P型双面太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种P型双面太阳能电池，依次包括背面电极、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正面电极，所述背面电极、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正面电极依次层叠设置，所述背面电极包括背银主栅和背铝副栅，所述背银主栅和背铝副栅相交，所述背铝副栅与P型硅直接相连。采用本实用新型专利技术，结构简单，成本较低、易于推广、光电转换效率高。

P type double sided solar cell

The utility model discloses a P type double sided solar cell, which comprises a back electrode, P type, N type silicon emitter passivation film, positive and positive electrode, the back electrode, P type, N type silicon emitter, positive and positive electrode passivation film sequentially disposed, the back electrode comprises a back the main gate and back side silver aluminum gate, the main gate and back back silver aluminum side gate intersection, the back side of aluminum gate and P type silicon directly connected. The utility model has the advantages of simple structure, low cost, easy popularization and high photoelectric conversion efficiency.

【技术实现步骤摘要】
P型双面太阳能电池
本技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种P型双面太阳能电池。
技术介绍
晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，当太阳光照在半导体P-N结上，形成新的空穴-电子对，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。传统晶硅太阳能电池基本上只采用正面钝化技术，在硅片正面用PECVD的方式沉积一层氮化硅，降低少子在前表面的复合速率，可以大幅度提升晶硅电池的开路电压和短路电流，从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。但是由于硅片的背面没有钝化，光电转换效率的提升仍然受到限制。现有技术的双面太阳能电池结构：基底采用N型硅片，当太阳光子照射电池背面时，在N型硅片中产生的载流子穿过厚度约为200微米的硅片，由于N型硅片少子寿命高，载流子复合速率低，部分载流子可以到达正面的p-n结；太阳能电池的正面为主要受光面，其转换效率占整个电池转换效率的比例很高；正背面的综合作用，从而大大提高电池的转换效率。但是，N型硅片价格高，N型双面电池工艺复杂；因此，如何开发高效低成本的双面太阳能电池成为企业和研究者关注的热点。对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种P型双面太阳能电池，其特征在于，依次包括背面电极、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正面电极，所述背面电极、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正面电极依次层叠设置，所述背面电极包括背银主栅和背铝副栅，所述背银主栅和背铝副栅相交，所述背铝副栅与P型硅直接相连。

【技术特征摘要】
1.一种P型双面太阳能电池，其特征在于，依次包括背面电极、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正面电极，所述背面电极、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正面电极依次层叠设置，所述背面电极包括背银主栅和背铝副栅，所述背银主栅和背铝副栅相交，所述背铝副栅与P型硅直接相连。2.如权利要求1所述P型双面太阳能电池，其特征在于，所述正面电极包括正银主栅和正银副栅。3.如权利要求1所述P型双面太阳能电池，其特征在于，还包括铝栅外框，所述铝栅外框设于背铝副栅的四周，所述铝栅外框与背银主栅和背铝副栅相连接。4.如权利要求1所述P型双面太阳能电池，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：方结彬，何达能，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，广东爱旭科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33