具有磁弧偏转的高电压紧凑型熔断器组件制造技术

熔断器块和熔断器座形式的熔断器组件包括嵌入永磁体电弧抑制特征，其便于可熔电路保护的更高电压操作而不增加熔断器组件尺寸。嵌入磁体将外部磁场施加在过电流保护熔断器上并且产生电弧偏转力以增强熔断器的灭弧能力而不增加其形状因数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有磁弧偏转的高电压紧凑型熔断器组件
本专利技术的领域大体上涉及电路保护装置，并且更具体地涉及用于接收过电流保护熔断器的熔断器组件，例如熔断器块和熔断器座装置。
技术介绍
熔断器广泛用作过电流保护装置以防止对电路造成昂贵的损坏。熔断器端子典型地在电源和电部件或布置在电路中的部件的组合之间形成电连接。一个或多个可熔连接件或元件或熔断器元件组件连接在熔断器端子之间，使得当流动通过熔断器的电流超过预定极限时，可熔元件熔化并且打开通过熔断器的一个或多个电路以防止电部件损坏。为了完成与外部电路的电连接，已提供各种熔断器块和熔断器座，其限定熔断器插座或隔室以接收过电流保护熔断器，并且设有线路和负载侧熔断器接触部件以通过熔断器中的可熔元件建立电连接。鉴于电力系统在越来越大的系统电压下运行的趋势，以及鉴于保持尺寸形状因数等于或小于现有熔断器块和熔断器座的工业偏好，已知的熔断器块和熔断器座在一些方面是不利的并且需要改进。附图说明参考以下附图描述非限制性和非穷尽性实施例，其中在各种视图中相似的附图标记始终表示的相似的部件，除非另有说明。图1是根据本专利技术的示例性实施例的包括配备有第一磁弧抑制系统的熔断本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种熔断器组件，其包括：非导电壳体，所述非导电壳体限定尺寸确定成接收过电流保护熔断器的至少一个熔断器插座；至少一组熔断器接触端子，所述至少一组熔断器接触端子配置成当接收在所述至少一个熔断器插座中时通过所述过电流保护熔断器建立电连接；以及至少一个永磁体，所述至少一个永磁体联接到所述非导电壳体并且在所述熔断器插座中施加磁场；其中当接收在所述熔断器插座中时所述过电流保护熔断器的至少一部分布置在所述磁场中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.23 US 14/665,4611.一种熔断器组件，其包括：非导电壳体，所述非导电壳体限定尺寸确定成接收过电流保护熔断器的至少一个熔断器插座；至少一组熔断器接触端子，所述至少一组熔断器接触端子配置成当接收在所述至少一个熔断器插座中时通过所述过电流保护熔断器建立电连接；以及至少一个永磁体，所述至少一个永磁体联接到所述非导电壳体并且在所述熔断器插座中施加磁场；其中当接收在所述熔断器插座中时所述过电流保护熔断器的至少一部分布置在所述磁场中。2.根据权利要求1所述的熔断器组件，其中所述至少一个永磁体包括第一永磁体和与所述第一磁体间隔开的第二永磁体，所述磁场在所述第一永磁体和所述第二永磁体之间建立。3.根据权利要求2所述的熔断器组件，其中所述第一永磁体和所述第二永磁体位于所述熔断器插座的相对侧上，并且其中当所述过电流保护熔断器接收在所述熔断器插座中时，所述过电流保护熔断器的至少一部分布置在所述第一磁体和所述第二磁体之间。4.根据权利要求1所述的熔断器组件，其中当所述过电流保护熔断器接收在所述熔断器插座中时，所述至少一个永磁体由所述过电流保护熔断器大致覆盖。5.根据权利要求1所述的熔断器组件，其还包括邻近所述至少一个永磁体的铁磁板。6.根据权利要求5所述的熔断器组件，其中所述铁磁板为U形。7.根据权利要求1所述的熔断器组件，其中所述过电流保护熔断器沿着插入轴线接收在所述熔断器插座中，所述至少一个磁体施加垂直于所述插入轴线延伸的磁场。8.根据权利要求1所述的熔断器组件，其中所述组件还包括设在所述非导电壳体中的至少一个开关触点。9.根据权利要求1所述的熔断器组件，其中所述非导电壳体配置为开放型熔断器块。10.根据权利要求1所述的熔断器组件，其中所述非导电壳体配置为熔断器座。11.根据权利要求10所述的熔断器组件，其还包括覆盖所述熔断器插座的端部的帽。12.根据权利要求1所述的熔断器组件，其中当所述过电流保护熔断器接收在所述熔断器插座中时，所述磁场在所述熔断器插座的内部定向成提供作用于所述过电流保护熔断器的径向电弧偏转力和轴向电弧偏转力中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：周信，R·S·道格拉斯，V·J·萨波里塔，
申请(专利权)人：库珀技术公司，
类型：发明
国别省市：美国,US