内容地址存储单元电路及其写操作方法、存储器技术

本发明专利技术提供了一种内容地址存储单元电路及其写操作方法、存储器，包括第一晶体管、第二晶体管、第一忆阻器、第二忆阻器、写信号线、输入线、第一数据线和第二数据线的电路结构。其中，所述第一晶体管、所述第一忆阻器和所述第二忆阻器串联设置在所述第一数据线和所述输入线之间；其中，所述第一忆阻器与所述第二忆阻器之间的连接点为第一连接点；所述第二晶体管的一端与所述第一连接点连接，另一端与所述第二数据线连接；所述写信号线分别与所述第一晶体管的控制端和所述第二晶体管的控制端连接。采用这样的电路结构，从而简化了内容存储单元电路的结构，减小了内容地址存储单元电路中的器件数量，进而降低了写操作过程的时间，提高写操作效率。

【技术实现步骤摘要】
内容地址存储单元电路及其写操作方法、存储器
本专利技术涉及电子电路技术，尤其涉及一种内容地址存储单元电路及其写操作方法、存储器。
技术介绍
随着科技的发展，信息呈现爆炸式增长，为了完成对海量信息的存储与快速读写，要求存储器必须密度更大、体积更小、速度更快。内容地址存储器(ContentAddressableMemory，CAM)是一种基于RAM(RandomAccessMemory，随机存取存储器)技术的存储器，具有快速检索的功能，可用于高速缓存、表查找以及网络地址过滤。忆阻器(Memristor，记忆电阻)被称为第四代基本无源电子元器件，作为纳米级电子器件，具有尺寸小、功耗低、读写速度快等特点。为了能够进一步地提升内容地址存储器的性能，MCAM(Memristor-CAM，忆阻器-内容地址存储器)有望成为未来存储技术发展的方向。图1为现有技术中的内容地址存储单元电路的结构示意图，如图1所示，其一般包括M1至M7共七个晶体管、ME1和ME2两个忆阻器以及若干信号线，能够实现写入的功能。但是，现有的组成存储器的内容地址存储单元电路中的器件数量较多，其写操作的用时较长，写操作效率较低。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内容地址存储单元电路，其特征在于，包括：第一晶体管、第二晶体管、第一忆阻器、第二忆阻器、写信号线、输入线、第一数据线和第二数据线；所述第一晶体管、所述第一忆阻器和所述第二忆阻器串联设置在所述第一数据线和所述输入线之间；其中，所述第一忆阻器与所述第二忆阻器之间的连接点为第一连接点；所述第二晶体管的一端与所述第一连接点连接，另一端与所述第二数据线连接；所述写信号线分别与所述第一晶体管的控制端和所述第二晶体管的控制端连接。

【技术特征摘要】
1.一种内容地址存储单元电路，其特征在于，包括：第一晶体管、第二晶体管、第一忆阻器、第二忆阻器、写信号线、输入线、第一数据线和第二数据线；所述第一晶体管、所述第一忆阻器和所述第二忆阻器串联设置在所述第一数据线和所述输入线之间；其中，所述第一忆阻器与所述第二忆阻器之间的连接点为第一连接点；所述第二晶体管的一端与所述第一连接点连接，另一端与所述第二数据线连接；所述写信号线分别与所述第一晶体管的控制端和所述第二晶体管的控制端连接。2.根据权利要求1所述的内容地址存储单元电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为N型晶体管。3.根据权利要求1所述的内容地址存储单元电路，其特征在于，所述第一忆阻器与所述第一晶体管之间的连接点为第二连接点；所述内容地址存储单元电路还包括：查询单元和匹配线；所述查询单元分别与所述匹配线、地线、所述第一数据线、所述第二数据线、所述第一连接点和所述第二连接点连接；所述查询单元用于检测所述第一忆阻器和所述第二忆阻器的逻辑状态。4.根据权利要求3所述的内容地址存储单元电路，其特征在于，所述查询单元包括：第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管；其中，所述第三晶体管、第五晶体管和第六晶体管均为N型晶体管，所述第四晶体管为P型晶体管；所述第三晶体管和所述第四晶体管串联设置在所述匹配线与所述地线之间，所述第三晶体管的控制端与所述第一数据线连接，所述第四晶体管的控制端与所述第二连接点连接；所述第五晶体管与所述第六晶体管串联设置在所述匹配线与所述地线之间，所述第五晶体管的控制端与所述第二数据线连接，所述第六晶体管的控制端与所述第一连接点连接。5.根据权利要求3所述的内容地址存储单元电路，其特征在于，所述查询单元包括：第三晶体管、第四晶体管、非门、第五晶体管和第六晶体管；其中，所述第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓霞，魏进武，
申请(专利权)人：中国联合网络通信集团有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11