一种晶化纳米结构氧化锌透明导电薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种晶化纳米结构氧化锌透明导电薄膜的制备方法，其包括以下步骤：生长衬底预处理、生长氧化锌种子层、第一次晶化处理、生长氧化锌电流扩展层、第二次晶化处理、生长纳米结构氧化锌表面层、第三次晶化处理。本发明专利技术制备方法通过在生长衬底上生长三层氧化锌并分别进行晶化处理而制备一种晶化纳米结构氧化锌透明导电薄膜结构，其解决了现有LED技术中TCL性能和结构不足而无法满足高亮度、大功率和高可靠性应用领域需求的问题。

Preparation method of crystalline nanostructured Zinc Oxide transparent conductive film

The invention discloses a method for preparing nano crystallization structure of Zinc Oxide transparent conductive film, which comprises the following steps: substrate pretreatment, growth of the seed layer, Zinc Oxide first crystallization, Zinc Oxide current spreading layer, growth of second crystallization treatment, nano structured surface layer, Zinc Oxide third crystallization treatment. The preparation method of the invention is preparing a nano crystallization structure of transparent conductive film by Zinc Oxide Zinc Oxide in three layer growth substrates were crystallized, which solves the problem existing in LED technology TCL performance and lack of structure can not meet the high brightness, high power and high reliability applications demand problem.

【技术实现步骤摘要】
一种晶化纳米结构氧化锌透明导电薄膜的制备方法
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种晶化纳米结构氧化锌透明导电薄膜的制备方法，且还涉及该制备方法制备的晶化纳米结构氧化锌透明导电薄膜。
技术介绍
随着节能环保的社会理念发展，人们对高亮度、大功率LED产品的需求日趋高涨。这对发光二极管(lightemittingdiode,简称LED)的技术要求也越来越高。然而，目前LED的P型材料技术的不足相对限制了高亮度大功率LED产品的发展，例如AlGaInP系材料的LED结构，为了提高该结构的LED外量子效率需要在P型层上生长厚达8um以上的P-GaP窗口层，因而造成了MOCVD产能下降且使成本提高；AlGaInN系材料的LED结构，其P型材料质量更差，迫使人们使用PVD方式制作透明导电电极，方能得以应用。因此，寻求新型LED用功能材料成为当务之急。目前发展的透明导电半导体均为宽禁带氧化物半导体材料，即透明氧化物(transparentconductiveoxide，简称TCO)。该类薄膜是把光学透明性能与导电性能复合在一起的光电材料，其具有禁带宽、可见光谱区光、透射率高、电阻率低等优异的光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶化纳米结构氧化锌透明导电薄膜的制备方法，其包括以下步骤：S1)生长衬底预处理：将作为生长衬底进行酸碱化学表面清洁处理；S2)生长氧化锌种子层：利用金属有机化合物化学气相淀积法在已清洁的生长衬底沉积氧化锌种子层；S3)第一次晶化处理：将生长有氧化锌种子层的生长衬底进行高温退火晶化处理；S4)生长氧化锌电流扩展层：在第一次晶化处理后，利用金属有机化合物化学气相淀积法在已晶化的氧化锌种子层上生长氧化锌，以获得氧化锌电流扩展层；S5)第二次晶化处理：将生长有氧化锌电流扩展层的生长衬底进行高温退火晶化处理；S6)生长纳米结构氧化锌表面层：利用金属有机化合物化学气相淀积法在已晶化的氧化锌电流扩展层上...

【技术特征摘要】
2016.08.17 CN 20161068366601.一种晶化纳米结构氧化锌透明导电薄膜的制备方法，其包括以下步骤：S1)生长衬底预处理：将作为生长衬底进行酸碱化学表面清洁处理；S2)生长氧化锌种子层：利用金属有机化合物化学气相淀积法在已清洁的生长衬底沉积氧化锌种子层；S3)第一次晶化处理：将生长有氧化锌种子层的生长衬底进行高温退火晶化处理；S4)生长氧化锌电流扩展层：在第一次晶化处理后，利用金属有机化合物化学气相淀积法在已晶化的氧化锌种子层上生长氧化锌，以获得氧化锌电流扩展层；S5)第二次晶化处理：将生长有氧化锌电流扩展层的生长衬底进行高温退火晶化处理；S6)生长纳米结构氧化锌表面层：利用金属有机化合物化学气相淀积法在已晶化的氧化锌电流扩展层上生长纳米结构氧化锌表面层；S7)第三次晶化处理：在生长纳米结构氧化锌表面层后进行高温退火晶化处理，其中，步骤S3)、S5)和S7)的晶化处理过程中的退火温度分别大于或等于步骤S3)、S5)和...

【专利技术属性】
技术研发人员：王钢，陈梓敏，范冰丰，马学进，
申请(专利权)人：佛山市中山大学研究院，中山大学，
类型：发明
国别省市：广东,44