透光性导电膜、及经退火处理的透光性导电膜的制造方法技术

本发明专利技术提供一种即使在短时间内进行退火处理，也能够降低电阻值的透光性导电膜。本发明专利技术的透光性导电膜具备具有透光性及导电性的导电层、和配置于所述导电层的一个表面侧的基材，所述导电层为铟锡氧化物的非晶质层，所述导电层中的In原子和Sn原子的合计的含量100重量％中，Sn原子的含量为7重量％以上，所述导电层的载流子密度为4×10

The manufacturing method of translucent conductive film and translucent conductive film treated by annealing

The present invention provides a transparent conductive film that can also reduce the resistance value even in a short time. The substrate transparent conductive film of the present invention includes a conductive layer, and configured with transparency and conductivity of the surface on a side of the conductive layer, the conductive layer of indium tin oxide amorphous layer, the conductive layer in the In and Sn atoms of the total content of 100 wt% in the content of Sn atoms is 7 wt%, the carrier density of the conductive layer is 4 * 10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透光性导电膜、及经退火处理的透光性导电膜的制造方法
本专利技术涉及一种具有透光性及导电性的透光性导电膜。另外，本专利技术涉及一种包括对上述透光性导电膜进行退火处理的工序的经退火处理的透光性导电膜的制造方法。
技术介绍
近年来，在智能手机、手机、笔记本电脑、平板PC、复印机或汽车导航等电子设备中广泛使用触摸面板式的液晶显示装置。在这种液晶显示装置中，使用在基材上叠层有透明导电层的透光性导电膜。下述的专利文献1中公开有一种依次叠层有透明的膜基材、透明的SiOx(x＝1.0～2.0)薄膜和透明的导电性薄膜而形成的透明导电膜。上述透明的导电性薄膜由铟-锡复合氧化物形成。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-19239号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题上述透明导电层通常通过对透光性导电膜整体进行退火处理，从而提高结晶性而使用。目前，需要长时间进行该退火处理，因此，存在透明导电膜的制造效率变差，透明导电膜的成本升高的问题。另一方面，缩短退火处理的时间时，电阻值不易充分地变低。本专利技术的目的在于，提供一种透光性导电膜，其即使在短时间内进行退火处理，也能够降低电阻值。另外，本专利技术在于，提供一种使用上述透光性导电膜的经退火处理的透光性导电膜的制造方法。用于解决技术问题的技术方案根据本专利技术的宽广方面，提供一种透光性导电膜，其具备：具有透光性及导电性的导电层、和配置于所述导电层的一个表面侧的基材，所述导电层为铟-锡氧化物的非晶体层，所述导电层中的In原子和Sn原子的总计含量100重量％中，Sn原子的含量为7重量％以上，所述导电层的载流子密度为4×1020/cm3以上、6×1020/cm3以下，所述导电层的霍尔迁移率为20cm2/V·s以上、28cm2/V·s以下。在本专利技术的透光性导电膜的某种特定方面，在150℃下加热10分钟后的所述导电层的载流子密度为7.0×1020/cm3以上、2.0×1021/cm3以下，在150℃下加热10分钟后，所述导电层的霍尔迁移率为20cm2/V·s以上、30cm2/V·s以下。在本专利技术的透光性导电膜的某种特定的方面，所述导电层的厚度为16nm以上、19.9nm以下。根据本专利技术的宽广方面，提供一种经退火处理的透光性导电膜的制造方法，其包括对上述的透光性导电膜进行退火处理的工序。专利技术的效果本专利技术的透光性导电膜具备具有透光性及导电性的导电层和配置于上述导电层的一个表面侧的基材，上述导电层为铟-锡氧化物的非晶体层，上述导电层中的In原子和Sn原子的总计含量100重量％中，Sn原子的含量为7重量％以上，上述导电层的载流子密度为4×1020/cm3以上、6×1020/cm3以下，上述导电层的霍尔迁移率为20cm2/V·s以上、28cm2/V·s以下，因此，即使在短时间内进行退火处理，也能够降低电阻值。附图说明图1是表示本专利技术的第1实施方式的透光性导电膜的剖面图；图2是表示本专利技术的第2实施方式的透光性导电膜的剖面图；图3是表示本专利技术的第1实施方式的透光性导电膜进行了退火处理的透光性导电膜的剖面图。标记说明1、1A…透光性导电膜1X…经退火处理的透光性导电膜2、2A…基材2a…第1表面2b…第2表面3…导电层3X…图案状的导电层4…保护膜11…基材膜12…第1硬涂层13…第2硬涂层14…底涂层具体实施方式以下，说明本专利技术的详细。本专利技术的透光性导电膜具备导电层和基材。上述导电层具有透光性及导电性。上述基材配置于上述导电层的一个表面侧。本专利技术的透光性导电膜中，上述导电层为铟-锡氧化物的非晶体层。本专利技术的透光性导电膜中，上述导电层中的In原子和Sn原子的总计含量100重量％中，Sn原子的含量为7重量％以上。就本专利技术的透光性导电膜而言，上述导电层的载流子密度为4×1020/cm3以上、6×1020/cm3以下。就本专利技术的透光性导电膜而言，上述导电层的霍尔迁移率为20cm2/V·s以上、28cm2/V·s以下。在本专利技术中，由于具备上述的结构，因此，即使在短时间内进行退火处理，也能够降低电阻值。本专利技术的专利技术人进行了退火处理前的透光性导电膜自身具备能够使退火处理后的透光性导电膜的电阻值降低的性质的研究。本专利技术人等的研究的结果发现：在退火处理前的透光性导电膜中，只要上述导电层满足上述技术方案，则即使在短时间内进行退火处理，也能够降低电阻值。另外，本专利技术人等的研究的结果发现：即使在短时间内进行退火处理，为了得到电阻值低的经退火处理的透光性导电膜，在退火处理前的透光性导电膜中，上述导电层只要满足上述的结构即可。需要说明的是，就本专利技术的透光性导电膜而言，可以用于进行长时间退火处理而得到长时间退火处理的透光性导电膜。如果进行长时间退火处理，则可以更进一步降低电阻值。从更进一步降低电阻值的观点出发，退火处理前的上述导电层的载流子密度优选为4.5×1020/cm3以上，优选为5.5×1020/cm3以下。从更进一步降低电阻值的观点出发，退火处理前的上述导电层的霍尔迁移率优选为22cm2/V·s以上，优选为26cm2/V·s以下。上述基材优选含有基材膜，优选含有硬涂层，优选含有底涂层。本专利技术的透光性导电膜优选具备保护膜，在上述基材的第1表面上配置有上述导电层，在上述基材的与上述第1表面相反的第2表面上配置有上述保护膜。另外，本专利技术的透光性导电膜可以使经退火处理的透光性导电膜的电阻值降低，因此，将经退火处理的透光性导电膜用于液晶显示装置的情况下，可以提高显示品质。因此，经退火处理的透光性导电膜可以优选用于液晶显示装置，可以更优选用于触摸面板。从稳定地实现较低电阻值的观点出发，退火处理(在150℃下30分钟加热)后的导电层的载流子密度优选为7.0×1020/cm3以上，优选为2.0×1021/cm3以下。从稳定地实现较低电阻值的观点出发，退火处理(在150℃下30分钟加热)后的导电层的霍尔迁移率优选为20cm2/V·s以上，优选为30cm2/V·s以下。以下，一边参照附图，一边说明本专利技术的具体的实施方式。图1是表示本专利技术的第1实施方式的透光性导电膜的剖面图。图1所示的透光性导电膜1为退火处理前的透光性导电膜。透光性导电膜1具备基材2、导电层3及保护膜4。基材2具有第1表面2a及第2表面2b。第1表面2a和第2表面2b相互对置。在基材2的第1表面2a上叠层有导电层3。第1表面2a为导电层3进行叠层一侧的表面。基材2为配置于导电层3和保护膜4之间的部件，是导电层3的支撑部件。本实施方式中，导电层3为铟-锡氧化物的非晶体层，导电层3中的In原子和Sn原子的总计含量100重量％中，Sn原子的含量为7重量％以上，导电层3的载流子密度为4×1020/cm3以上、6×1020/cm3以下，导电层3的霍尔迁移率为20cm2/V·s以上、28cm2/V·s以下。在退火处理前的透光性导电膜中，导电层可以部分地设置，也可以为图案状的导电层。在基材2的第2表面2b上叠层有保护膜4。第2表面2b为保护膜4进行叠层一侧的表面。通过设置保护膜4，可以保护基材2的第2表面2b。基材2具有基材膜11、第1硬涂层12及第2硬涂层13及底涂层14。基材膜11由透光性高的材料构成。在基材膜11的导电层3侧的表面上依次叠层有第2硬涂层13及底涂层14。底涂层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透光性导电膜，其具备：具有透光性及导电性的导电层、和配置于所述导电层的一个表面侧的基材，所述导电层为铟‑锡氧化物的非晶体层，所述导电层中的In原子和Sn原子的总计含量100重量％中，Sn原子的含量为7重量％以上，所述导电层的载流子密度为4×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.30 JP 2015-1954141.一种透光性导电膜，其具备：具有透光性及导电性的导电层、和配置于所述导电层的一个表面侧的基材，所述导电层为铟-锡氧化物的非晶体层，所述导电层中的In原子和Sn原子的总计含量100重量％中，Sn原子的含量为7重量％以上，所述导电层的载流子密度为4×1020/cm3以上、6×1020/cm3以下，所述导电层的霍尔迁移率为20cm2/V·s以上、28cm2/V·s以下...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山健史，增泽健二，村上淳之介，福田崇志，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP