【技术实现步骤摘要】
一种水冷真空测量缓冲管
本技术涉及一种单晶炉真空测量
,具体地涉及一种单晶炉真空测量用水冷真空测量缓冲管。
技术介绍
在硅单晶炉生产过程中,需要在长晶过程中控制炉内压力维持在1300Pa左右,这就需要对真空进行测量,真空测量传感器一般直接安装在后端气路管道上,单晶生产过程中会产生大量挥发物,挥发物在抽走的过程中极易凝结在真空测量传感器内部的测量元件上,造成测量偏差和传感器损坏。
技术实现思路
有鉴于此,本技术的主要目的是提供一种水冷真空测量缓冲管。本技术采用的技术方案是:一种水冷真空测量缓冲管,包括安装在气路管道和真空测量规管之间的缓冲管本体,所述缓冲管本体包括螺旋缓冲管以及螺旋缓冲管延伸出的上延伸管路和下延伸管路,所述下延伸管路上设置有冷却管路;所述下延伸管路上设置有第一真空快卸卡箍,该第一真空快卸卡箍与气路管道连接;所述上延伸管路上设置有第二真空快卸卡箍,该第二真空快卸卡箍与真空测量规管连接。本技术真空测量缓冲管为螺旋结构,减缓了挥发物对真空测量规管的直冲和运动速度,冷却管路使挥发物凝结在螺旋缓冲管侧壁上,从而保护了真空测量规管。附图说明图1为本技术的结构示意图;其中,各个部件的标记及名称如下:气路管道1;螺旋缓冲管2;上延伸管路22;下延伸管路21;第一真空快卸卡箍31;第二真空快卸卡箍32;真空测量规管4;冷却管路5。具体实施方式下面将结合附图以及具体实施例来详细说明本技术,在此本技术的示意性实施例以及说明用来解释本技术,但并不作为对本技术的限定。参照图1,本技术公开了一种水冷真空测量缓冲管,包括安装在气路管道1和真空测量规管4之间的缓冲管本体,所述 ...
【技术保护点】
一种水冷真空测量缓冲管,包括安装在气路管道(1)和真空测量规管(4)之间的缓冲管本体,其特征在于,所述缓冲管本体包括螺旋缓冲管(2)以及螺旋缓冲管(2)延伸出的上延伸管路(22)和下延伸管路(21),所述下延伸管路(21)上设置有冷却管路(5)。
【技术特征摘要】
1.一种水冷真空测量缓冲管,包括安装在气路管道(1)和真空测量规管(4)之间的缓冲管本体,其特征在于,所述缓冲管本体包括螺旋缓冲管(2)以及螺旋缓冲管(2)延伸出的上延伸管路(22)和下延伸管路(21),所述下延伸管路(21)上设置有冷却管路(5)。2.根据权利要求1所述的水冷真空...
【专利技术属性】
技术研发人员:武海军,时刚,刘统青,
申请(专利权)人:西安创联新能源设备有限公司,
类型:新型
国别省市:陕西,61
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