【技术实现步骤摘要】
一种气态氧化物制备氮化硼纳米管的方法
本申请属于材料
,特别是涉及一种气态氧化物制备氮化硼纳米管的方法。
技术介绍
氮化硼纳米管与纳米碳管具有相似的结构,1994年,Rubio等在理论上预测了氮化硼纳米管的存在,1995年Chopra等成功合成了氮化硼纳米管,从而拉开了氮化硼纳米管的研究序幕。氮化硼纳米管具有极好的化学稳定性和耐热性,理论和实验研究表明其为宽能隙半导体,且电学性能不受其纳米管直径和手性的影响。氮化硼纳米管还具有与纳米碳管相当的高韧性和高强度,可用于材料的增强、增韧和改性。氮化硼纳米管独特的性能使其在新材料、纳米半导体器件、能源材料和生物医药等诸多领域具有重要的应用价值。现有技术中,氮化硼纳米材料的制备存在合成条件苛刻、产量小、纯度低、成本高等问题,严重限制了氮化硼纳米材料的性能研究和实际应用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种气态氧化物制备氮化硼纳米管的方法,以克服现有技术中的不足。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:本申请实施例公开一种气态氧化物制备氮化硼纳米管的方法,以无定形硼粉为硼源、氨气为氮源,气态氧化物为辅助氧化物,在1250~1350℃下,通过化学气相沉积方法合成氮化硼纳米管。优选的,在上述的气态氧化物制备氮化硼纳米管的方法中,所述气态氧化物为水蒸气或氧气。优选的,在上述的气态氧化物制备氮化硼纳米管的方法中,该方法包括:(1)、将无定形硼粉置于真空环境下,并充入氮气作为保护气体;(2)、以5~10℃速率升温至1250~1350℃,充入NH3气体,并以N2充当水蒸气或氧气的载气,通过化学气相沉积合成氮化硼纳米管 ...
【技术保护点】
一种气态氧化物制备氮化硼纳米管的方法,其特征在于:以无定形硼粉为硼源、氨气为氮源,气态氧化物为辅助氧化物,在1250~1350℃下,通过化学气相沉积方法合成氮化硼纳米管。
【技术特征摘要】
1.一种气态氧化物制备氮化硼纳米管的方法,其特征在于:以无定形硼粉为硼源、氨气为氮源,气态氧化物为辅助氧化物,在1250~1350℃下,通过化学气相沉积方法合成氮化硼纳米管。2.根据权利要求1所述的气态氧化物制备氮化硼纳米管的方法,其特征在于:所述气态氧化物为水蒸气或氧气。3.根据权利要求1所述的气态氧化物制备氮化硼纳米管的方法,其特征在于:该方法包括:(1)、将无定形硼粉置于真空环境下,并充入氮气作为保护气体;(2)、以5~10℃速率升温至1250~1350℃,充入NH3气体,并以N2充当水...
【专利技术属性】
技术研发人员:范佳晨,赵云龙,徐丹,徐凯,徐再,赵维达,
申请(专利权)人:张家港市山牧新材料技术开发有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。