多晶硅电阻温度系数监控方法技术

本发明专利技术公开了一种多晶硅电阻温度系数监控方法包括如下步骤：步骤一、在晶片形成多个待测多晶硅电阻且同时在各待测多晶硅电阻的周侧形成采用电流加热的加热电阻环。步骤二、将晶片放置在WAT测量设备上，对加热电阻环加不同的电压来调节待测多晶硅电阻的温度。步骤三、在WAT测量设备上测试待测多晶硅电阻的电阻值。本发明专利技术能在WAT测量中实现对多晶硅电阻温度系数的偏差的在片监控；另外通过测量大量晶片的WAT数据，能实现监控温度系数的稳定性。

Temperature coefficient monitoring method for polysilicon resistance

The invention discloses a polysilicon resistance temperature coefficient monitoring method, which comprises the following steps: step one, forming multiple silicon resistors to be measured on the wafer, and forming a heating resistance ring with current heating on the circumferential side of each of the polycrystalline silicon resistors. Step two, the chip is placed on the WAT measuring device, and the temperature of the polysilicon resistance is adjusted by adding different voltages to the heating resistor ring. Step three, test the resistance value of the polysilicon resistance on the WAT measuring device. The invention can monitor the deviation of the temperature coefficient of the polysilicon resistor in the WAT measurement. In addition, by measuring the WAT data of a large number of chips, the stability of the temperature coefficient can be monitored.

【技术实现步骤摘要】
多晶硅电阻温度系数监控方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种多晶硅电阻温度系数监控方法。
技术介绍
集成电路中电阻通常采用多晶硅电阻实现，模拟电路设计中对电阻精度要求越来越高，电阻温度特性的偏差对模拟电路的性能和良率有很大影响，设计中需要考虑不同工艺批次，不同温度下电阻的偏差。晶片允收测试(WaferAcceptanceTest，WAT)测量只能测量常温下器件的特性，不能升降温，所以集成电路大规模生产中电阻温度系数的偏差不能在片监控。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种多晶硅电阻温度系数监控方法，能在WAT测量中实现对多晶硅电阻温度系数的偏差的在片监控。为解决上述技术问题，本专利技术提供的多晶硅电阻温度系数监控方法包括如下步骤：步骤一、在晶片形成多个待测多晶硅电阻且同时在各所述待测多晶硅电阻的周侧形成围绕所述待测多晶硅电阻的加热电阻环，所述加热电阻环通电流时会使所述待测多晶硅电阻瞬间升温到所需的温度。步骤二、将所述晶片放置在WAT测量设备上，通过对所述加热电阻环加不同的电压来调节所述加热电阻环的导通电流从而调节所述待测多晶硅电阻的温度。步骤三、在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在晶片形成多个待测多晶硅电阻且同时在各所述待测多晶硅电阻的周侧形成围绕所述待测多晶硅电阻的加热电阻环，所述加热电阻环通电流时会使所述待测多晶硅电阻瞬间升温到所需的温度；步骤二、将所述晶片放置在WAT测量设备上，通过对所述加热电阻环加不同的电压来调节所述加热电阻环的导通电流从而调节所述待测多晶硅电阻的温度；步骤三、在所述WAT测量设备上测试各种不同温度下的各所述待测多晶硅电阻的电阻值，实现对所述待测多晶硅电阻的温度系数监控。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在晶片形成多个待测多晶硅电阻且同时在各所述待测多晶硅电阻的周侧形成围绕所述待测多晶硅电阻的加热电阻环，所述加热电阻环通电流时会使所述待测多晶硅电阻瞬间升温到所需的温度；步骤二、将所述晶片放置在WAT测量设备上，通过对所述加热电阻环加不同的电压来调节所述加热电阻环的导通电流从而调节所述待测多晶硅电阻的温度；步骤三、在所述WAT测量设备上测试各种不同温度下的各所述待测多晶硅电阻的电阻值，实现对所述待测多晶硅电阻的温度系数监控。2.如权利要求1所述的多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于，还包括：步骤四、重复步骤二和步骤三实现对多片所述晶片上的各所述待测多晶硅电阻进行测试，并统计出不同温度下的各所述待测多晶硅电阻的阻值变化，实现对所述待测多晶硅电阻的温度系数监控。3.如权利要求1所述的多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于：在步骤二之前还包括进行预先测试形成所述待测多晶硅电阻的电阻温度曲线的步骤。4.如权利要求3所述的多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于：每个工艺节点的所述待测多晶硅电阻测量一次所述电阻温度曲线。5.如权利要求4所述的多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于：所述电阻温度曲线的测试包括步骤：将所述晶片放置在具有升温控制的探针台上；通过所述探针台对所述晶片进行升温并升温到所需的温度；对升温后的所述待测多晶硅电阻进行电阻值的测量；通过在一系列的温度下测量所述待测多晶硅电阻的电阻值得到所述电阻温度曲线。6.如权利要求3或4或5所述的多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于：根据所述电阻温度曲线，根据步骤三中测量得到的所述待测多晶硅电阻的电阻值反推出测试...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔蔚然，李平梁，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31