一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供了制作一种小体积高亮度，具有特殊表面几何图形的氮化镓发光二极管芯片的制造方法，这种小芯片面积为0.15×0.15mm2~0.3×0.3mm2；厚度50±10μm~80±10μm；P电极为圆形，直径φ为60mm~110mm；N电极为水滴状几何图形，直径φ为60mm~110mm。通过(一)外延生长、(二)蒸发透明电极、(三)刻蚀台阶、(四)钝化、(五)P、N电极制作、(六)退火、(七)参数测试、(八)研磨、切割、(九)测试分类九大工艺步骤制作一种的小芯片。本发明专利技术制作的芯片具有体积小，亮度高，生产效率高，低成本，应用范围宽等优点。

A manufacturing method for small size and high brightness gallium nitride light-emitting diode chip

The invention provides a small volume, high brightness, manufacturing method of gallium nitride with special surface geometry of the light-emitting diode chip, the chip area is 0.15 * 0.15mm2~0.3 * 0.3mm2; the thickness of 50 + 10 m~80 + 10 m; P electrode is circular, diameter is 60mm~110mm; N electrode for droplets geometry graphics, diameter is 60mm~110mm. By means of (1) epitaxial growth, (two) evaporating transparent electrode, (three) etching step, (four) passivation, (five) P, N electrode fabrication, (six) annealing, (seven) parameter testing, (eight) grinding, cutting and nine testing, nine kinds of process steps were made to make a small chip. The chip made by the invention has the advantages of small size, high brightness, high production efficiency, low cost, wide application range and so on.

【技术实现步骤摘要】
一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法
本专利技术涉及一种发光二极管芯片的制造方法，特别涉及一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种将电能转化为光能的发光器件，目前，红、橙黄、黄、普绿等发光二极管的制造技术已经成熟，以氮化镓为代表的第三代半导体材料，具有高发光效率、高热导率、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，是目前最先进的半导体材料。目前在各种期刊、专利文献中对此方面的技术均有相关报道，例如：中国专利技术专利公开号为CN1466227A的《一种制作氮化镓发光二极管芯片N电极的方法》；公开号CN1351383A的《氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法》；公开号为CN1379489A的《高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法》等；均公开了相应的氮化镓基发光二极管芯片的制备相关技术，但上述各文献公开的技术中均未涉及到小体积高亮度芯片即小芯片的制造技术，现有技术制备的芯片体积较大、厚度过大，没有实质性的创新，无法实现小体积芯片，使芯片的应用领域较局限。
技术实现思路
针对上述不足，本专利技术提供一种结构独特、体积较小、拥有特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法，包括以下步骤：(1)由蓝宝石做衬底，经MOCVD方法生长N型AlGaN缓冲层，N型GaN层， P型GaN外延层，在P型外延层上生长掺杂锰(Mg)的P+层；(2)将透明电极材料蒸镀在外延层上，再刻蚀P、N电极平台阶，生长钝化层；(3)依次进行光刻、蒸镀、剥离、制作P，N电极；(4)进行退火处理，形成欧姆接触后，做光电参数中间测试；(5)通过研磨控制芯片厚度，再进行切割分开后，测试分类；其特征在于：芯片面积为0.15×0.15mm2～0.3×0.3mm2；厚度(50～80)±10 μm；P电极为圆形，直径φ＝60mm～110mm；N电极为水滴状几何图...

【技术特征摘要】
1.一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法，包括以下步骤：(1)由蓝宝石做衬底，经MOCVD方法生长N型AlGaN缓冲层，N型GaN层，P型GaN外延层，在P型外延层上生长掺杂锰(Mg)的P+层；(2)将透明电极材料蒸镀在外延层上，再刻蚀P、N电极平台阶，生长钝化层；(3)依次进行光刻、蒸镀、剥离、制作P，N电极；(4)进行退火处理，形成欧姆接触后，做光电参数中间测试；(5)通过研磨控制芯片厚度，再进行切割分开后，测试分类；其特征在于：芯片面积为0.15×0.15mm2～0.3×0.3mm2；厚度(50～80)±10μm；P电极为圆形，直径φ＝60mm～110mm；N电极为水滴状几何图形，直径φ＝60mm～110mm。2.根据权利要求1所述的一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法，其特征在于掺杂Mg+用H2作为携带气体，NH3作为生长V型材料，Mg为掺杂源，掺杂温度900℃，时间2分钟；N型外延层厚为1～3μm，P型外延层厚0.5～2μm；Mg+层的厚度为400～600nm。3.根据权利要求1所述的一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法，其特征在于所述的芯片面积可以为0.25×0.25mm2～0.3×0.3mm2。4.根据权利要求1所述的一种小体积高亮度氮化镓...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱金平，
申请(专利权)人：江苏微全芯生物科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32