半导体压力传感器制造技术

提供无需用于应力控制的热处理、且可靠性高的半导体压力传感器。半导体压力传感器(100A)具有：固定电极(18)，其位于半导体基板(11)的主面；以及隔膜(61)，其在半导体基板(11)的厚度方向上经由空隙(51)而至少在与固定电极(18)相对的位置处在厚度方向上是可动的。隔膜(61)具有：可动电极(39)；第1绝缘膜(39d)，其位于可动电极(39)的空隙(51)侧；第2绝缘膜(58)，其位于可动电极(39)的与空隙(51)相反侧，膜种类与第1绝缘膜(39d)相同；以及屏蔽膜(59)，其与可动电极(39)一起夹着第2绝缘膜(58)。

Semiconductor pressure sensor

A semiconductor pressure sensor with high reliability and no need to be used for stress control. Semiconductor pressure sensor (100A) has a fixed electrode (18), which is located in the semiconductor substrate (11) of the main surface; and a diaphragm (61), the semiconductor substrate (11) in the thickness direction through the gap (51) and at least with the fixed electrode (18) is movable relative position in the the thickness direction. The diaphragm (61) having a movable electrode (39); the first insulating film (39d), which is located in the movable electrode (39) of the gap (51) side; a second insulating film (58), which is located in the movable electrode (39) and (51) on the opposite side of the gap, film types and the first insulating film (39d the same; and) shielding film (59), and the movable electrode (39) together with the second insulating film (58).

【技术实现步骤摘要】
半导体压力传感器
本专利技术涉及一种半导体压力传感器以及其制造方法。该半导体压力传感器适于向包含具有MOS构造的场效应晶体管(下面，简称为“MOS晶体管”)的电路(下面，简称为“MOS电路”)进行集成化。此外，“MOS”这一用语以前用于金属/氧化物/半导体的层叠构造，采用了Metal-Oxide-Semiconductor的第一个字母。然而，特别是对于MOS晶体管，从近年来的集成化及制造工艺的改善等角度出发，对栅极绝缘膜、栅极电极的材料进行了改善。例如，就MOS晶体管而言，主要从以自对准的方式形成源极及漏极的角度出发，取代金属而采用多晶硅作为栅极电极的材料。另外，从改善电气特性的角度出发，采用高介电常数的材料作为栅极绝缘膜的材料，但该材料并非必须限定于氧化物。因此，“MOS”这一用语不是必须仅限定于金属/氧化物/半导体的层叠构造才被采用的用语，在本说明书中也不以上述限定为前提。即，鉴于技术常识，这里“MOS”不限定于因其词源而产生的缩略语，广义上具有还包含导电体/绝缘体/半导体的层叠构造的含义。
技术介绍
近年来，在以汽车为首的各种领域中使用了半导体压力传感器。例如专利文献1所公开的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体压力传感器，其具有：固定电极，其位于半导体基板的主面；以及隔膜，其在所述半导体基板的厚度方向上经由空隙而至少在与所述固定电极相对的位置处在所述厚度方向上是可动的，其中，所述隔膜具有：可动电极；第1绝缘膜，其位于所述可动电极的所述空隙侧；第2绝缘膜，其位于所述可动电极的与所述空隙相反侧，膜种类与所述第1绝缘膜相同；以及屏蔽膜，其与所述可动电极一起夹着所述第2绝缘膜。

【技术特征摘要】
2016.06.01 JP 2016-1097951.一种半导体压力传感器，其具有：固定电极，其位于半导体基板的主面；以及隔膜，其在所述半导体基板的厚度方向上经由空隙而至少在与所述固定电极相对的位置处在所述厚度方向上是可动的，其中，所述隔膜具有：可动电极；第1绝缘膜，其位于所述可动电极的所述空隙侧；第2绝缘膜，其位于所述可动电极的与所述空隙相反侧，膜种类与所述第1绝缘膜相同；以及屏蔽膜，其与所述可动电极一起夹着所述第2绝缘膜。2.根据权利要求1所述的半导体压力传感器，其中，所述可动电极由在所述厚度方向上从接近所述固定电极侧起依次层叠的第1多晶硅层、第2多晶硅层和第3多晶硅层构成，该第1多晶硅层具有压缩性的内部应力，该第2多晶硅层具有拉伸性的内部应力，该第3多晶硅层具有压缩性的内部应力，所述屏蔽膜是具有压缩性的内部应力的第4多晶硅层。3.根据权利要求1所述的半导体压力传感器，其中，所述可动电极由在所述厚度方向上从接近所述固定电极侧起依次层叠的第1多晶硅层、第2多晶硅层和第3多晶硅层构成，该第1多晶硅层具有拉伸性的内部应力，该第2多晶硅层具有压缩性的内部应力，该第3多晶硅层具有拉伸性的内部应力，所述屏蔽膜是具有拉伸性的内部应力的第4多晶硅层。4.根据权利要求1所述的半导体压力传感器，其中，所述可动电极由在所述厚度方向上从接近所述固定电极侧起依次层叠的第1多晶硅层和第2多晶硅层构成，该第1多晶硅层具有压缩性的内部应力，该第2多晶硅层具有拉伸性的内部应力，所述屏蔽膜是具有压缩性的内部应力的第4多晶硅层。5.根据权利要求1所述的半导体压力传感器，其中，所述可动电极由在所述厚度方向上从接近所述固定电极侧起依次层叠的第1多晶硅层和第2多晶硅层构成，该第1...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤公敏，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP