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本发明公开了一种多晶硅电阻温度系数监控方法包括如下步骤：步骤一、在晶片形成多个待测多晶硅电阻且同时在各待测多晶硅电阻的周侧形成采用电流加热的加热电阻环。步骤二、将晶片放置在WAT测量设备上，对加热电阻环加不同的电压来调节待测多晶硅电阻的温度...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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