一种提高锗单晶片机械强度的腐蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种提高锗单晶片机械强度的腐蚀方法，该方法将腐蚀工艺分为两步腐蚀，第一步，将锗单晶片在碱性腐蚀液中腐蚀；第二步，将锗单晶片在酸性腐蚀液中腐蚀；碱性腐蚀液由KOH和H2O2混合而成，其体积比为KOH：H2O2=3：1；酸性腐蚀液由HNO3、HF、DIW混合而成，其体积比为HNO3：HF：DIW=5：3：2。用碱性腐蚀液腐蚀可去除8μm~10μm；用酸性腐蚀液腐蚀可去除6μm~8μm；两步共去除厚度16μm~18μm。采用本腐蚀方法可有效提高锗单晶片的机械强度。

【技术实现步骤摘要】
一种提高锗单晶片机械强度的腐蚀方法
本专利技术属于半导体材料领域，特别涉及一种提高锗单晶片机械强度的腐蚀方法。
技术介绍
锗单晶片作为衬底材料广泛应用于航空航天太阳能电池制作。不论是多节还是单节太阳能电池，其制作过程中的外延工艺都是必须的过程，而衬底材料的强度对外延的质量和成品率都有很大的影响。用常规的单步腐蚀方法加工的锗单晶片，机械强度普遍偏低，难以满足太阳能电池制作要求。因此迫切需要专利技术一种提高锗单晶片机械强度的腐蚀方法，满足太阳能电池制作的要求。
技术实现思路
鉴于单步腐蚀工艺中存在的问题，本专利技术的目的是提供一种提高锗单晶片机械强度的腐蚀方法。为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案是：一种提高锗单晶片机械强度的腐蚀方法，其特征在于：该方法将腐蚀工艺分为两步腐蚀，第一步，将锗单晶片在碱性腐蚀液中腐蚀；第二步，将锗单晶片在酸性腐蚀液中腐蚀；所述碱性腐蚀液由KOH和H2O2混合而成，其体积比为KOH：H2O2=3：1；所述酸性腐蚀液由HNO3、HF、DIW混合而成，其体积比为HNO3：HF：DIW=5：3：2。本专利技术所述碱性腐蚀液中的KOH是浓度为10±1%的水溶液；H2O2是浓度为30±1%的水溶液。本专利技术所述将锗单晶片在温度为40±2℃的碱性腐蚀液中腐蚀3min。本专利技术所述酸性腐蚀液中的HNO3浓度为68±1%；HF浓度为40±1%。本专利技术所述将锗单晶片在温度为30±2℃的酸性腐蚀液中腐蚀2min。本专利技术具有的优点和有益效果是：该腐蚀方法可以稳定提高锗单晶片的机械强度。本方法易于操作，采用本方法腐蚀的锗单晶片机械强度高，满足后期工艺要求，具有一定的实用性。具体实施方式以下结合实施例对本专利技术作进一步说明：实施例：锗片晶向为P<100>，电阻率为：0.01~0.05Ω·cm，厚度为330μm。将锗单晶片10片放入由氢氧化钾与过氧化氢溶液组成的碱性腐蚀液中，腐蚀液体积比为KOH：H2O2=3：1。腐蚀液温度为40℃，腐蚀时间为3min。此步骤可去除锗单晶片厚度8μm~10μm。将锗单晶片放入由硝酸、氢氟酸与去离子水组成的酸性腐蚀液中，腐蚀液体积比为HNO3：HF：DIW=5：3：2。腐蚀液温度为30℃，腐蚀时间为2min。此步骤可去除锗单晶片厚度6μm~8μm。完成两步腐蚀后，用机械强度测试仪测试锗单晶片的机械强度。机械强度测试结果如表1所示。表1锗片序号腐蚀前厚度/μm腐蚀后厚度/μm机械强度/lb1330.1313.612.72330.0313.011.63329.9313.910.94330.2312.711.75329.8312.212.66330.3313.911.87329.7312.113.98330.1312.010.19330.2312.614.310330.0313.710.2结论：从表1中可以看出，锗单晶片机械强度高。两步共去除厚度16μm~18μm。采用本腐蚀方法可以有效提高锗单晶片的机械强度，操作简单，满足后期工艺要求。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高锗单晶片机械强度的腐蚀方法，其特征在于：该方法将腐蚀工艺分为两步腐蚀，第一步，将锗单晶片在碱性腐蚀液中腐蚀；第二步，将锗单晶片在酸性腐蚀液中腐蚀；所述碱性腐蚀液由KOH和H2O2混合而成，其体积比为KOH：H2O2=3：1；所述酸性腐蚀液由HNO3、HF、DIW混合而成，其体积比为HNO3：HF：DIW=5：3：2。

【技术特征摘要】
1.一种提高锗单晶片机械强度的腐蚀方法，其特征在于：该方法将腐蚀工艺分为两步腐蚀，第一步，将锗单晶片在碱性腐蚀液中腐蚀；第二步，将锗单晶片在酸性腐蚀液中腐蚀；所述碱性腐蚀液由KOH和H2O2混合而成，其体积比为KOH：H2O2=3：1；所述酸性腐蚀液由HNO3、HF、DIW混合而成，其体积比为HNO3：HF：DIW=5：3：2。2.根据权利要求1所述的一种提高锗单晶片机械强度的腐蚀方法，其特征在于：所述碱性腐蚀液中的KOH是浓度为10±1...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕菲，常耀辉，张伟才，宋晶，田原，李静坤，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：天津,12