一种小芯片的吸取装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种小芯片的吸取装置，包括吸取平台和顶针；所述吸取平台上设有若干个真空孔，用于吸附芯片；所述吸取平台的中部开有回型真空槽，且回型真空槽的内外边界的形状均为正方形，上述外边界的面积比芯片大，内边界的面积比芯片小；所述回型真空槽内还设有顶针，用于将芯片顶起；所述内边界的面积为芯片的1/2，本实用新型专利技术利用回型真空槽使得芯片和芯片承载膜之间实现了预脱离，芯片与芯片承载膜的接触面积减小从而粘性降低，再利用顶针将芯片快速便捷的顶起，可以有效提高芯片与其承载膜的脱离效率，提高单位时间的产生效率同时提高芯片的贴装精度，减少芯片角落的破损率。

【技术实现步骤摘要】
一种小芯片的吸取装置
本技术涉及一种吸取装置，尤其涉及一种用于对小芯片的吸取装置。
技术介绍
在半导体行业中，需要将芯片上的芯片承载膜取下后，再对芯片进行后续的加工操作；现有的小芯片的吸取方式大多采用如下的方式：吸取平台固定不动，使用真空把芯片的承载膜固定在吸取平台，使用顶针把芯片顶出以实现，芯片与膜的脱离，但是在实际的操作中发现，在芯片顶出的过程中由于芯片与膜的之间有膜的粘力影响，很难脱离，仅管有的采用了更小的顶针锥度和更强的真空，但是这样会导致芯片收到更大的外力致芯片破裂，速度也无法提升，从而给实际的操作带来了诸多不便。
技术实现思路
本技术目的是为了克服现有技术的不足而提供一种结构简单，芯片和芯片承载膜易分离，且吸取速度快的小芯片的吸取装置。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种小芯片的吸取装置，包括吸取平台和顶针；所述吸取平台上设有若干个真空孔，用于吸附芯片；所述吸取平台的中部开有回型真空槽，且回型真空槽的内外边界的形状均为正方形，上述外边界的面积比芯片大，内边界的面积比芯片小；所述回型真空槽内还设有顶针，用于将芯片顶起。优选的，所述内边界的面积为芯片的1/2。优选的，所述顶针本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小芯片的吸取装置，其特征在于：包括吸取平台和顶针；所述吸取平台上设有若干个真空孔，用于吸附芯片；所述吸取平台的中部开有回型真空槽，且回型真空槽的内外边界的形状均为正方形，上述外边界的面积比芯片大，内边界的面积比芯片小；所述回型真空槽内还设有顶针，用于将芯片顶起。

【技术特征摘要】
1.一种小芯片的吸取装置，其特征在于：包括吸取平台和顶针；所述吸取平台上设有若干个真空孔，用于吸附芯片；所述吸取平台的中部开有回型真空槽，且回型真空槽的内外边界的形状均为正方形，上述外边界的面积比芯片大，内边界的面积比芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：李峰，
申请(专利权)人：太极半导体苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32