显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管制备方法。所述制备方法包括：提供一衬底基板；在衬底基板上形成半导体层；在半导体层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第一金属层，并对第一金属层进行图形化处理，以得到第一金属栅极层；在第一金属层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第二金属层，并对第二金属层进行图形化处理，得到第二金属栅极层，其中，第一金属栅极层和第二金属栅极层连接；在第二金属层上形成第三绝缘层；在第三绝缘层上形成第三金属层，并对第三金属层进行图形化处理，以形成源极和漏极，其中，源极和漏极与半导体层连接。采用本发明专利技术可将LTPS技术应用于大尺寸面板生产中。

The preparation methods of display panels, display devices and low temperature polysilicon thin film transistors

The invention provides a display panel, a display device and a method for preparing a low temperature polysilicon thin film transistor. The preparation method comprises the following steps: providing a substrate; forming a semiconductor layer on a substrate; a first insulating layer is formed on the semiconductor layer; a first metal layer is formed on the first insulating layer, and the first metal layer for graphical processing, in order to get the first metal gate layer; a second insulating layer formed on the first metal layer in second; insulation form second layers of metal, and the second metal layer for graphical processing, second metal gate layer, wherein the first gate metal layer and the second layer metal gate connection; a third insulating layer is formed on the second metal layer; a third metal layer is formed on the third insulating layer, and the third the metal layer for graphical processing, to form the source and drain, the source and drain is connected with the semiconductor layer. The LTPS technology can be applied to large size panel production by this invention.

【技术实现步骤摘要】
显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法
本专利技术涉及显示面板领域，特别涉及一种显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法。
技术介绍
在各种显示装置的像素单元中，通过施加驱动电压来驱动显示装置的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)被大量应用。在TFT的有源层一直使用稳定性和加工向较好的非晶硅(a-Si)材料，但是a-Si材料的载流子迁移率较低，不能满足大尺寸、高分辨率显示面板的要求。LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶硅)技术基于多晶硅的高迁移率，能够直接在基板上制成高速CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)驱动电路系统，这样外部的印制电路板接脚亦较少，接线的连接(Bonding)点位较少，使显示面板产生缺陷的几率减小，提升了产品的可靠性，增加了耐用度。相较于非晶硅(a-Si)薄膜晶体管，低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)具有更加优异的物理电学性能：LTPS-TFT的TFT组件较a-Si更小，因而可使光的穿透率提高，进而可减小背光负本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成半导体层；在所述半导体层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第一金属层，并对所述第一金属层进行图形化处理，以得到第一金属栅极层；在所述第一金属层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图形化处理，得到第二金属栅极层，其中，所述第一金属栅极层和所述第二金属栅极层连接；在所述第二金属层上形成第三绝缘层；在所述第三绝缘层上形成第三金属层，并对所述第三金属层进行图形化处理，以形成源极和漏极，其中，所述源极和所述漏极与所述半导体层连接。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成半导体层；在所述半导体层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第一金属层，并对所述第一金属层进行图形化处理，以得到第一金属栅极层；在所述第一金属层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图形化处理，得到第二金属栅极层，其中，所述第一金属栅极层和所述第二金属栅极层连接；在所述第二金属层上形成第三绝缘层；在所述第三绝缘层上形成第三金属层，并对所述第三金属层进行图形化处理，以形成源极和漏极，其中，所述源极和所述漏极与所述半导体层连接。2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成半导体层的步骤具体包括；在所述衬底基板上依次形成缓冲层和非晶硅层；对所述非晶硅层进行退火处理，以使所述非晶硅层转变为多晶硅层；对所述多晶硅层进行离子掺杂，以形成所述半导体层。3.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，对所述非晶硅层进行退火处理的步骤具体包括：通过镭射激光退火工艺对所述非晶硅层进行退火处理；或者通过准分子...

【专利技术属性】
技术研发人员：张嘉伟，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42