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纳米硅基氧化物改性的有机硅/环氧树脂封装材料制造技术

技术编号:1666902 阅读:268 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种经表面活性处理后的纳米SiO↓[2-x]改性的有机硅/环氧树脂(PDMS/E↓[44])单组份室温固化封装材料。封装材料中包含有:92.0-96.0%的有机硅/环氧基质、0.3-4.5%的纳米SiO↓[2-x]改性剂、2.1-2.3%正硅酸己酯交联剂、1.4-1.7%低分子聚乙烯膜和/或邻苯二甲酸酯增塑剂、0-0.4%白炭黑补强剂、0.1-0.3%助剂。本封装材料具有制备工艺简单、室温固化、固化时间短等特点,可应用于有机电致发光器件OELD等电子电气器件的封装。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种电子电气器件封装材料,特别是涉及一种含采用表面处理技术的纳米SiO2-x改性的有机硅/环氧树脂(PDMS/E44)单组份室温固化OELD器件封装材料。有机物电致发光器件(OELD)是目前新开发研制的一种新型平面显示器件,具有开启和驱动电压低,且可直流电压驱动,可与大规模集成电路相匹配,易实现全彩色化,发光亮度高(>105cd/m2),量子发光效率高(2.01m/w)等优点,但OELD器件使用寿命还不能满足应用要求,其中需要解决的技术困难之一就是器件的封装材料和封装技术。目前,国外(日、美、欧洲等)主要采用环氧树脂、有机硅等封装材料和热、光、辐射固化技术,但也存在许多不足之处,如由于内应力作用而产生的银纹化而使环氧树脂易开裂发脆,使密封性能下降等。寻求满足OELD器件性能的封装材料成为当前OELD器件研究与开发的热点和关键。有机硅高聚物和环氧树脂都是电子工业中常选用的电子电气器件封装材料。有机硅材料具有低温柔韧性(Tg=-120℃),低表面能、耐高温、耐气候、耐腐蚀、憎水性好、介电强度高等优点,但也存在机械力学性能差、且耐磨性、耐溶剂、粘结力较差、成本较高等缺点本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含表面活性极性处理的纳米SiO↓[2-x]改性的有机硅/环氧树脂单组份室温固化封装材料,其重量组成为:92.0-96.0%的有机硅/环氧树脂基质,0.3-4.5%的纳米SiO↓[2]改性剂,2.1-2.3%正硅酸己酯交联剂, 1.4-1.7%低分子聚乙烯腊和/或邻苯二甲酸酯增塑剂,0-0.4%白炭黑补强剂,0.1-0.3%助剂;其特征在于:有机硅/环氧树脂基质中有机硅∶环氧树脂的重量配比为1∶1-1.4;纳米SiO↓[2-x]为p型,其活性比表面 积为640±5m↑[2]/g,表面羟基含量为48,平均粒径在20nm左右,纯度>99.9,密...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:方鲲赵毅黄劲松李传南杨开霞侯晶莹刘式墉
申请(专利权)人:吉林大学
类型:发明
国别省市:82[中国|长春]

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