存储器装置及其控制方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器装置及其控制方法相关申请的交叉引用本申请要求2015年3月10日申请的第62/131,091号美国临时申请的权利，所述临时申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本实施例涉及一种存储器装置及其控制方法。
技术介绍
近年来，一直在推动利用元件的电阻值的变化的存储器(电阻变化型存储器)的发展，所述存储器例如磁性存储器(MRAM)、电阻变化存储器(ReRAM)及相变存储器(PCRAM)。附图说明图1是描绘包含实施例中的存储器装置的系统的一般配置的示意图；图2是描绘第一实施例中的存储器装置的内部配置的实例的图；图3是描绘第一实施例中的存储器装置中的存储器单元阵列的配置实例的图；图4是描绘第一实施例中的存储器装置中的存储器单元阵列的配置实例的图；图5是描绘第一实施例中的存储器装置中的存储器单元的结构实例的图；图6是描绘第一实施例中的存储器装置的内部配置的实例的图；图7是说明第一实施例中的存储器装置的操作实例的流程图；图8是说明第一实施例中的存储器装置的操作实例的时序图；图9是说明第一实施例中的存储器装置的操作实例的示意图；图10是说明第二实施例中的存储器装置的操作实例...
【技术保护点】
一种存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其包含第一阵列及第二阵列；熔丝电路，其经配置以保持至少一段第一数据，所述第一数据指示所述第一阵列中的缺陷地址；及控制电路，其经配置以基于所述第一数据来控制所述第一阵列及所述第二阵列上的替换过程，其中当供应所述第一阵列中的第一方向上的第一地址时，所述熔丝电路将对应于所述第一地址的所述第一数据传送到所述控制电路，及当在将所述第一数据传送到所述控制电路之后供应所述第一阵列中的第二方向上的第二地址时，所述控制电路基于所述第二地址与所述第一数据的比较结果来存取所述第一阵列及所述第二阵列中的一者。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.10 US 62/131,0911.一种存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其包含第一阵列及第二阵列；熔丝电路，其经配置以保持至少一段第一数据，所述第一数据指示所述第一阵列中的缺陷地址；及控制电路，其经配置以基于所述第一数据来控制所述第一阵列及所述第二阵列上的替换过程，其中当供应所述第一阵列中的第一方向上的第一地址时，所述熔丝电路将对应于所述第一地址的所述第一数据传送到所述控制电路，及当在将所述第一数据传送到所述控制电路之后供应所述第一阵列中的第二方向上的第二地址时，所述控制电路基于所述第二地址与所述第一数据的比较结果来存取所述第一阵列及所述第二阵列中的一者。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中当所述缺陷地址与所述第二地址相匹配时，所述控制电路存取所述第二阵列。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中当所述缺陷地址与所述第二地址不匹配时，所述控制电路存取由所述第一地址及所述第二地址指示的所述第一阵列中的部分。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中将第一命令供应给所述第一地址，且所述第一命令是允许启动针对所述存储器单元阵列中的所述第一方向设置的第一单元的信号。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中将第二命令供应给所述第二地址，且所述第二命令是允许执行从所述存储器单元阵列读取第二数据或将第三数据写入到所述存储器单元阵列的信号。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述熔丝电路包含存储所述至少一段第一数据的熔丝阵列，所述控制电路包含保持从所述熔丝阵列传送的所述第一数据的锁存电路，及所述锁存电路的存储容量小于所述熔丝阵列的存储容量。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一阵列包含：针对所述第一方向设置的第一数目个第一控制单元；及针对所述第二方向设置的第二数目个第二控制单元，所述控制电路包含保持所述第一数据的锁存电路，及所述锁存电路包含第二数目个第一锁存单元。8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一地址是所述存储器单元阵列中的行地址，且所述第二地址是所述存储器单元阵列中的列地址。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一阵列包含存储器单元，且所述存储器单元包含选自由以下各者组成的群组的存储器元件：磁阻元件、金属氧化物型可变电阻元件及相变元件。10.一种存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其具有第一阵列及第二阵列；熔丝电路，其经配置以保持至少一段第一数据，所述第一数据指示所述第一阵列中的缺陷地址；锁存电路，其经配置以保持从所述熔丝电路传送的所述第一数据；及控制电路，其经配置以使用所述锁存电路中的所述第一数据来控制所述第一阵列及所述第二阵列上的替换过程，其中所述锁存电路的存储容量小于所述熔丝电路的存储容量。11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中当供应所述...
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