基板处理装置制造方法及图纸

基板处理装置具有基板保持部、基板旋转机构和腔室。基板旋转机构具有在腔室的内部空间配置的环状的转子部和在腔室外配置在转子部的周围的定子部。基板保持部在腔室的内部空间安装在转子部上。在基板旋转机构中，在定子部和转子部之间产生以中心轴为中心的旋转力。由此，转子部与基板以及基板保持部一起以中心轴为中心以漂浮状态进行旋转。在基板处理装置中，能够在具有高的密闭性的内部空间内使基板容易进行旋转。其结果，能够容易实现在密闭的内部空间中的基板的单张处理。

Substrate treatment device

The substrate treatment device has a substrate holding section, a substrate rotation mechanism and a chamber. The rotating mechanism of the substrate has a annular rotor part in the inner space of the chamber and a stator part around the rotor outside the cavity. The substrate holding section is installed on the rotor part in the inner space of the chamber. In the rotating mechanism of the base plate, the rotating force centered on the center axis is produced between the stator and the rotor. As a result, the rotor is rotated in a floating state with the base plate and the substrate holding section at the center axis. In the substrate processing device, the substrate can be easily rotated in a high airtight interior space. As a result, the single sheet processing in the enclosed interior space can be easily realized.

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置本申请是申请日为2013年8月9日、申请号为201310345501.9、专利技术名称为“基板处理装置以及基板处理方法”的申请的分案申请。
本专利技术涉及对基板进行处理的基板处理装置以及基板处理方法。
技术介绍
一直以来，在半导体基板(以下仅称为“基板”。)的制造工序中，使用基板处理装置来对基板实施各种处理。例如，通过向在表面上形成有抗蚀剂的图案的基板供给药液，来对基板的表面进行蚀刻等处理。另外，在蚀刻处理结束后，还进行除去基板上的抗蚀剂或对基板进行清洗的处理。在日本特开平9-246156号公报(文献1)的装置中，通过冲洗液冲洗掉晶片上的显影液等后，对晶片进行干燥。具体地说，向冲洗处理部搬入晶片，并由晶片吸附部吸附晶片，在冲洗处理部的开口由闸门堵住后，对冲洗处理部的内部空间进行排气。然后，在处于减压环境的内部空间中，使晶片与晶片吸附部一起以低速旋转，并供给冲洗液，由此进行冲洗处理，然后，使晶片以高速旋转，由此对晶片进行干燥。但是，在如文献1的装置中，用于使晶片吸附部进行旋转的伺服马达等驱动部设置在冲洗处理部的外部，通过贯穿冲洗处理部的外壁的旋转轴，与晶片吸附部以机械方式连接。因此，在旋转轴从冲洗处理部的外部贯通到内部空间的部位需要设置用于防止处理液流出和颗粒进入的密封件。另外，如文献1那样，在使冲洗处理部的内部空间为减压环境的情况下，还需要通过该密封件防止气体的流入以及流出。但是，由于这样的密封件具有非常复杂的结构，所以有可能导致装置复杂或大型化，并且，即使使用密封件，完全密闭内部空间也并不容易。
技术实现思路
本专利技术面向对基板进行处理的基板处理装置，其目的在于能够容易实现在被密闭的空间中的基板的单张处理。本专利技术还面向对基板进行处理的基板处理方法。本专利技术的基板处理装置具有：腔室(chamber)，具有腔室主体以及腔室盖部，通过由所述腔室盖部堵塞所述腔室主体的上部开口，来形成被密闭的内部空间，基板保持部，配置在所述腔室的所述内部空间内，将基板保持为水平状态，基板旋转机构，以朝向上下方向的中心轴为中心，使所述基板与所述基板保持部一起进行旋转，处理液排出部，将供给到所述基板上的处理液向所述腔室外排出；所述基板旋转机构具有：环状的转子部，配置在所述腔室的所述内部空间内，并安装有所述基板保持部，定子部，在所述腔室外配置在所述转子部的周围，在所述定子部与所述转子部之间产生旋转力。由此，能够更容易地实现在被密闭的空间中的基板的单张处理。在本专利技术的一个优选的实施方式中，基板处理装置还具有：处理液供给部，向所述腔室内供给处理液，控制部，对所述基板旋转机构以及所述处理液供给部进行控制；通过所述控制部的控制，在所述基板保持部未保持基板的状态下向所述腔室内供给所述处理液并进行贮存，在所述内部空间内，在所述基板保持部的至少一部分浸渍在所述处理液中的状态下，使所述基板保持部进行旋转，由此进行所述腔室内的清洗处理。由此，能够容易对腔室内进行清洗。在本专利技术的另一个优选的实施方式中，所述处理液排出部从所述内部空间的下部排出处理液，所述转子部配置在所述基板保持部的周围，所述转子部具有接受液体面，该接受液体面与所述基板的外周缘在径向上相向，接受从所述基板的外周缘飞散的处理液并向下方引导。由此，能够抑制处理液向基板的弹回。在本专利技术的另一个优选的实施方式中，所述处理液排出部从所述内部空间的下部排出处理液，所述转子部配置在所述基板保持部的周围，所述转子部的上表面的内周缘与所述基板的所述上表面的外周缘接触或接近，所述腔室具有环状的流路形成部，在该环状的流路形成部和所述转子部之间形成用于将所述处理液向所述处理液排出部引导的流路，在所述转子部的所述上表面的所述内周缘和所述流路形成部之间，形成有用于向所述流路引导处理液的狭缝状的开口。由此，能够抑制处理液向基板的弹回。在本专利技术的另一个优选的实施方式中，所述基板保持部具有：多个基板支撑部，对所述基板从下侧进行支撑，多个基板按压部，对所述基板从上侧进行按压；各基板支撑部能够以朝向水平方向的第一旋转轴为中心，在第一待机位置和第一保持位置之间进行旋转，通过在第一基板抵接部上载置所述基板，基板支撑部从所述第一待机位置向所述第一保持位置旋转，来对所述基板从下侧进行支撑，各基板按压部能够以朝向水平方向的第二旋转轴为中心在第二待机位置和第二保持位置之间进行旋转，所述基板按压部借助由所述基板旋转机构产生的旋转的离心力，从所述第二待机位置向所述第二保持位置旋转，来由第二基板抵接部对所述基板从上侧进行按压。由此，能够在不设置用于驱动基板保持部的驱动机构的情况下容易保持基板。在本专利技术的另一个优选的实施方式中，该基板处理装置还具有：处理液供给部，在所述内部空间内向所述基板上供给处理液，气体供给部，向所述内部空间内供给气体，缓冲罐，与所述内部空间经由连接配管连接，暂时贮存从所述内部空间引导来的处理液，并且，该缓冲罐的内部的气体经由所述连接配管内的气体与所述内部空间的气体总是连续，气体排出部，排出所述缓冲罐内的气体，压力控制部，对所述气体供给部以及所述气体排出部进行控制，来控制所述腔室的所述内部空间的压力；所述处理液排出部用于排出在所述缓冲罐贮存的处理液。由此，能够高精度地控制腔室的内部空间的压力。本专利技术的基板处理方法包括：a工序，在腔室内的被密闭的内部空间配置的基板保持部未保持基板的状态下，向所述腔室内供给处理液并进行贮存；b工序，在所述内部空间内，所述基板保持部的至少一部分浸渍在所述处理液中的状态下，通过使所述基板保持部旋转，来进行所述腔室内的清洗处理。。通过参见所附的附图并阅读以下的详细说明，本专利技术的其他目的、特征及优点可一目了然。附图说明图1是表示第一实施方式的基板处理装置的结构的图。图2是表示控制部的功能的框图。图3是基板保持部的俯视图。图4是放大表示卡盘部的俯视图。图5是卡盘部的剖视图。图6是卡盘部的剖视图。图7是卡盘部的剖视图。图8是卡盘部的剖视图。图9是转子部的剖视图。图10是基板处理装置的剖视图。图11是基板处理装置的剖视图。图12是基板处理装置的剖视图。图13是表示基板处理的流程的图。图14是基板处理装置的剖视图。图15是表示腔室内的清洗处理的流程的图。图16是基板处理装置的剖视图。图17是基板处理装置的剖视图。图18是第二实施方式的基板处理装置的局部剖视图。图19是第三实施方式的基板处理装置的局部剖视图。图20是第四实施方式的基板处理装置的剖视图。图21是基板处理装置的剖视图。图22是基板处理装置的剖视图。图23是第五实施方式的基板处理装置的剖视图。图24是详细表示压力控制涉及的结构的图。图25是表示基板处理的流程的一部分的图。图26是详细表示压力控制涉及的其他结构的图。图27是第六实施方式的基板处理装置的剖视图。图28是基板处理装置的剖视图。图29是基板处理装置的剖视图。其中，附图标记说明如下1、1a～1e基板处理装置2基板保持部5基板旋转机构7腔室9基板11控制部22基板支撑部23基板按压部25旋转轴31第一处理液供给部32第二处理液供给部33第三处理液供给部35扫描喷嘴41升降销42升降销移动机构51、51a定子部52、52a、52b转子部60缓冲罐60a第一缓冲罐60b第二缓冲罐60c第三本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，对基板进行处理，其特征在于，具有：腔室，具有腔室主体以及腔室盖部，通过由所述腔室盖部堵塞所述腔室主体的上部开口，来形成被密闭的内部空间，基板保持部，配置在所述腔室的所述内部空间内，将基板保持为水平状态，基板旋转机构，以朝向上下方向的中心轴为中心，使所述基板与所述基板保持部一起进行旋转，处理液排出部，将供给到所述基板上的处理液向所述腔室外排出；所述基板旋转机构具有：环状的转子部，其配置在所述腔室的所述内部空间内，并安装有所述基板保持部，定子部，在所述腔室外配置在所述转子部的周围，在所述定子部与所述转子部之间产生旋转力，多个升降销，在以所述中心轴为中心的周向上排列，并从所述腔室盖部向下突出，升降销移动机构，使所述多个升降销相对于所述腔室盖部在所述上下方向上进行移动；通过所述升降销移动机构使所述多个升降销各自的顶端部从退避位置下降到交接位置，在所述交接位置，在所述多个升降销和所述基板保持部之间进行基板的交接。

【技术特征摘要】
2012.08.09 JP 2012-177600;2012.08.30 JP 2012-190471.一种基板处理装置，对基板进行处理，其特征在于，具有：腔室，具有腔室主体以及腔室盖部，通过由所述腔室盖部堵塞所述腔室主体的上部开口，来形成被密闭的内部空间，基板保持部，配置在所述腔室的所述内部空间内，将基板保持为水平状态，基板旋转机构，以朝向上下方向的中心轴为中心，使所述基板与所述基板保持部一起进行旋转，处理液排出部，将供给到所述基板上的处理液向所述腔室外排出；所述基板旋转机构具有：环状的转子部，其配置在所述腔室的所述内部空间内，并安装有所述基板保持部，定子部，在所述腔室外配置在所述转子部的周围，在所述定子部与所述转子部之间产生旋转力，多个升降销，在以所述中心轴为中心的周向上排列，并从所述腔室盖部向下突出，升降销移动机构，使所述多个升降销相对于所述腔室盖部在所述上下方向上进行移动；通过所述升降销移动机构使所述多个升降销各自的顶端部从退避位置下降到交接位置，在所述交接位置，在所述多个升降销和所述基板保持部之间进行基板的交接。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置还具有喷嘴，该喷嘴安装在所述腔室盖部上，用于向所述基板的上表面供给处理液。3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置还具有其他喷嘴，所述其他喷嘴在所述腔室主体上安装在与所述基板的下表面相向的腔室底部，用于向所述基板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：难波敏光，
申请(专利权)人：斯克林集团公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP