太阳能电池背腐蚀的上料装置制造方法及图纸

本发明专利技术揭示了一种上料装置，该上料装置由电机、伸缩轨道、侧向移片单元、传输轨道、翻片机构、相对传输轨道尾段垂直方向的传送带及顶升气缸构成，其中该伸缩轨道一端衔接花篮底部并设有限制硅片打滑的挡块；该侧向移片单元跨接于伸缩轨道和传输轨道尾段之间；该传输轨道首段与伸缩轨道另一端相接续，该翻片机构设于传输轨道首段与尾段之间并用于180°翻转硅片、衔接传输；该传送带受控于顶升气缸高出或低落于传输轨道尾段的传送平面，该伸缩轨道、传输轨道和传送带均受驱传动于各自的电机。本发明专利技术该上料装置的应用实施，省却了检查硅片扩散面朝上的步骤，有利于防止硅片走偏，大幅提升了背腐蚀单次上料的载片总数及准确性。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池背腐蚀的上料装置
本专利技术涉及一种自动化上料装置，尤其涉及一种光伏电池板扩散后进行背腐蚀工艺的上料装置。
技术介绍
随着科学技术的不断进步和人们对环保的重视，光伏产业的热门、兴盛给越来越多的制造企业带来了生机。在光伏组件的生产过程中，光伏电池主要工艺流程为清洗制绒、扩散做PN结、背面边缘刻蚀、PE镀氮化硅减反膜、丝网印刷烧结、测试分拣。在这一系列的流程中，硅片需要经历较为复杂的流转于各个环节，而提升各个环节的流转效率，则有利于改善光伏电池整体的生产效率。为此，本申请致力于扩散做PN结后进行背面边缘刻蚀（背腐蚀）的上料装置。通常情况下，扩散工艺后的硅片（设定切片尺寸为156mm×156mm×0.2mm）一面为扩散面，另一面为非扩散面，在进入背腐蚀工艺时需保证硅片的扩散面朝上放置。现有背腐蚀上料机的上料方式简述来看：其是将花篮（100槽，4.76mm槽间距）竖直放置在上料机的上料处，其中花篮中硅片的扩散面朝上（每槽中只有一片硅片）。如图2所示，在上料处由步进电机带动皮带2’将硅片逐片导出，然后再由皮带将硅片送上背腐工艺设备的上料滚轮。花篮中每槽只有一片硅片，为保证背腐蚀工艺的准确作业，需检查扩散面是否朝上放置。而且，步进电机由于存在累计误差，皮带容易打滑，会使硅片走偏。综上可见，现有背腐蚀上料机在自动化、规模化的生产作业中一定程度上影响了整体生产效率，亟需本领域技术人员针对性地提出技术改良方案。
技术实现思路
本专利技术的目的旨在提供一种太阳能电池背腐蚀的上料装置，解决光伏组件生产中从扩散到背腐蚀流转效率提升的问题。本专利技术的上述目的将通过以下技术方案得以实现：太阳能电池背腐蚀的上料装置，以竖置的花篮底部为起点，花篮每条槽中载有背靠背叠放的两片硅片，其特征在于：所述上料装置由电机、伸缩轨道、侧向移片单元、传输轨道、翻片机构、相对传输轨道尾段垂直方向的传送带及顶升气缸构成，其中所述伸缩轨道一端衔接花篮底部并设有限制硅片打滑的挡块；所述侧向移片单元跨接于伸缩轨道和传输轨道尾段之间；所述传输轨道首段与伸缩轨道另一端相接续，所述翻片机构设于传输轨道首段与尾段之间并用于180°翻转硅片、衔接传输；所述传送带受控于顶升气缸高出或低落于传输轨道尾段的传送平面，所述伸缩轨道、传输轨道和传送带均受驱传动于各自的电机。进一步地，所述伸缩轨道的长度为自花篮取片周期距离的整数倍，所述周期距离为硅片边长与传送方向上两片硅片的间距之和。进一步地，定义硅片的切割尺寸为156mm×156mm×0.2mm，伸缩轨道所设挡块尺寸为1mm×1mm×10mm，所述挡块对应每片硅片的间距为157mm~160mm、对应传送方向相邻的两片硅片的间距为60mm，所述同步带的长度为219mm的两倍以上。进一步地，所述侧向移片单元设有吊轨和一个以上挂装于吊轨之上、吹吸气式的吸盘，且吸盘受控同步往返于吊轨两端，在吊轨的一端所述吸盘吸取伸缩轨道上背靠背叠放的两片硅片中上层的硅片；在吊轨的另一端所述吸盘释放硅片于传输轨道尾段上。更进一步地，所述侧向移片单元设有两个沿伸缩轨道传输方向排列的吸盘，且两个吸盘的间距与传输方向上两片硅片的间距相匹配。进一步地，所述翻片机构由转轮和围绕转轮周向均匀间隔而设的若干对硅片夹爪组成，其中任一个硅片夹爪具有适于硅片穿插其中的容片槽，且任意对硅片夹爪的间距与硅片宽度相匹配。进一步地，所述传输轨道首段与翻片机构之间设有装填硅片到位于翻片机构的第一过渡轨道，所述翻片机构与传输轨道尾段之间设有推出翻转后硅片的第二过渡轨道。进一步地，所述电机为伺服电机。进一步地，所述上料装置沿传输轨道尾段传送方向排列设有两条以上的传送带，且每条传送带各续接一条上料轨道、同步上料硅片。应用本专利技术的技术方案，其有益效果体现在：该上料装置创新适用于两片背靠背相叠的硅片，省却了检查硅片扩散面朝上的步骤；采用伺服电机取代步进电机，将取出硅片的皮带替换为带挡块的伸缩轨道，有利于防止硅片走偏，大幅提升了背腐蚀单次上料的载片总数及准确性。附图说明图1是本专利技术上料装置的总装结构示意图。图2是现有背腐蚀上料机取片机构的局部状态示意图。图3是图1所示上料装置中伸缩轨道载片传送的状态示意图。图4是图1所示上料装置中翻片机构的结构示意图。具体实施方式以下便结合实施例附图，对本专利技术的具体实施方式作进一步的详述，以使本专利技术技术方案更易于理解、掌握。针对现有太阳能电池背腐蚀的上料装置结构单一且性能上的诸多不足，本创作者经深入研究并结合提升上料效率的可能性探索，创新地提出了一种突破性提升效率的背腐蚀上料装置，以满足现代化生产的工艺环节流转需求。从概括的技术方案来看，如图1所示该太阳能电池背腐蚀的上料装置，以竖置的花篮1底部为起点，花篮1每条槽中载有背靠背叠放的两片硅片9，其结构特征的关键点为：上料装置由电机（常规驱动设备未图示）、伸缩轨道2、侧向移片单元3、传输轨道、翻片机构5、相对传输轨道尾段垂直方向的传送带7及顶升气缸6构成。其中该伸缩轨道2一端衔接花篮底部，并如图3所示伸缩轨道2设有限制硅片打滑的挡块21；该侧向移片单元3跨接于伸缩轨道2和传输轨道尾段42之间；该传输轨道首段41与伸缩轨道2另一端相接续，该翻片机构5设于传输轨道首段与尾段之间并用于180°翻转硅片9、衔接传输；该传送带7受控于顶升气缸6高出或低落于传输轨道尾段42的传送平面，该伸缩轨道2、传输轨道和传送带7均受驱传动于各自的电机。以上概述仅为本专利技术该上料装置的必要构成，其中该涵盖了从花篮中取片、从相叠的硅片中分离传送、翻转硅片、归一排化输送多个上料环节，满足送入背腐蚀的硅片为背面朝上，且满足批量同步送入的要求。从进一步细化的方案来看，如图3所示，该伸缩轨道2为循环式传送带，且的长度为自花篮取片周期距离的整数倍，其中周期距离为硅片边长与传送方向上两片硅片的间距之和。从具体的尺寸规格来看，可定义硅片9的切割尺寸为156mm×156mm×0.2mm，伸缩轨道所设挡块尺寸为1mm×1mm×10mm，且挡块对应每片硅片的间距为157mm~160mm、对应传送方向相邻的两片硅片的间距为60mm，由此同步带的长度至少为N*（157+1+1+60）mm，即219mm的两倍以上，其中N为代表倍数的任意自然数，但通常情况下，该伸缩轨道无需太长，故2≤N＜5。上述侧向移片单元3设有吊轨31和一个以上挂装于吊轨之上、吹吸气式的吸盘32，且吸盘32受控同步往返于吊轨两端，在吊轨31的一端该吸盘32吸取伸缩轨道2上背靠背叠放的两片硅片中上层的硅片；在吊轨31的另一端该吸盘32释放硅片于传输轨道尾段42上。通过该单元，实现了背靠背叠放的一组硅片的上层分离，且保障背面朝上的硅片先被移除、送入上料装置的后段运程。从图示的实施例可见，该侧向移片单元3设有两个沿伸缩轨道传输方向排列的吸盘32，且两个吸盘32的间距与传输方向上两片硅片的间距相匹配。如此，该单元可以每次横向搬运两片硅片送入传输轨道尾段，从而进一步提升了上料效率。再者，上述翻片机构5如图4所示，由转轮51和围绕转轮周向均匀间隔而设的若干对硅片夹爪52组成，其中任一个硅片夹爪具有适于硅片穿插其中的容片槽521，且任意对硅片夹爪的间距与硅片宽度相匹配。图示可见，本实施例中硅片夹爪为八对本文档来自技高网...

【技术保护点】
太阳能电池背腐蚀的上料装置，以竖置的花篮底部为起点，花篮每条槽中载有背靠背叠放的两片硅片，其特征在于：所述上料装置由电机、伸缩轨道、侧向移片单元、传输轨道、翻片机构、相对传输轨道尾段垂直方向的传送带及顶升气缸构成，其中所述伸缩轨道一端衔接花篮底部并设有限制硅片打滑的挡块；所述侧向移片单元跨接于伸缩轨道和传输轨道尾段之间；所述传输轨道首段与伸缩轨道另一端相接续，所述翻片机构设于传输轨道首段与尾段之间并用于180°翻转硅片、衔接传输；所述传送带受控于顶升气缸高出或低落于传输轨道尾段的传送平面，所述伸缩轨道、传输轨道和传送带均受驱传动于各自的电机。

【技术特征摘要】
1.太阳能电池背腐蚀的上料装置，以竖置的花篮底部为起点，花篮每条槽中载有背靠背叠放的两片硅片，其特征在于：所述上料装置由电机、伸缩轨道、侧向移片单元、传输轨道、翻片机构、相对传输轨道尾段垂直方向的传送带及顶升气缸构成，其中所述伸缩轨道一端衔接花篮底部并设有限制硅片打滑的挡块；所述侧向移片单元跨接于伸缩轨道和传输轨道尾段之间；所述传输轨道首段与伸缩轨道另一端相接续，所述翻片机构设于传输轨道首段与尾段之间并用于180°翻转硅片、衔接传输；所述传送带受控于顶升气缸高出或低落于传输轨道尾段的传送平面，所述伸缩轨道、传输轨道和传送带均受驱传动于各自的电机。2.根据权利要求1所述太阳能电池背腐蚀的上料装置，其特征在于：所述伸缩轨道的长度为自花篮取片周期距离的整数倍，所述周期距离为硅片边长与传送方向上两片硅片的间距之和。3.根据权利要求1所述太阳能电池背腐蚀的上料装置，其特征在于：定义硅片的切割尺寸为156mm×156mm×0.2mm，伸缩轨道所设挡块尺寸为1mm×1mm×10mm，所述挡块对应每片硅片的间距为157mm~160mm、对应传送方向相邻的两片硅片的间距为60mm，所述同步带的长度为219mm的两倍以上。4.根据权利要求1所述太阳能电池背腐蚀的上料...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈光，
申请(专利权)人：中建材浚鑫科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32