发光化合物制造技术

一种式(I)的磷光化合物：其中M是过渡金属；L是配体；R

Luminescent compound

A phosphor compound of formula (I) in which M is a transition metal; L is a ligand; R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光化合物专利
本专利技术涉及发光化合物，特别是磷光发光化合物；包含所述发光化合物的组合物、溶液和发光器件；以及制造所述发光器件的方法。专利技术背景对于在器件例如有机发光二极管(OLED)、有机光响应器件(特别是有机光伏器件和有机光传感器)、有机晶体管和存储器阵列器件中的应用，含有活性有机材料的电子器件正引起越来越多的关注。含有活性有机材料的器件提供诸如低重量、低功率消耗和柔性的益处。此外，可溶有机材料的使用允许在器件制造中利用溶液加工，例如喷墨印刷或旋涂。OLED可以包含带有阳极的基底、阴极以及介于阳极和阴极之间的一个或多个有机发光层。在器件工作期间空穴通过阳极被注入器件而电子通过阴极被注入器件。发光材料的最高已占分子轨道(HOMO)中的空穴和最低未占分子轨道(LUMO)中的电子结合从而形成激子，所述激子以光的形式释放其能量。合适的发光材料包括小分子材料、聚合物材料和树枝状材料。合适的发光聚合物包括聚(亚芳基亚乙烯基)如聚(对亚苯基亚乙烯基)以及聚亚芳基例如聚芴。发光层可以包含半导电主体材料和发光掺杂剂，其中能量从主体材料转移至发光掺杂剂。例如，J.Appl.Phys.65,3610,1989公开了用荧光发光掺杂剂掺杂的主体材料(即，其中通过单重态激子的衰变而发出光的发光材料)。磷光掺杂剂也是已知的(即，其中通过三重态激子的衰变而发出光的发光掺杂剂)。WO2011/052516、WO2014/085296、US2013/221278和JP2011/253980公开了含有苯基三唑配体的磷光材料。本专利技术的目的是提供适用于OLED的蓝色磷光发光化合物。本专利技术的另一目的是提供适用于OLED的可溶液加工的蓝色磷光发光化合物。本专利技术的另一目的是提供当用于OLED中时具有长使用寿命的磷光发光化合物。专利技术概述在第一方面，本专利技术提供式(I)的磷光化合物：其中：M是过渡金属；L在每次出现时独立地是单齿配体或多齿配体；R1在每次出现时独立地为支化C3-20烷基、环状C5-20烷基或式(II)的基团：其中每个R5独立地是C1-10烷基；每个R6独立地是取代基；z为0或正整数；以及*是式(II)基团的连接点；R2在每次出现时独立地为直链、支化或环状的C1-10烷基；R3在每次出现时独立地为直链、支化或环状的C1-10烷基或式-(Ar1)p的基团，其中Ar1在每次出现时独立地为芳基或杂芳基，并且p为至少1；每个R4独立地是取代基；v为至少1；w为0或正整数；x为至少1；和y为0或正整数。在第二方面，本专利技术提供包含主体材料和根据第一方面的化合物的组合物。在第三方面，本专利技术提供包含溶解在一种或多种溶剂中的根据第一方面或第二方面的化合物或组合物的溶液。在第四方面，本专利技术提供一种有机发光器件，其包含阳极、阴极、以及介于阳极和阴极之间的发光层，其中该发光层包含根据第一方面或第二方面的化合物或组合物。在第五方面，本专利技术提供一种形成根据第四方面的有机发光器件的方法，所述方法包括以下步骤：在阳极和阴极之一上方沉积所述发光层，以及在所述发光层上方沉积阳极和阴极中的另一个。附图说明现在将参考附图更详细地描述本专利技术，其中：图1说明了根据本专利技术实施方案的OLED；图2是根据本专利技术实施方案的白色OLED和比较性白色OLED的亮度相对于时间的坐标图；图3是含有根据本专利技术实施方案的材料的OLED的亮度相对于时间的坐标图；和图4是含有根据本专利技术实施方案的材料的OLED以及含有比较材料的OLED的亮度相对于时间的坐标图。专利技术详述未按任何比例绘制的图1示意说明了根据本专利技术实施方案的OLED100。该OLED100支承在基底107上并且包含阳极101、阴极105以及介于阳极和阴极之间的发光层103。可在阳极和阴极之间提供一个或多个其它层(未示出)，包括但不限于空穴传输层、电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、空穴注入层和电子注入层。包括一个或多个其它层的示例性OLED结构包括以下:阳极/空穴注入层/发光层/阴极阳极/空穴传输层/发光层/阴极阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/阴极阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/阴极。优选地，存在空穴传输层、空穴注入层、空穴阻挡层和电子传输层中的至少一个。优选地，存在空穴注入层和空穴传输层两者。发光层103可以含有主体材料和式(I)的磷光化合物。主体材料可以使从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子结合从而形成单重态和三重态激子。三重态激子至少可转移到式(I)的磷光化合物，以及衰变从而产生磷光。该器件可以含有多于一个发光层。所述发光层可以含有式(I)的磷光化合物以及一种或多种其它发光化合物，例如具有不同于式(I)化合物的发光颜色的其它磷光或荧光发光材料。任选地，该器件包含空穴传输层以及提供在空穴传输层和含有式(I)的磷光化合物的发光层之一或两者中的其它发光材料。当使用该器件时，从式(I)化合物和其它发光化合物的发射可产生白光。任选地，包含式(I)化合物的发光层基本上由式(I)化合物、一种或多种主体材料以及任选的一种或多种其它发光化合物组成。优选地，由主体和式(I)化合物组成的组合物发射的光基本上全部来自所述式(I)化合物。磷光化合物式(I)的磷光化合物的金属M可以是任何合适的过渡金属，例如第二行或第三行的d区元素(分别是周期表第5周期和第6周期)的过渡金属。示例性的金属包括钌、铑、钯、银、钨、铼、锇、铱、铂和金。优选地，M是铱。式(I)化合物含有至少一个下式的配体：式(I)化合物的所有配体可以具有该式，在这种情形中不存在其它配体L(y为0)。在y为0的情形中，x优选为3。在其它实施方案中，y可以是1或2，并且x可以是1或2。示例性的配体L是二齿配体并且包括但不限于：O,O环金属化配体，任选为二酮化物，任选为acac；N,O环金属化配体，任选为吡啶甲酸酯；和N,N环金属化配体。R1在每次出现时独立地为支化C3-20烷基、环状C5-20烷基或式(II)的基团。C3-20烷基可以含有至少一个仲碳原子或至少一个叔碳原子。在R1为支化C3-20烷基的情形中，与式(I)的三唑环结合的烷基的碳原子优选为仲碳原子或叔碳原子。在R1是式(II)基团的情形中，z可以是0、1、2或3。任选地，z是0。在z为1、2或3的情形中，各R6可以独立地选自于由以下构成的组：F；CN；支化、直链或环状的C1-20烷基，其中该C1-20烷基的不相邻C原子可被-O-、-S-、-NR8-，-SiR82-或-COO-替换并且一个或多个H原子可以被F替换，其中R8是H或取代基；和式-(Ar1)p的基团，其中Ar1在每次出现时独立地为芳族或杂芳族基团，所述芳族或杂芳族基团可以是未取代的或者取代有一个或多个取代基，并且p是至少1，任选为1、2或3。Ar1在每次出现时可以独立地选自C6-20芳基(任选为苯基)和C3-20杂芳基，任选为含有3-20个C原子以及一个或多个杂原子的杂芳基，所述杂原子选自O、S和N。在p大于1的情形中，基团-(Ar1)p可以形成Ar1基团的直链或支化链。任选地，Ar1的取代基(当存在时)选自支化、直链或环状的C1-20烷基，其中一个或多个不相邻C原子可被O、S、C＝O和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种式(I)的磷光化合物：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.15 GB 1508441.11.一种式(I)的磷光化合物：其中：M是过渡金属；L在每次出现时独立地是单齿配体或多齿配体；R1在每次出现时独立地为支化C3-20烷基、环状C5-20烷基或式(II)的基团：其中每个R5独立地是C1-10烷基；每个R6独立地是取代基；z为0或正整数；以及*是式(II)基团的连接点；R2在每次出现时独立地为直链、支化或环状的C1-10烷基；R3在每次出现时独立地为直链、支化或环状的C1-10烷基或式-(Ar1)p的基团，其中Ar1在每次出现时独立地为芳基或杂芳基，并且p为至少1；每个R4独立地是取代基；v为至少1；w为0或正整数；x为至少1；和y为0或正整数。2.根据权利要求1所述的化合物，其中M选自铱、铂、锇、钯，铑和钌。3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中y为0。4.根据权利要求3所述的化合物，其中x为3。5.根据前述权利要求任一项所述的化合物，其中R1是式(II)的基团。6.根据权利要求5所述的化合物，其中每个R5独立地是C1-10烷基。7.根据权利要求5或6所述的化合物，其中z为0。8.根据前述权利要求任一项所述的化合物，其中R3是C1-20烷基。9.根据前述权利要求任一项所述的化合物，其中v为1。10.根据权利要求9所述的化合物，其中式(I)的化合物具有式(Ia)：11.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·塔兰，K·凯姆特卡，
申请(专利权)人：剑桥显示技术有限公司，住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：英国,GB