The invention discloses a silicon wafer cleaning fluid formulation, which is made from raw materials of the following weight: citric acid, 1~3 parts, twelve alkylbenzene sulfonate, 15~25 parts, 6~10 ethanol, 3~5 triethanolamine, 1~3 hydrogen peroxide, and the rest is water. The formula of the silicon wafer cleaning liquid is simple and easy to operate, and has the characteristics of strong decontamination and good cleaning effect.
【技术实现步骤摘要】
一种硅片清洗液配方
本专利技术涉及光伏领域，尤其涉及一种硅片清洗液配方。
技术介绍
随着社会的发展，能源危机日益严重的今天，开发利用新能源已经越来越受到人们的关注，太阳能由于其无污染、可再生、无地域性等优点，越来越受到人们的青睐，太阳能产业的发展越来越快。而伴随着太阳能光伏产业的成熟，硅片的使用也越来越多。清洗最为硅片的生产工序之一，其清洗的干净与否对硅片的使用性能有着很大的影响。清洗的主要目的是为了清洗掉切割过程中产生的沙粒，残留的切削磨料、金属离子及指纹等，使硅片表面达到无腐蚀、无氧化、无残留等技术指标。现有市场上采用的硅片清洗液存在清洗效果差的问题，由此，急需解决。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对上述问题，提供一种硅片清洗液配方，以解决现有硅片清洗液清洗效果差的问题。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现：一种硅片清洗液配方，由以下重量份数的原料制成：柠檬酸1～3份，十二烷基苯磺酸钠15～25份，乙醇6～10份，三乙醇胺3～5份，双氧水1～3份，其余为水。作为本专利技术的一种优选方案，柠檬酸12份，十二烷基苯磺酸钠20份，乙醇8份，三乙醇胺4份，双氧水2份，其余为水。作为本专利技术的一种优选方案，所述水为去离子水。本专利技术的有益效果为，所述一种硅片清洗液配方简单易操作，具有去污力强、清洗效果好的特点。具体实施方式下面通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。可以理解的是，此处所描述的实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。实施例1于本实施例中，一种硅片清洗液配方，由以下重量份数的原料制成：柠檬酸1份，十二烷基苯磺酸钠15...
【技术保护点】
一种硅片清洗液配方，其特征在于：由以下重量份数的原料制成：柠檬酸1～3份，十二烷基苯磺酸钠15～25份，乙醇6～10份，三乙醇胺3～5份，双氧水1～3份，其余为水。
【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗液配方，其特征在于：由以下重量份数的原料制成：柠檬酸1～3份，十二烷基苯磺酸钠15～25份，乙醇6～10份，三乙醇胺3～5份，双氧水1～3份，其余为水。2.根据权利要求1所述的...
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