一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型层、P型接触层，P型层包括GaN层和插入在GaN层中的至少一个Al含量渐变的AlGaN层，Al含量渐变的AlGaN层包括沿外延片的生长方向依次层叠的第一AlGaN子层、第二AlGaN子层和第三AlGaN子层，第一AlGaN子层的平均Al含量＜第二AlGaN子层的平均Al含量＜第三AlGaN子层的平均Al含量。本发明专利技术通过产生较强的三维空穴气，提高空穴的有效注入，进而提高发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting D1de，简称LED)为是一种能发光的半导体电子元件。氮化镓基材料具有宽直接带隙、强化学键、耐高温、抗腐蚀等优良性能，是生产短波长高亮度发光器件、紫外光探测器和高温高频微电子器件的理想材料，广泛应用于全彩大屏幕显示，IXD背光源、信号灯、照明等领域。现有的LED外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、P型层。其中，N型层中的电子和P型层中的空穴进入多量子阱层复合发光。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题:电子的迀移率比空穴高得多，多量子阱层中的空穴浓度远小于电子，发光二极管的发光效率还有待提尚。
技术实现思路
为了解决现有技术多量子阱层中的空穴浓度远小于电子、发光二极管的发光效率较低的问题，本专利技术实施例提供了。所述技术方案如下:—方面，本专利技术实施例提供了一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、多量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型层、P型接触层，其特征在于，所述P型层包括GaN层和插入在所述GaN层中的至少一个Al含量渐变的AlGaN层，所述Al含量渐变的AlGaN层包括沿所述外延片的生长方向依次层叠的第一AlGaN子层、第二AlGaN子层和第三AlGaN子层，所述第一AlGaN子层的平均Al含量＜所述第二AlGaN子层的平均Al含量＜所述第三AlGaN子层的平均Al含量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭炳磊，葛永晖，吕蒙普，谢文明，陈柏松，胡加辉，魏世祯，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32