【技术实现步骤摘要】
一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺
本专利技术属于半导体材料加工领域，特别涉及一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺。
技术介绍
锗单晶片是一种重要的半导体材料，大量应用在红外光学器件、核辐射探测器、微电子芯片技术、航空航天太阳能电池衬底等多个领域。湿法化学腐蚀是锗单晶片化学腐蚀加工的主要方法之一，目前常用的H2O2/HF腐蚀工艺是锗单晶片化学腐蚀加工中广泛使用的方法之一，具有去除锗片表面损伤层，释放应力等作用，其缺点是在腐蚀中温度变化较快，腐蚀速率不稳定，腐蚀液成分变化较快，在批量生产过程中难以控制，产品的一致性较差。因此专利技术一种新的腐蚀工艺，要求反应过程中腐蚀液温度平稳、腐蚀速率与溶液成分稳定，提高产品的一致性和稳定性，同时使锗片腐蚀后无腐蚀坑，表面质量好是非常必要的。
技术实现思路
鉴于H2O2/HF腐蚀工艺中存在的问题，本专利技术提供一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺，该工艺中的腐蚀液温度平稳、腐蚀速率与溶液成分稳定，同时锗片腐蚀后表面质量好。为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案是：一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺，其特征在于：将锗单晶片浸入由氢氧化铵、过氧化氢、氢氟酸和去离子水配制而成的腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀时间为3min20s~3min40s，腐蚀温度保持在50℃~53℃；所述腐蚀液中氢氧化铵、过氧化氢、氢氟酸、去离子水的体积比为NH4OH：H2O2：HF：DIW=1：2：3：5。本专利技术所述腐蚀液中的氢氟酸、过氧化氢和氢氧化铵的质量浓度分别为氢氟酸40±1%、过氧化氢30±1%、氢氧化铵25±1%。本专利技术具有的优点和有益效果是：过氧化氢溶液作氧化剂，...
【技术保护点】
一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺，其特征在于：将锗单晶片浸入由氢氧化铵、过氧化氢、氢氟酸和去离子水配制而成的腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀时间为为3min20s~3min40s，腐蚀温度保持在50℃~53℃；所述腐蚀液中氢氧化铵、过氧化氢、氢氟酸、去离子水的体积比为NH4OH：H2O2：HF：DIW=1：2：3：5。
【技术特征摘要】
1.一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺，其特征在于：将锗单晶片浸入由氢氧化铵、过氧化氢、氢氟酸和去离子水配制而成的腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀时间为为3min20s~3min40s，腐蚀温度保持在50℃~53℃；所述腐蚀液中氢氧化铵、过氧化氢、氢氟酸、去离...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕菲，张伟才，常耀辉，王云彪，窦连水，刘洋，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：天津,12
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