长条状气体阻隔性膜及其制造方法以及短条状气体阻隔性膜及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种在高温高湿环境下的耐久性优异的长条状气体阻隔性膜。本发明专利技术提供一种长条状气体阻隔性膜，其具有：气体阻隔层，其设置于长条状的树脂基材上，含有硅及氮；金属氧化物层，其接触设置于所述气体阻隔层上，含有选自V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf、Mg、Y、及Al构成的组中的至少1种的金属的氧化物，其中，在所述气体阻隔性膜的厚度方向进行基于X射线光电子能谱法的组成分析时所得的原子组成分布谱图中，将硅、金属、氮、氧及碳的总量设为100atm％，硅和金属的原子组成比成为1：1时的碳的组成比低于2.0atm％。

Strip gas barrier film and manufacturing method and strip gas barrier film and method of manufacturing the same

The invention provides a long strip gas barrier film with excellent durability in high temperature and high humidity environment. The invention provides a strip-shaped gas barrier film having gas barrier layer, the resin base material is placed in the long strip, containing silicon and nitrogen; metal oxide layer, the contact is arranged on the gas barrier layer, containing at least 1 kinds of metal selected from V, Nb, Ta, Ti, Zr, Hf, Mg, Y, and Al from the group consisting of oxides, the composition analysis of X ray photoelectron spectroscopy of the atom based composition distribution spectrum in the thickness direction of the gas barrier film, the amount of metal, silicon, nitrogen, carbon and oxygen. 100atm%, silicon and metal atoms become 1:1 when carbon composition ratio of less than 2.0atm%.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】长条状气体阻隔性膜及其制造方法以及短条状气体阻隔性膜及其制造方法
本专利技术涉及长条状气体阻隔性膜及其制造方法以及短条状气体阻隔性膜及其制造方法。
技术介绍
挠性电子器件、尤其是挠性有机EL设备使用气体阻隔性膜作为基板膜或封装膜。对这些中使用的气体阻隔性膜要求高阻隔性。通常，气体阻隔性膜通过在基材膜上利用蒸镀法、溅射法、CVD法等气相成膜法形成无机阻隔层而制造。近年来，对在基材上涂布溶液而形成的前体层施加能量，形成气体阻隔层的制造方法进行了研究。特别是，广泛进行了使用聚硅氮烷化合物作为前体的研究，作为兼备涂布带来的高生产性和阻隔性的技术进行了研究。特别是，使用波长172nm的准分子光进行的聚硅氮烷层改性备受关注。在此，在国际公开第2011/122547号(对应于美国专利申请公开第2013/047889号说明书)中公开了一种长条状成形体，其具有在包含聚硅氮烷化合物的层注入烃类化合物的离子而得到的气体阻隔层。
技术实现思路
但是，已知上述国际公开第2011/122547号(对应于美国专利申请公开第2013/047889号说明书)所记载的在包含聚硅氮烷化合物的层注入烃类化合物的离子而得到的气体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种长条状气体阻隔性膜，其具有：气体阻隔层，其设置于长条状的树脂基材上，且含有硅和氮；金属氧化物层，其以接触方式设置于所述气体阻隔层上，且含有选自V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf、Mg、Y及Al中的至少1种金属的氧化物，其中，在对所述气体阻隔性膜的厚度方向通过X射线光电子能谱法进行组成分析时得到的原子组成分布谱图中，将硅、金属、氮、氧及碳的总量设为100atm％，在硅和金属的原子组成比为1:1时的碳的组成比低于2.0atm％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.01 JP 2015-0944091.一种长条状气体阻隔性膜，其具有：气体阻隔层，其设置于长条状的树脂基材上，且含有硅和氮；金属氧化物层，其以接触方式设置于所述气体阻隔层上，且含有选自V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf、Mg、Y及Al中的至少1种金属的氧化物，其中，在对所述气体阻隔性膜的厚度方向通过X射线光电子能谱法进行组成分析时得到的原子组成分布谱图中，将硅、金属、氮、氧及碳的总量设为100atm％，在硅和金属的原子组成比为1:1时的碳的组成比低于2.0atm％。2.如权利要求1所述的长条状气体阻隔性膜，其中，所述金属为Nb。3.如权利要求1或2所述的长条状气体阻隔性膜，其中，所述气体阻隔层是对将含有聚硅氮烷的涂布液进行涂布并干燥而得到的涂膜施加能量而形成的层。4.如权利要求3所述的长条状气体阻隔性膜，其中，所述能量的施加通过照射真空紫外线来进行。5.如权利要求1～4中任一项所述的长条状气体阻隔性膜，其中，所述气体阻隔层通过对上述气体阻隔层的表面进一步进行清洗处理而得到，所述清洗处理选自紫外线清洗、水清洗、臭氧等离子体清洗、大气中准分子清洗以及在氧浓度为1体积％以下的环境下进行的准分子清洗中的至少一种。6.一种短条状气体阻隔性膜，其通过将权利要求1～5中任一项所述的长条状气体阻隔性膜进行截断而得到。7.一种长条状气体阻隔性膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：须川圭一，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP