一种非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置，包括数字示波器、脉冲发生器、容性探头和样品台，容性探头设置在样品台的上方，所述样品台上堆叠有金属电极层和绝缘体层，待测样品放置在金属电极层上，金属电极层与脉冲发生器相连，脉冲发生器频率、幅度可调；所述容性探头包括相连的电容活动极和电荷放大器，电容活动极一端为探测面，设置在待测样品的正上方，电荷放大器与数字示波器相连；数字示波器用于显示测量信号波形对应的充电时间和电压幅值。本实用新型专利技术通过在充放电过程中的测量，可以通过非接触方式测量，通过数字示波器读取相应的信号参数，进而得到半绝缘半导体的电阻率值，具有测量准确，结构简单，成本低廉的优点。

A device for non-contact testing of the resistivity of semi insulating semiconductors

The utility model discloses a non-contact test device of semi insulating semiconductor resistivity, including digital oscilloscope, pulse generator, capacitive probe and sample table, above the capacitive probe set in the sample table and the sample table is stacked on the metal electrode layer and the insulating layer, the sample is placed on the metal electrode layer and the metal electrode layer is connected with a pulse generator, a pulse generator with variable frequency and amplitude; the capacitive probe comprises a capacitor connected with the electrode and the charge amplifier, the capacitor activity is detected, is arranged right above the sample, connected to the charge amplifier with digital oscilloscope; digital oscilloscope is used to display the charging time measurement signal the corresponding waveform and amplitude. By measuring the charge and discharge process, the utility model can be measured in a non-contact way, and read the corresponding signal parameters through the digital oscilloscope, so as to get the resistivity value of the semi insulating semiconductor, and has the advantages of accurate measurement, simple structure and low cost.

【技术实现步骤摘要】
一种非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置
本技术涉及半绝缘半导体电阻率测量的研究领域，特别涉及一种非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置。
技术介绍
半绝缘半导体以及第二代和第三代半导体的电阻率均在105～1012Ω·cm，现有技术中常用的四探针法无法对其进行准确测量，导致大多数研究、生产半绝缘半导体的单位均无相应的非接触测量设备，因此制约了产业的发展。德国SemiMap公司针对该问题研发了一种电阻率测量设备，但是该设备使用了精密的电动滑台、特制的电荷放大器和脉冲发生器，并需要配备自编的专用软件，结构非常复杂，对实验环境、安装架构以及操作人员的水平等都有很高要求，成本很高，不适宜进行普及推广。为此，研究一种结构简单、测量结果准确的用于进行半绝缘半导体材料的电阻率测量的装置具有重要的价值。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺点与不足，提供一种非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置，该装置可实现对半绝缘半导体无接触、无损伤的测量，具有操作简便、成本低的优点。本技术的目的通过以下的技术方案实现：一种非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置，包括数字示波器、脉冲发生器、容性探头和样品台，容性探头设置在样本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置，其特征在于，包括数字示波器、脉冲发生器、容性探头和样品台，容性探头设置在样品台的上方，所述样品台上堆叠有金属电极和绝缘体，待测样品放置在金属电极上，金属电极与脉冲发生器相连，脉冲发生器频率、幅度可调；所述容性探头包括相连的电容活动极和电荷放大器，电容活动极一端为探测面，设置在待测样品的正上方，电荷放大器与数字示波器相连；数字示波器用于显示测量信号波形对应的充电时间和电压幅值。

【技术特征摘要】
1.一种非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置，其特征在于，包括数字示波器、脉冲发生器、容性探头和样品台，容性探头设置在样品台的上方，所述样品台上堆叠有金属电极和绝缘体，待测样品放置在金属电极上，金属电极与脉冲发生器相连，脉冲发生器频率、幅度可调；所述容性探头包括相连的电容活动极和电荷放大器，电容活动极一端为探测面，设置在待测样品的正上方，电荷放大器与数字示波器相连；数字示波器用于显示测量信号波形对应的充电时间和电压幅值。2.根据权利要求1所述的非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置，其特征在于，所述容性探头固定在一微调装置上，该微调装置用于调节容性探头内电容活动极的端面与待测样品表面的距离。3.根据权利要求1所述的非接触测试半绝缘半导体电阻率的装置，其特征在于，所述容性探头内设有屏蔽罩，电容活动极位于该屏蔽罩中，电容活动极固定在该屏蔽罩内部一固定装置上，该固定装置由绝缘材料制成。4.根据权利要求1所述的非接触测试半绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：王昕，田蕾，李俊生，
申请(专利权)人：广州市昆德科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44