一种芯片封装结构的制备方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种芯片封装结构的制备方法，用于解决现有芯片封装结构在制备过程中的引线阻值偏大、弯曲高度高导致器件厚度无法变薄等问题以及成本问题。本发明专利技术实施例方法包括：提供载体，并在载体的至少一个面上覆盖第一金属层；在第一金属层的第一预设区域设置至少一个第二金属层；在第一金属层以及至少一个第二金属层的裸露表面上覆盖第一绝缘层；对至少一个第二金属层上方的第一绝缘层钻盲孔，并在盲孔中填充导电材料，且导电材料在盲孔的填充口上形成凸起；在凸起上固化芯片；将载体进行剥离。

A preparation method of chip packaging structure

The embodiment of the invention discloses a method for preparing the chip packaging structure, which is used to solve the problems existing in the packaging structure of the existing chip, such as too large wire resistance and high bending height in the preparation process, and the thickness of the device can not be thinned. The embodiment of the invention includes providing a carrier, and covers the first metal layer on at least one carrier; in a first predetermined area of the first metal layer is provided with at least a second metal layer; the first metal layer and the exposed surface of at least one of the second metal layer is covered on the top of the first insulating layer; at least one a second metal layer, a first insulating layer and a conductive material filling drill holes, in the blind hole, and a conductive material formed bulge in the filling opening in the bulges on the blind hole; curing chip; carrier stripping.

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装结构的制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种芯片封装结构结构的制造方法。
技术介绍
随着电子产品向小型化、集成化、普及化发展，对于电子产品内部所使用到的多极管等结构也随之小型化。目前，芯片封装结构主要采用传统封装方式，例如：通过打钱(英文全称：Wirebond，缩写：WB)方式将芯片(英文全称：Chip)封装成具有一定功能的多极管。然而，对于现有的芯片封装结构的封装方法而言，由于电极之间连接的引线较为纤细，阻值偏高，对于器件的电性能有一定的影响，且引线在连接芯片焊盘时与基板焊盘时，需要有一定的弯曲高度，此高度的存在可能导致最终的器件厚度无法得到进一步的降低，同时，引线多为金、银等贵金属，制造成本较高。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种芯片封装结构的制备方法，用于解决现有芯片封装结构在制备过程中的引线阻值偏大、弯曲高度高导致器件厚度无法变薄等问题以及成本问题。有鉴于此，本专利技术第一方面提供一种芯片封装结构的制备方法，可包括：提供载体，并在载体的至少一个面上覆盖第一金属层；在第一金属层的第一预设区域设置至少一个第二金属层；在第一金属层以及至少一个第二金属层的裸露表面上覆盖第一绝缘层；在至少一个第二金属层的垂直方向上钻盲孔，并在盲孔中填充导电材料，且导电材料在盲孔的填充口上形成凸起；在凸起上固化芯片；将载体进行剥离。进一步的，盲孔的孔径为20微米至200微米，盲孔的高度为5至200微米。进一步的，导电材料为流动状态的导电材料。进一步的，在载体剥离后，方法还包括：将第一金属层进行完全蚀刻，以使得至少一个第二金属层形成至少一个焊盘。进一步的，在载体剥离后，方法还包括：将第一金属层进行预设处理，以使得第一金属层形成至少一个焊盘。进一步的，将第一金属层进行预设处理，以使得第一金属层形成至少一个焊盘包括：将第一金属层进行不完全蚀刻，以使得第一金属层的未蚀刻部分形成至少一个焊盘，未蚀刻部分中的每一个与至少一个第二金属层中的一个或多个贴合；或，将第一金属层进行不完全蚀刻，并在第一金属层的蚀刻部分以及未蚀刻部分的第二预设区域覆盖第二绝缘层，以使得未蚀刻部分未覆盖第二绝缘层的区域形成至少一个焊盘，未蚀刻部分中的每一个与至少一个第二金属层中的一个或多个贴合；或，在所述第一金属层的第三预设区域覆盖所述第二绝缘层，以使得所述第一金属层未覆盖所述第二绝缘层的区域形成至少一个焊盘。进一步的，在将第一金属层进行预设处理，形成至少一个焊盘之后，方法还包括：在至少一个焊盘上覆盖第三金属层。进一步的，在凸起上固化芯片包括：在凸起上固化芯片，并在芯片的表面上覆盖第三绝缘层。进一步的，在对至少一个第二金属层上方的第一绝缘层钻盲孔之前，方法还包括：在第一绝缘层上增加保护膜；在盲孔中填充导电材料，且导电材料在盲孔的填充口上形成凸起之后，方法还包括：移除保护膜。进一步的，在第一绝缘层上增加保护膜包括：在第一绝缘层上增加纯胶层，纯胶层用于在背离第一绝缘层的一面承载保护膜；其中，纯胶层的厚度为5微米至30微米，保护膜的厚度为20微米至100微米。从以上技术方案可以看出，本专利技术实施例具有以下优点：与现有方案不同的是，本专利技术取代传统打线的方式来进行芯片封装，通过将芯片与填充至盲孔中的导电材料形成的凸起连接，避免了引线的使用，则解决了现有方案中引线阻值偏大、弯曲高度高导致器件厚度无法变薄等问题，且由于引线的未使用，使得引线以及塑封材料的成本得到控制，同时，采用盲孔填充导电材料的方式形成的凸起进行芯片的连接，可以实现互连金属的面积大小可控、高度可控，有利于对形成的预设器件进行厚度调整、尺寸调整，以满足不同需求。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例中芯片封装结构的制备方法一个实施例示意图；图2a为本专利技术实施例中在载体上覆盖第一金属层的一个结构示意图；图2b为本专利技术实施例中设置第二金属层的一个结构示意图；图2c为本专利技术实施例中覆盖第一绝缘层的一个结构示意图；图2d为本专利技术实施例中钻盲孔的一个结构示意图；图2e为本专利技术实施例中形成凸起的一个结构示意图；图2f为本专利技术实施例中在凸起上固化芯片的一个结构示意图；图2g为本专利技术实施例中剥离载体的一个结构示意图；图3为本专利技术实施例中芯片封装结构的制备方法另一实施例示意图；图4为本专利技术实施例中增加纯胶层及保护膜的一个结构示意图；图5为本专利技术实施例中芯片封装结构的制备方法另一实施例示意图；图6为本专利技术实施例中芯片封装结构的制备方法另一实施例示意图。具体实施方式本专利技术实施例提供了一种芯片封装结构的制备方法，用于解决现有芯片封装结构在制备过程中的引线阻值偏大、弯曲高度高导致器件厚度无法变薄等问题以及成本问题。下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。请参阅图1，本专利技术实施例中芯片封装结构的制备方法的一个实施例示意图，该实施例的具体流程如下：101、提供载体，并在载体的至少一个面上覆盖第一金属层；本实施例中，在芯片封装之前，首先提供芯片封装结构的载体。其中，该载体具有可剥离性，方便后续剥离，因此载体可看作是芯片封装结构的一种介质，并可以在载体的至少一个面上覆盖第一金属层。在实际应用中，可以将第一金属层用有粘性的粘接片、热解胶等固定在一个厚度适中的上述载体上，该载体可以是环氧板、金属板、玻璃等任何具有一定刚性的材料，以能够具有一定的硬度而达到承载的作用，也方便于与第一金属层的剥离，此处不做具体限定。可以理解的是，要覆盖第一金属层的载体面可根据实际需求进行选择，此处不做具体限定。一般情况下，该第一金属层具体为铜箔层，当然，也可以是其他金属材质层，此处不做具体限定。其中，当第一金属层为铜箔层时，该铜箔层可以是单纯铜箔层，其厚度可以为1微米至50微米，优选的，可以为9微米至35微米，也可以是带载体的超薄铜箔层，即具有2层结构，上面一层厚度为1微米至3微米，下面一层厚度为35微米左右，两层铜箔之间具有一定的粘性，但也可以较轻松地剥离开。102、在第一金属层的第一预设区域设置至少一个第二金属层；本实施例中，为了使得至少一个第二金属层可以起到连接芯片与PCB的作用，可以在第一金属层的第一预设区域设置至少一个第二金属层。其中，需要在第一金属层上覆盖抗蚀膜，由于抗蚀膜是一种高分子的化合物，它通过曝光(例如：紫外线的照射)后能够产生聚合反应形成一种稳定的物质附着于第一金属层上非第一预设区域外的区域，达到阻挡电镀和蚀刻的功本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括：提供载体，并在所述载体的至少一个面上覆盖第一金属层；在所述第一金属层的第一预设区域设置至少一个第二金属层；在所述第一金属层以及至少一个所述第二金属层的裸露表面上覆盖第一绝缘层；在至少一个所述第二金属层的垂直方向上钻盲孔，并在所述盲孔中填充导电材料，且所述导电材料在所述盲孔的填充口上形成凸起；在所述凸起上固化芯片；将所述载体进行剥离。

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括：提供载体，并在所述载体的至少一个面上覆盖第一金属层；在所述第一金属层的第一预设区域设置至少一个第二金属层；在所述第一金属层以及至少一个所述第二金属层的裸露表面上覆盖第一绝缘层；在至少一个所述第二金属层的垂直方向上钻盲孔，并在所述盲孔中填充导电材料，且所述导电材料在所述盲孔的填充口上形成凸起；在所述凸起上固化芯片；将所述载体进行剥离。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述盲孔的孔径为20微米至200微米，所述盲孔的高度为5微米至200微米。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述导电材料为流动状态的导电材料。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述载体剥离后，所述方法还包括：将所述第一金属层进行完全蚀刻，以使得至少一个所述第二金属层形成至少一个焊盘。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述载体剥离后，所述方法还包括：将所述第一金属层进行预设处理，以使得所述第一金属层形成至少一个焊盘。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，将所述第一金属层进行预设处理，以使得所述第一金属层形成至少一个焊盘包括：将所述第一金属层进行不完全蚀刻，以使得所述第一金属层的未蚀刻部分形成至少一个焊盘，所述未蚀刻部分中的每一个与至少一个所述第二金属层中的一个或多个贴合；或，将所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄冕，
申请(专利权)人：深圳中科四合科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44