晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，能够不使器件的品质降低地执行等离子蚀刻。根据本发明专利技术，提供晶片的加工方法，将由分割预定线划分而在半导体基板的正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件，该器件在正面上层叠有钝化膜，其中，该晶片的加工方法至少包含如下工序：保护膜形成工序，对该晶片的正面包覆液状树脂而形成保护膜；半导体基板露出工序，对分割预定线照射激光光线而将层叠于分割预定线的钝化膜或金属膜去除，使半导体基板沿着分割预定线露出；保护膜去除工序，将该保护膜从该晶片的正面去除；以及分割工序，将覆盖该器件的钝化膜作为遮蔽膜而通过等离子蚀刻对沿分割预定线露出的半导体基板进行分割。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，通过所谓的等离子蚀刻将晶片分割成各个器件。
技术介绍
通过切割装置、激光加工装置等将由分割预定线划分而在半导体基板的正面形成有IC、LSI等多个器件的晶片分割成各个器件，分割得到的各个器件被应用在移动电话、个人计算机等电子设备中。并且，作为能够使器件的抗弯强度提高并且将晶片一次分割成各个器件的生产性良好的分割方法，提出了等离子蚀刻的技术(例如，参照专利文献1。)。专利文献1：日本特开2002-093752号公报根据上述专利文献1所记载的等离子蚀刻的技术，虽然可以期待生产效率较高且分割得到的器件的抗弯强度良好的效果，但在晶片的正面上将用于保护器件的抗蚀膜形成为均匀的厚度是比较困难的，在执行等离子蚀刻时，该抗蚀膜也稍微被蚀刻，所以存在如下问题：当在抗蚀膜较薄的部分进行蚀刻时，器件会局部露出，器件的品质降低。并且，当在分割预定线上层叠了包含TEG(测试元件组)的金属膜的情况下，还存在等离子蚀刻被遮蔽而无法利用等离子蚀刻进行分割的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于，提供晶片的加工方法，能够不使器件的品质降低地本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，将由分割预定线划分而在半导体基板的正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件，该器件在正面上层叠有钝化膜，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：保护膜形成工序，对该晶片的正面包覆液状树脂而形成保护膜；半导体基板露出工序，对分割预定线照射激光光线而将层叠于分割预定线的钝化膜或金属膜去除，使半导体基板沿着分割预定线露出；保护膜去除工序，将该保护膜从该晶片的正面去除；以及分割工序，将覆盖该器件的钝化膜作为遮蔽膜而通过等离子蚀刻对沿着分割预定线露出的半导体基板进行分割。

【技术特征摘要】
2016.07.04 JP 2016-1322281.一种晶片的加工方法，将由分割预定线划分而在半导体基板的正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件，该器件在正面上层叠有钝化膜，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：保护膜形成工序，对该晶片的正面包覆液状树脂而形成保护膜；半导体基板露出工序，对分割预定线照射激光光线而将层叠于分割预定线的钝化膜或金属膜去除，使半导体基板沿着分割预定线露出；保...

【专利技术属性】
技术研发人员：田渕智隆，沟本康隆，吉永晃，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP