横向布置的多腔室石墨烯连续生长设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种便于对石墨烯生长薄膜张力进行检测的横向布置的多腔室石墨烯连续生长设备。该石墨烯连续生长设备，包括用于放料冷却腔和收料冷却腔抽真空的真空泵、放料冷却腔、收料冷却腔以及均横向布置的第一高温工艺腔、第二高温工艺腔和过渡腔；过渡腔内设置有张力检测装置；所述第一高温工艺腔的两端和第二高温工艺腔的两端均设置有匀流隔热装置；第一高温工艺腔和第二高温工艺腔上均设置有加热器；石墨烯生长基底放料辊上放料石墨烯生长基底依次经过放料冷却区导向辊、第一高温工艺腔、过渡腔、第二高温工艺腔、收料冷却腔导向辊最终卷收到石墨烯基底收料辊上。采用该多腔室石墨烯连续生长设备能够保证石墨烯薄膜最终品质，提高生产效率。

Multi chamber graphene continuous growth equipment with transverse arrangement

The utility model discloses a horizontal arrangement of multi chamber graphene continuous growth equipment which is convenient to detect the tension of graphene growth film. The continuous growth of graphene devices, including for feeding and discharging cavity cooling cooling cavity of the vacuum pump and discharge cooling chamber and discharging cooling cavity and are transversely arranged the first high-temperature process chamber, second high temperature process chamber and transition cavity; the tension detection device, set the transition cavity; both ends of the first the high temperature process chamber at both ends and second high temperature process chamber are provided with uniform flow heat insulation device; the first high temperature processing chamber and second high temperature process chamber are arranged on the heater; the graphene substrate feeding roller feeding graphene growth substrate passes through the discharge cooling zone guide roller, the first high temperature cavity, cavity transition process second, high temperature process chamber and discharging cooling cavity of guide roller received the final volume of graphene substrate material receiving roller. The continuous growth equipment of the multi chamber graphene can guarantee the final quality of the graphene film and improve the production efficiency.

【技术实现步骤摘要】
横向布置的多腔室石墨烯连续生长设备
本技术涉及一种石墨烯的生长设备，尤其是一种横向布置的多腔室石墨烯连续生长设备。
技术介绍
众所周知的：石墨烯虽然只有一个碳原子层厚,但由于其自身结构特性使其表现出诸多世界之最，如最薄、最轻、最坚韧、电阻率最小等，石墨烯被称为材料界的“黑金”，21世纪“新材料之王”。石墨烯薄膜的规模化制备，经过近几年的广泛研究，化学气相沉积法是规模化制备石墨烯薄膜最有前景的方法之一。CVD法制备高质量的石墨烯薄膜是在1000度左右的真空条件下将碳源加热分解成活性碳基团，然后Cu、Ni等过渡金属衬底上进一步分解生成石墨烯。然而，快速、连续规模化制备大面积、高质量石墨烯薄膜的方法一直没有取得大的突破，极大的限制了石墨烯制备效率和产量，阻碍了石墨烯薄膜产业快速发展的步伐。卷对卷生长石墨烯是一个动态生长过程，与片式静态生长有着本质上的区别。对于片材间歇式生长高质量的石墨烯通常是将石墨烯生长基底在其熔点附近进行长时间高退火，使多晶生长基底再次结晶，增加生长基底晶畴面积，有利于制备高质量的石墨烯薄膜。近几年虽然已有专利开始研究卷对卷制备石墨烯设备及工艺，但因为只设置一个高温工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
横向布置的多腔室石墨烯连续生长设备，包括放料冷却腔(1)、收料冷却腔(4)以及用于所述放料冷却腔(1)和收料冷却腔(4)抽真空的真空泵(7)；所述放料冷却腔(1)内设置有石墨烯生长基底放料辊(11)和放料冷却区导向辊(12)，所述收料冷却腔(4)内设置有石墨烯基底收料辊(41)以及收料冷却腔导向辊(42)；其特征在于：还包括第一高温工艺腔(2)、第二高温工艺腔(3)以及过渡腔(5)；所述第一高温工艺腔(2)的两端和第二高温工艺腔(3)的两端均设置有匀流隔热装置(9)；所述第一高温工艺腔(2)和第二高温工艺腔(3)上均设置有加热器(10)；所述第一高温工艺腔(2)、过渡腔(5)以及第二高温工艺腔...

【技术特征摘要】
1.横向布置的多腔室石墨烯连续生长设备，包括放料冷却腔(1)、收料冷却腔(4)以及用于所述放料冷却腔(1)和收料冷却腔(4)抽真空的真空泵(7)；所述放料冷却腔(1)内设置有石墨烯生长基底放料辊(11)和放料冷却区导向辊(12)，所述收料冷却腔(4)内设置有石墨烯基底收料辊(41)以及收料冷却腔导向辊(42)；其特征在于：还包括第一高温工艺腔(2)、第二高温工艺腔(3)以及过渡腔(5)；所述第一高温工艺腔(2)的两端和第二高温工艺腔(3)的两端均设置有匀流隔热装置(9)；所述第一高温工艺腔(2)和第二高温工艺腔(3)上均设置有加热器(10)；所述第一高温工艺腔(2)、过渡腔(5)以及第二高温工艺腔(3)均横向布置，所述过渡腔(5)内设置有检测石墨烯生长基底(6)张力的张力检测装置(51)；所述第一高温工艺腔(2)一端与放料冷却腔(1)连接且连通，另一端与过渡腔(5)连接且连通，所述第二高温工艺腔(3)一端与过渡腔(5)连接且连通，另一端与收料冷却腔(4)连接且连通；石墨烯生长基底放料辊(11)上放料石墨烯生长基底(6)依次经过放料冷却区导向辊(12)、第一高温工艺腔(2)、过渡腔(5)、第二高温工艺腔(3)、收料冷却腔导向辊(42)最终卷收到石墨烯基底收料辊(41)上。2.如权利要求1所述的横向布置的多腔室石墨烯连续生长设备，其特征在于：所述收料冷却腔导向辊(42)采用水冷导向辊。3.如权利要求1所述的横向布置的多腔室石墨烯连续生长设备，其特征在于：第一高温工...

【专利技术属性】
技术研发人员：李占成，伍俊，史浩飞，李昕，黄德萍，段银武，张永娜，余杰，
申请(专利权)人：重庆墨希科技有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆,50