具有用于晶片与晶片互连的桥接模块的半导体组件制造技术

在一个例子中，半导体组件包括第一IC晶片(104A)、第二IC晶片(104B)、和桥接模块(110)。第一IC晶片在它的顶面上包括多个互连中(108)的第一互连(108A)和多个晶片间接触中(608)的第一晶片间接触(608A)。第二IC晶片在它的顶面上包括多个互连中的第二互连(108B)和多个晶片间接触中的第二晶片间接触(608B)。桥接模块被布置在所述第一互连与所述第二互连之间，并且在它的顶面上包括桥接互连(112)，所述桥接互连机械地且电气地被耦接到多个晶片间接触，和被布置在它的顶面上的导电互连层(706)，用来在第一IC与第二IC之间传送信号。桥接模块的背面(710)没有延伸超出多个连接线的高度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有用于晶片与晶片互连的桥接模块的半导体组件
本公开内容的例子总体上涉及半导体器件，具体涉及具有用于晶片与晶片互连的桥接模块的半导体组件。
技术介绍
集成电路(IC)架构已经发展到把许多不同功能合并在单个封装中，其中每个功能由单独的IC晶片或芯片尺度的封装(CSP)执行。这样的架构有时被称为系统级封装(SiP)。一种类型的SiP结构涉及把多个IC晶片(die)安装到中介层(interposer)，所述中介层又被安装到封装基片。所述中介层包括穿过晶片的通孔(TDV)，也被称为穿过硅的通孔(TSV)，它们连接在中介层的上表面与下表面上的金属化层。金属化层被用来在多个IC晶片之间以及在多个IC晶片的每个IC晶片与封装基片之间输送电信号。这种类型的SiP架构有时被称为2.5维(2.5D)封装。然而，因为必须设计、制造、和测试单独的中介层，为SiP封装使用2.5D架构将大大地增加花费。
技术实现思路
描述了一种用于提供具有用于晶片到晶片互连的桥接模块的半导体组件的技术。在一个例子中，半导体组件包括第一IC晶片、第二IC晶片、和桥接模块。第一IC晶片在它的顶面上包括多个互连中的第一互连和多个晶片间接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体组件，其特征在于，所述组件包括：第一集成电路(IC)晶片，所述第一IC晶片在它的顶面上具有多个互连中的第一互连和多个晶片间接触中的第一晶片间接触；第二IC晶片，所述第二IC晶片在它的顶面上具有所述多个互连中的第二互连和所述多个晶片间接触中的第二晶片间接触；以及桥接模块，被布置在所述第一互连与所述第二互连之间，所述桥接模块包括：在所述桥接模块的顶面上的桥接互连，所述桥接互连机械地且电气地被耦接到所述多个晶片间接触；以及被布置在所述桥接模块的顶面上的一个或多个导电互连层，其被配置成在所述第一IC与所述第二IC之间传送信号；以及其中所述桥接模块的背面没有延伸超出所述多个互连的高度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.23 US 14/665,9081.一种半导体组件，其特征在于，所述组件包括：第一集成电路(IC)晶片，所述第一IC晶片在它的顶面上具有多个互连中的第一互连和多个晶片间接触中的第一晶片间接触；第二IC晶片，所述第二IC晶片在它的顶面上具有所述多个互连中的第二互连和所述多个晶片间接触中的第二晶片间接触；以及桥接模块，被布置在所述第一互连与所述第二互连之间，所述桥接模块包括：在所述桥接模块的顶面上的桥接互连，所述桥接互连机械地且电气地被耦接到所述多个晶片间接触；以及被布置在所述桥接模块的顶面上的一个或多个导电互连层，其被配置成在所述第一IC与所述第二IC之间传送信号；以及其中所述桥接模块的背面没有延伸超出所述多个互连的高度。2.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，还包括：环氧树脂，所述环氧树脂将所述第一IC晶片结合到所述第二IC晶片，以及将所述桥接模块结合到所述第一IC晶片和所述第二IC晶片中的每一个。3.根据权利要求1或2的任一项所述的半导体组件，其特征在于，还包括：封装所述第一IC晶片、所述第二晶片、和所述桥接模块的模塑料。4.根据权利要求1-3的任一项所述的半导体组件，其特征在于，其中所述桥接模块包括陶瓷的、有机的、或半导体基片。5.根据权利要求1-4的任一项所述的半导体组件，其特征在于，其中所述桥接模块包括半导体基片，所述半导体基片包括有源电路。6.一种集成电路(IC)封装，其特征在于，所述封装包括：封装基片；第一集成电路(IC)晶片，所述第一IC晶片在它的顶面上具有多个互连中的第一互连和多个晶片间接触中的第一晶片间接触，所述第一互连电气地且机械地被耦接到所述封装基片的顶面；第二IC晶片，所述第二IC晶片在它的顶面上具有所述多个互连中的第二互连和所述多个晶片间接触中的第二晶片间接触，所述第二互连电气地且机械地被耦接到所述封装基片的顶面；以及桥接模块，被布置在所述第一互连与所述第二互连之间，所述桥接模块的背面是与所述封装基片间隔开的，所述桥接模块包括：在所述桥接模块的顶面上的桥接互连，所述桥接互连机械地且电气地被耦接到所述多个晶片间接触；以及被布置在所述桥接模块的顶面上的一个或多个导电互连层，其被配置成在所述第一IC和所述第二IC之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·S·权，S·瑞玛林嘉，
申请(专利权)人：赛灵思公司，
类型：发明
国别省市：美国,US