有机脒分子n型掺杂剂及其在半导体光电器件中的应用制造技术

技术编号:16863711 阅读:57 留言:0更新日期:2017-12-23 05:10
本发明专利技术公开了一种有机脒分子n型掺杂剂及其在半导体光电器件中的应用,其中,n型掺杂剂为有机脒分子,n型掺杂剂与受体材料混合或者直接将受体材料暴露在n型掺杂剂的蒸汽气氛中,实现对受体材料的n掺杂。本发明专利技术将n型掺杂剂加入到有机n型半导体中,可调节有机半导体电导率、功函数以及电子迁移率等性质;n型掺杂剂对受体材料进行n掺杂后,应用于钙钛矿太阳能电池、有机太阳能电池、有机发光二极管和有机场效应晶体管。

Organic amid n type dopant and its application in semiconductor optoelectronic devices

The application, the invention discloses an organic molecule amidine n type dopant in semiconductor optoelectronic devices in which the N type dopant for organic amidine molecules, N type dopant and acceptor materials mixed or directly to the receptor material exposed to vapor atmosphere n type dopant in the receptor material doped with n. The N type dopant added to the organic N type semiconductor, organic semiconductor conductivity can be adjusted, the work function and electron mobility properties; N type doping agent on the receptor material after n Doped Perovskite used in solar cells, organic solar cells, organic light-emitting diodes and field-effect transistor.

【技术实现步骤摘要】
有机脒分子n型掺杂剂及其在半导体光电器件中的应用
本专利技术属于半导体器件领域,更具体地,涉及一种有机脒分子n型掺杂剂及其在半导体光电器件中的应用。
技术介绍
有机半导体是一类新兴的材料,目前已经被广泛的应用于有机发光二极管、有机场效应晶体管、有机太阳能电池以及钙钛矿太阳能电池等半导体光伏器件中。在这些器件中,尤其在有机半导体和电极之间往往会涉及电荷的注入和提取。因此,电荷转移的效率会极大地影响器件的性能。而有机半导体材料本身的导电性能以及材料的费米能级与相邻电极功函数的匹配程度是影响电荷转移的至关重要的因素。对有机半导体材料进行有效的掺杂不仅可以提高材料的导电性和载流子浓度,还可以调控其费米能级以及填补材料本征的一些电荷缺陷,是一种非常有效的提高上述半导体器件性能的手段。而通常n型的掺杂剂往往具有很低的离子化电势,这样才使得它们具有掺杂其他受主半导体的能力。目前,只有很少的几种能够溶液制备的n型掺杂剂在文献中有报道。所以开发低成本且能够溶液制备又非常有效的n掺杂剂对实现高性能半导体光伏器件的溶液制备大有裨益。然而,现有技术存在开发成本高、难以溶液制备和效果差的技术问题。
技术实现思路
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有机脒分子n型掺杂剂及其在半导体光电器件中的应用

【技术保护点】
一种有机脒分子n型掺杂剂,其特征在于,所述n型掺杂剂为有机脒分子,所述有机脒分子具有如式(一)所示的结构:

【技术特征摘要】
1.一种有机脒分子n型掺杂剂,其特征在于,所述n型掺杂剂为有机脒分子,所述有机脒分子具有如式(一)所示的结构:其中,R1,R2,R3,R4各自独立的选自H、OH、C1-C10的烷基、C1-C10的烷氧基、C1-C10的酯基、C1-C10的羧基、C1-C10的醇羟基以及被上述任一基团取代的芳基或者杂芳基;R1和R4通过C2-C10的烷基或烷氧基连接成环;R2和R3通过C2-C10的烷基或烷氧基连接成环。2.如权利要求1所述的一种有机脒分子n型掺杂剂,其特征在于,所述n型掺杂剂优选为具有如式(二)所示的结构:3.如权利要求1或2所述的一种有机脒分子n型掺杂剂,其特征在于,所述n型掺杂剂为DBU。4.如权利要求1-3任意一项所述的有机脒分子n型掺杂剂在半导体光电器件中的应用,其特征在于,所述n型掺杂剂与受体材料混合或者...

【专利技术属性】
技术研发人员:周印华胡林蒋友宇刘铁峰覃飞熊思醒
申请(专利权)人:华中科技大学深圳华中科技大学研究院
类型:发明
国别省市:湖北,42

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