P型双面太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种P型双面太阳能电池，依次包括背面电极、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正面电极，所述背面电极、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正面电极依次层叠设置，所述背面电极包括背银主栅和背铝副栅，所述背银主栅和背铝副栅相交，所述背铝副栅与P型硅直接相连。采用本实用新型专利技术，结构简单，成本较低、易于推广、光电转换效率高。

P type double sided solar cell

The utility model discloses a P type double sided solar cell, which comprises a back electrode, P type, N type silicon emitter passivation film, positive and positive electrode, the back electrode, P type, N type silicon emitter, positive and positive electrode passivation film sequentially disposed, the back electrode comprises a back the main gate and back side silver aluminum gate, the main gate and back back silver aluminum side gate intersection, the back side of aluminum gate and P type silicon directly connected. The utility model has the advantages of simple structure, low cost, easy popularization and high photoelectric conversion efficiency.

【技术实现步骤摘要】
P型双面太阳能电池
本技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种P型双面太阳能电池。
技术介绍
晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，当太阳光照在半导体P-N结上，形成新的空穴-电子对，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。传统晶硅太阳能电池基本上只采用正面钝化技术，在硅片正面用PECVD的方式沉积一层氮化硅，降低少子在前表面的复合速率，可以大幅度提升晶硅电池的开路电压和短路电流，从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。但是由于硅片的背面没有钝化，光电转换效率的提升仍然受到限制。现有技术的双面太阳能电池结构：基底采用N型硅片，当太阳光子照射电池背面时，在N型硅片中产生的载流子穿过厚度约为200微米的硅片，由于N型硅片少子寿命高，载流子复合速率低，部分载流子可以到达正面的p-n结；太阳能电池的正面为主要受光面，其转换效率占整个电池转换效率的比例很高；正背面的综合作用，从而大大提高电池的转换效率。但是，N型硅片价格高，N型双面电池工艺复杂；因此，如何开发高效低成本的双面太阳能电池成为企业和研究者关注的热点。对于双面P型太阳能电池，由于光电转换效率高，同时双面吸收太阳光，发电量更高，在实际应用中具有更大的使用价值。因此，本技术旨在提出一种工艺简单、成本较低、易于推广、光电转换效率高的P型双面太阳能电池。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于，提供一种P型双面太阳能电池，结构简单，工艺简单，成本较低，光电转换效率高。为了解决上述技术问题，本技术提供了一种P型双面太阳能电池，依次包括背面电极、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正面电极，所述背面电极、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正面电极依次层叠设置，所述背面电极包括背银主栅和背铝副栅，所述背银主栅和背铝副栅相交，所述背铝副栅与P型硅直接相连。作为上述方案的优选方式，所述正银电极包括正银主栅和正银副栅。作为上述方案的优选方式，还包括铝栅外框，所述铝栅外框设于背铝副栅的四周，所述铝栅外框与背银主栅和背铝副栅相连接。作为上述方案的优选方式，所述背铝副栅上设有栅线脊骨，所述栅线脊骨与背铝副栅连接。作为上述方案的优选方式，所述背铝副栅的根数为30-500条，所述栅线脊骨的根数为30-500条；所述背铝副栅的宽度为30-500微米，所述栅线脊骨的宽度为30-500微米。作为上述方案的优选方式，所述背银主栅和背铝副栅垂直相交。作为上述方案的优选方式，所述背银主栅和背铝副栅以预设角度相交，10°＜预设角度＜90°。作为上述方案的优选方式，所述背铝副栅之间的间距不相等。实施本技术，具有如下有益效果：本技术不再设有全铝背电场，而是将其变成许多的背铝副栅，与P型硅形成局部接触，密集平行排布的背铝副栅不仅能起到提高开路电压Voc和短路电流Jsc，降低少数载流子复合率，提高电池光电转换效率的作用，可替代现有单面电池结构的全铝背电场，而且背铝副栅并未全面遮盖硅片的背面，太阳光可从背铝副栅之间投射至硅片内，从而实现硅片背面吸收光能，大幅提高电池的光电转换效率。而且，本技术太阳能电池，背面无需设有钝化膜，也无需在钝化膜上进行激光开槽，就可以实现优良的收集和传输电子的作用，在保证优良的光电转换效率的基础上，大幅降低了工艺的复杂程度，减少工艺流程，简化结构，节约成本。附图说明图1是本技术P型双面太阳能电池的剖视图；图2是本技术P型双面太阳能电池的背面结构第一实施例的示意图；图3是本技术P型双面太阳能电池的背面结构第二实施例的示意图；图4是本技术P型双面太阳能电池的背面结构第三实施例的示意图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述。现有的单面太阳能电池在电池的背面设有全铝背电场覆盖在硅片的整个背面，全铝背电场的作用是提高了开路电压Voc和短路电流Jsc，迫使少数载流子远离表面，少数载流子复合率降低，从而整体上提高电池效率。然而，由于全铝背电场不透光，因此，具有全铝背电场的太阳能电池背面无法吸收光能，只能正面吸收光能，电池的综合光电转换效率难以大幅度的提高。针对上述技术问题，结合图1，本技术提供一种P型双面太阳能电池，依次包括背面电极1、P型硅2、N型发射极3、正面钝化膜4和正面电极5，所述背面电极1、P型硅2、N型发射极3、正面钝化膜4和正面电极5依次层叠设置，所述背面电极1包括背银主栅11和背铝副栅12，所述背银主栅11和背铝副栅12相交，所述背铝副栅12与P型硅2直接相连。所述正银电极5包括正银主栅51和正银副栅52。本技术对现有的单面PERC太阳能电池进行改进，不再设有全铝背电场，而是将其变成许多的背铝副栅12，与P型硅2形成局部接触，密集平行排布的背铝副栅12不仅能起到提高开路电压Voc和短路电流Jsc，降低少数载流子复合率，提高电池光电转换效率的作用，可替代现有单面电池结构的全铝背电场，而且背铝副栅12并未全面遮盖硅片的背面，太阳光可从背铝副栅12之间投射至硅片内，从而实现硅片背面吸收光能，大幅提高电池的光电转换效率。如图2所示为硅片背面，背铝副栅12与背银主栅11呈垂直相交连接，其中背银主栅11为连续直栅，背铝副栅12与P型硅2形成局部接触，可将电子传输至背铝副栅12，与背铝副栅12相交的背银主栅11则汇集背铝副栅12上的电子，由此可知，本技术所述背铝副栅12起到提高开路电压Voc和短路电流Jsc，降低少数载流子复合率，以及传输电子的作用，可替代现有单面太阳能电池中全铝背电场以及背银电极中的副栅结构，不仅减少银浆和铝浆的用量，降低生产成本，而且实现双面吸收光能，显著扩大太阳能电池的应用范围和提高光电转换效率。本技术所述背银主栅11除了如图2所示为连续直栅的设置外，还可以呈间隔分段设置，每段的长度可以相同或不同，或者，背银主栅11呈间隔分段设置，且各相邻分段间通过连通线连接，该连通线可以是一条，也可以是两条，还可以是多条。除此之外，本技术所述背银主栅11上还可以设有镂空部，所述镂空部的形状为长方形、正方形、圆形、椭圆形、菱形、或弧形和长方形的组合图形，但不限于此。参见图3，本技术提供了更佳的第二种实施方式，与图1、2所示第一实施例不同的是，所述太阳能电池还包括铝栅外框7，所述铝栅外框7设于背铝副栅12的四周，所述铝栅外框7与背银主栅11和背铝副栅12相连接。在印刷过程中，由于铝浆的粘度较大，网版的线宽又比较窄，会偶尔出现铝栅断栅的情况。铝栅断栅会导致EL测试的图像出现黑色断栅。同时，铝栅断栅又会影响电池的光电转换效率。因此，本技术在背铝副栅12的四周设有铝栅外框7，所述铝栅外框7与背银主栅11和背铝副栅12相连接，铝栅外框7给电子多提供了一条传输路径，防止铝栅断栅造成的EL测试断栅和光电转换效率低的问题。参见图4，本技术提供了更佳的第三种实施方式，与图3所示第二实施例不同的是，所述背铝副栅12上设有栅线脊骨8，所述栅线脊骨8与背铝副栅12连接。优选的，所述栅线脊骨8与背铝副栅12垂直连接。所述背铝副栅12的根数为30-500条，所述栅线脊骨8的根数为3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种P型双面太阳能电池，其特征在于，依次包括背面电极、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正面电极，所述背面电极、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正面电极依次层叠设置，所述背面电极包括背银主栅和背铝副栅，所述背银主栅和背铝副栅相交，所述背铝副栅与P型硅直接相连。

【技术特征摘要】
1.一种P型双面太阳能电池，其特征在于，依次包括背面电极、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正面电极，所述背面电极、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正面电极依次层叠设置，所述背面电极包括背银主栅和背铝副栅，所述背银主栅和背铝副栅相交，所述背铝副栅与P型硅直接相连。2.如权利要求1所述P型双面太阳能电池，其特征在于，所述正面电极包括正银主栅和正银副栅。3.如权利要求1所述P型双面太阳能电池，其特征在于，还包括铝栅外框，所述铝栅外框设于背铝副栅的四周，所述铝栅外框与背银主栅和背铝副栅相连接。4.如权利要求1所述P型双面太阳能电池，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：方结彬，何达能，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，广东爱旭科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33