其特征在于，所述存储器控制电路单元评估所述可重写非易失性存储器模块的所述信道状态并根据所述信道状态获得所述第二读取电压电平的操作包括：获得所述多个第一存储单元中符合预置条件的存储单元的第一数目；根据所述第一数目来决定所述第二读取电压电平。11.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其特征在于，所述存储器控制电路单元获得所述多个第一存储单元中符合所述预置条件的存储单元的所述第一数目的操作包括：根据所述第一数据中的第一类数据来获得符合所述预置条件的存储单元的所述第一数目。12.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其特征在于，所述存储器控制电路单元根据所述第一数目来决定所述第二读取电压电平的操作包括：获得所述第一数目与所述多个第一存储单元的总数的比值；根据所述比值来决定所述第二读取电压电平。13.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其特征在于，所述第一数目的值正相关于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林纬，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71