AMOLED显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种AMOLED显示面板，包括基板；在所述基板上同一层设置有：遮挡金属部分和阳极；在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上设置有TFT结构，所述TFT结构包括有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；所述漏极与所述阳极电连接；在具有TFT结构的基板上设置有有机发光层和阴极，所述有机发光层位于所述阳极和所述阴极之间且与所述阳极和所述阴极相连。本发明专利技术还提供一种AMOLED显示面板的制备方法。不仅节省工艺时间、降低成本以及提高良品率；而且还可以降低显示面板的高度，从而有利于显示基板的减薄化。

【技术实现步骤摘要】
AMOLED显示面板及其制备方法
本专利技术属于显示器件加工
，具体涉及一种AMOLED显示面板及其制备方法。
技术介绍
由于顶栅结构的氧化物TFT具有较低的寄生电容以及较优良的电学特性，因此，被视为是大尺寸高分辨率的AMOLED显示面板的首选背板技术方案；并且，AMOLED显示面板的顶发光方案被视为未来大尺寸高分辨率等高显示要求的必然发展方向，因此，将顶栅结构的氧化物TFT与顶发光方案相结合，可以制作出更优良的大尺寸AMOLED显示面板，大尺寸AMOLED显示面板不但向着高可靠性、高分辨率、高色域等诸多优点于一身的方向发展。顶栅自对准技术制作出来的TFT常属于共面结构，也就是说氧化物有源层在所有金属(栅极、源漏极)下方，与透明玻璃接近，很容易受到外界光源或者环境光的照射，而氧化物有源层的光照稳定性较差，因此氧化物的顶栅结构又常常需要在下方制作一层金属用来遮光。另外，根据工艺顺序及电学特性的综合考量，广泛采用遮光金属与源漏极金属相连接的方案。目前，较为常规的顶栅结构的氧化物TFT结合顶发光方案的AMOLED显示面板的制备方法如下：S1，在玻璃基板0上制备遮光金属层1、绝缘层2、有源层3、栅绝缘层4、栅极5、源极S和漏极D，漏极D与遮光金属层2相连接，这可以让有源层上下都成为沟道，从而提高氧化物TFT结构的电学稳定性，如图1a所示；S2，在图1a所示结构上形成钝化层6，如图1b所示；S3，在图1b的结构上制备有机膜7，用来实现整个屏幕的平坦化，并且在后续即将开过孔的位置处进行图形化，如图1c所示；S4,进行图形化工艺，将露出的钝化层6上刻蚀出过孔，如图1d所示；S5，在图1d结构上沉积反射阳极层8并图形化，最终如图1e所示；S6，在图1e所示的结构上制作像素界定层9，在预设位置暴露出反射阳极，用于发光的子像素区域，再制备OLED器件(包括阴极10和有机发光层11)，最终如图1f所示。采用上述显示基板的制备方法在实际应用中发现：工艺步骤较多，因此工艺时间、成本较高以及良品率低。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种AMOLED显示面板及其制备方法，不仅节省工艺时间、降低成本以及提高良品率；而且还可以降低显示面板的高度，从而有利于显示基板的减薄化。为解决上述问题之一，本专利技术提供了一种AMOLED显示面板，包括基板；在所述基板上同一层设置有：遮挡金属部分和阳极；在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上设置有TFT结构，所述TFT结构包括有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；所述漏极与所述阳极电连接；在具有TFT结构的基板上设置有有机发光层和阴极，所述有机发光层位于所述阳极和所述阴极之间且与所述阳极和所述阴极相连。优选地，在所述基板上与遮挡金属部分和阳极同一层还设置有：辅助走线；所述阴极与所述辅助走线相连。优选地，与源极和漏极同层设置有连接部；所述连接部用于连接所述辅助走线和所述阴极。优选地，所述漏极与所述遮挡金属部分相连。优选地，在具有所述遮挡金属部分的基板上设置有一层具有过孔第一绝缘层；在所述第一绝缘层上且与所述遮挡金属部分对应位置处由下至上依次层叠设置有所述有源层、所述栅绝缘层和所述栅极；在具有所述栅极的基板上设置一层具有过孔的第二绝缘层；在具有所述第二绝缘层的基板上同层设置所述源极和所述漏极；在具有源极和漏极的基板上设置一层具有过孔的第三绝缘层；在具有所述第三绝缘层的基板上设置所述有机发光层和所述阴极；所述过孔作为连接通道。作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种AMOLED显示面板的制备方法，包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上且同一层制备遮挡金属部分和阳极；在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上制备TFT结构，所述TFT结构包括有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极，所述漏极与所述阳极电连接；在具有TFT结构的基板上制备有机发光层和阴极，所述有机发光层位于所述阳极和所述阴极之间且与所述阳极和所述阴极相连。优选地，所述在所述基板上且同一层制备遮挡金属部分和阳极的步骤，还包括：制备辅助走线；所述在具有源极和漏极的结构上形成有机发光层和阴极的步骤中，还包括：所述阴极与所述辅助走线相连。优选地，所述在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上制备TFT结构的步骤，包括：与所述源极、所述漏极同层制备连接部，所述连接部与所述辅助走线相连；所述在具有源极和漏极的结构上形成有机发光层和阴极的步骤中，还包括：所述阴极与所述连接部相连。优选地，所述在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上制备TFT结构的步骤，还包括：所述漏极与所述遮挡金属部分相连。优选地，所述在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上制备TFT结构的步骤，包括：在具有所述遮挡金属部分的基板上制备一层第一绝缘层；在所述第一绝缘层上制备由上至下依次层叠的所述有源层、所述栅绝缘层和所述栅极；在具有所述栅极的基板上制备一层第二绝缘层；采用一次构图工艺使所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上形成用于作为连接通道的过孔；在具有所述第二绝缘层的基板上同层制备所述源极和所述漏极；所述在具有TFT结构的基板上制备有机发光层和阴极的步骤，包括：在具有源极和漏极的基板上设置一层第三绝缘层；采用一次构图工艺使所述第三绝缘层上形成用于作为连接通道的过孔；在具有所述第三绝缘层的基板上制备所述有机发光层和所述阴极。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术中，由于在基板上且同一层制备遮挡金属部分和阳极，因此，可以采用一次构图工艺形成遮挡金属部分和阳极，这与现有技术中先采用一次构图工艺形成遮挡金属部分再采用一次构图工艺形成阳极且二者层叠设置相比，不仅可以简化工艺步骤，从而节省工艺时间、降低成本以及提高良品率；而且还可以降低显示面板的高度，从而有利于显示基板的减薄化。附图说明图1a～图1f为现有技术中制备AMOLED显示面板的多个步骤完成后的状态图；图2a～图2h为本专利技术实施例提供的AMOLED显示面板的制备方法的多个步骤完成后的状态图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的AMOLED显示面板及其制备方法进行详细描述。实施例1本专利技术实施例提供一种AMOLED显示面板的制备方法，包括以下步骤：S1，提供一基板。其中，该基板优选地但不限于透明基板。S2，在基板上且同一层制备遮挡金属部分和阳极。其中，该遮挡金属部分用于作为遮挡外界的光信号透过基板照射有源层；阳极作为OLED发光器件的一个电极。S3，在具有遮挡金属部分和阳极的基板上制备TFT结构，TFT结构包括有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极，漏极与阳极电连接。在本实施例中，TFT结构为顶栅结构，当然，本专利技术中TFT结构还可以底栅结构；栅绝缘层位于栅极和有源层之间；源极和漏极分别与有源层相连；有源层可以为但不限于诸如IGZO等的金属氧化物。S4，在具有TFT结构的基板上制备有机发光层和阴极，有机发光层位于阳极和阴极之间且与阳极和阴极相连。其中，阳极、阴极以及二者之间的有机发光层组成为OLED发光器件。本专利技术实施例提供的OLED显示面板的制备方法，由于在基板上且同一层制备遮挡金属部分和阳极，因此，可以采用一次构图工艺形成遮挡金属部分和阳极，这与现有技术中先采用一次构图工艺形成遮挡金属部分再采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AMOLED显示面板，其特征在于，包括基板；在所述基板上同一层设置有：遮挡金属部分和阳极；在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上设置有TFT结构，所述TFT结构包括有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；所述漏极与所述阳极电连接；在具有TFT结构的基板上设置有有机发光层和阴极，所述有机发光层位于所述阳极和所述阴极之间且与所述阳极和所述阴极相连。

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED显示面板，其特征在于，包括基板；在所述基板上同一层设置有：遮挡金属部分和阳极；在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上设置有TFT结构，所述TFT结构包括有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极；所述漏极与所述阳极电连接；在具有TFT结构的基板上设置有有机发光层和阴极，所述有机发光层位于所述阳极和所述阴极之间且与所述阳极和所述阴极相连。2.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板，其特征在于，在所述基板上与遮挡金属部分和阳极同一层还设置有：辅助走线；所述阴极与所述辅助走线相连。3.根据权利要求2所述的AMOLED显示面板，其特征在于，与源极和漏极同层设置有连接部；所述连接部用于连接所述辅助走线和所述阴极。4.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板，其特征在于，所述漏极与所述遮挡金属部分相连。5.根据权利要求1-4任意一项所述的AMOLED显示面板，其特征在于，在具有所述遮挡金属部分的基板上设置有一层具有过孔第一绝缘层；在所述第一绝缘层上且与所述遮挡金属部分对应位置处由下至上依次层叠设置有所述有源层、所述栅绝缘层和所述栅极；在具有所述栅极的基板上设置一层具有过孔的第二绝缘层；在具有所述第二绝缘层的基板上同层设置所述源极和所述漏极；在具有源极和漏极的基板上设置一层具有过孔的第三绝缘层；在具有所述第三绝缘层的基板上设置所述有机发光层和所述阴极；所述过孔作为连接通道。6.一种AMOLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上且同一层制备遮挡金属部分和阳极；在具有所述遮挡金属部分和阳极的基板上制备TFT结构，所述TFT结构包括有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极，所述漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘威，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11