双角度类梯形截面形状的鳍型场效应晶体管及其评价方法技术

本发明专利技术公开了晶体管领域内的一种双角度类梯形截面形状的鳍型场效应晶体管，包括半导体鳍，半导体鳍的沟道区上设有栅极氧化物，栅极氧化物上设有栅极金属层，半导体鳍包括顶面、底面以及两对称设置的侧面，侧面包括第一侧面和第二侧面，第一侧面的顶部连顶面，第一侧面的底部连第二侧面的顶部，第二侧面的底部连底面，本发明专利技术能够更加精确有效地模拟10nm尺度下的绝缘体上硅FinFET；FinFET类梯形截面形状具有更好的模拟特性、数字特性和频率特性，可用于FinFET生产制造中。

Fin type field effect transistor with double angle trapezoid shape and its evaluation method

Fin field effect transistor transistor is disclosed in the field of a double angle trapezoidal cross section shape, including a semiconductor fin, a channel region of a semiconductor fin is arranged on the gate oxide, a gate metal layer gate oxide, semiconductor fin includes a top surface and the bottom surface of the side to side and two symmetrically arranged, including the first and second sides, the top of the first side even top surface, a first side connected at the bottom of the top second side, second side connected at the bottom of the bottom surface of the invention can be more accurate and effective simulation scale of silicon on insulator 10nm FinFET; FinFET trapezoidal cross section shape has better simulation, digital characteristics and frequency characteristics the characteristics, can be used for FinFET manufacturing.

【技术实现步骤摘要】
双角度类梯形截面形状的鳍型场效应晶体管及其评价方法
本专利技术涉及一种场效应晶体管，特别涉及一种鳍型场效应晶体管。
技术介绍
随着纳米器件节点进入14nm，半导体器件的短沟道效应表现得越来越突出，传统的CMOS工艺在进入22nm时便已达到极限，鳍型场效应晶体管(FinFET)的专利技术，使摩尔定律的延续成为了可能，FinFET以其优秀的栅控制能力对短沟道效应的抑制作用，受到了众多商业公司和研究人员的关注。按照摩尔定律，10nm甚至未来尺度更小的半导体器件将会出现，在各种新材料新工艺新结构来制造新的半导体器件还不成熟的状况下，FinFET在未来10nm时代仍然会是最有可能的选择。基于这样的现状，现阶段做好10nm尺度的FinFET研究具有十分重要的意义。主流的三栅FinFET根据衬底结构不同可以分为体硅FinFET和绝缘体上硅FinFET两种。目前虽然针对FinFET制备工艺，新的制备材料以及长尺寸的研究已经非常多，但是事实上许多工作忽视了将截面形状效应进行一个全面定量的研究，大多数研究工作仅仅只是停留在尺寸、浓度等宏观方面，比如鳍厚，鳍宽，鳍长(沟道长度)，并没有考虑形状效应对器件性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍型场效应晶体管的评价方法，其特征在于，包括以下步骤：1)设计双角度类梯形截面形状的鳍型场效应晶体管，包括半导体鳍，所述半导体鳍包括顶面、底面以及两对称设置的侧面，侧面包括第一侧面和第二侧面，第一侧面的顶部连顶面，第一侧面的底部连第二侧面的顶部，第二侧面的底部连底面，其中，所述第一侧面与底面之间的夹角为α，所述第二侧面与底面的夹角为β；2)设定形状因子γFin，γFin＝Wchannel/Schannel＝(Wtop+Wsidewalls)/Schannel其中，Wchannel为半导体鳍截面形状中沟道的有效宽度，Wtop为沟道顶的宽度，Wsidewalls为沟道两侧的宽度，有效宽度Wch...

【技术特征摘要】
1.一种鳍型场效应晶体管的评价方法，其特征在于，包括以下步骤：1)设计双角度类梯形截面形状的鳍型场效应晶体管，包括半导体鳍，所述半导体鳍包括顶面、底面以及两对称设置的侧面，侧面包括第一侧面和第二侧面，第一侧面的顶部连顶面，第一侧面的底部连第二侧面的顶部，第二侧面的底部连底面，其中，所述第一侧面与底面之间的夹角为α，所述第二侧面与底面的夹角为β；2)设定形状因子γFin，γFin＝Wchannel/Schannel＝(Wtop+Wsidewalls)/Schannel其中，Wchannel为半导体鳍截面形状中沟道的有效宽度，Wtop为沟道顶的宽度，Wsidewalls为沟道两侧的宽度，有效宽度Wchannel＝Wtop+Wsidewalls，Schannel为截面沟道的面积，Schannel可根据Wtop、Wsidewalls、α、β计算获得；3)通过形状因子γFin配合半导体物理领域的连续性方程以及边界条件计算出形状因子γFin与器件性能的关系图；4)根据所述关系图评价具有双角度类梯形截面形状的鳍型场效应晶体管的性能。2.根据权利要求1所述的鳍型场效应晶体管的评价方法，其特征在于，其中，70°≤α＜90°，70°＜β≤90°。3.根据权利要求1所述的鳍型场效应晶体管的评价...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄启俊，杜寰，高潮，
申请(专利权)人：扬州江新电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32