具有均匀编程特性的电可编程只读存储器件及其编程方法技术

一种EPROM器件包括从电源电压线分支的位线、与位线交叉的第一组使能信号线、分别位于位线与第一组使能信号线的交叉点处的单位单元、传输晶体管、负载晶体管、比较器以及使能信号发生器。传输晶体管中的一个和负载晶体管中的一个串联耦接在电源电压线与位线中的每个之间。比较器中的每个接收负载晶体管中的任何一个负载晶体管两端的电压以产生输出信号。使能信号发生器中的每个接收比较器的输出信号中的一个和第二组使能信号中的一个，且响应于编程电流达到参考值来输出第三组使能信号中的一个以关断传输晶体管中的一个。

Electrically programmable read only memory device with uniform programming characteristics and its programming method

A EPROM device includes a bit line, a branch from the power supply voltage line and cross line first enable signal line, located in line with the first set of transmission transistor, intersection signal line of the unit, unit load transistor, a comparator and an enable signal generator. One of the transmission transistors is connected with one of the load transistors in series between the power supply voltage line and the bit line. The voltage at either end of each load transistor in each receiving load transistor is used to generate an output signal. One of the output signals of each receiving comparator in the enable signal generator and one of the second group of enable signals, and in response to the programmed current reaching the reference value, outputs one of the third groups of enable signals to turn off one of the transmission transistors.

【技术实现步骤摘要】
具有均匀编程特性的电可编程只读存储器件及其编程方法相关申请的交叉引用本申请要求2016年5月17日提交的韩国专利申请号为10-2016-0060450的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用其整体合并于此，如同在本文中完全阐述一样。
本专利技术总体而言涉及非易失性存储器件，更具体地，涉及具有均匀编程特性的电可编程只读存储器(EPROM)器件及其编程方法。
技术介绍
半导体存储器件通常根据数据易失性划分为随机存取存储器(RAM)器件或只读存储器(ROM)器件。RAM器件在其电源中断时丢失其储存的数据。与此相反，ROM器件即使在其电源中断时也保留其储存的数据。ROM器件还可以根据数据输入方法即数据编程方法而划分为可编程ROM(PROM)器件或掩模ROM器件。PROM器件可以在没有被编程的情况下制造或售出，且在制造完成后可以由消费者(即，用户)直接编程。掩模ROM器件可以在制造期间利用基于用户所请求的数据而制造的注入掩模来编程。PROM器件可以包括一次PROM(OTPROM)器件、可擦除PROM(EPROM)器件以及电可擦除PROM(EEPROM)器件。一旦EPROM器件被编程，EPRO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电可编程只读存储器EPROM器件包括：从电源电压线分支的多个位线；与所述多个位线交叉的第一组使能信号线；分别位于所述多个位线与第一组使能信号线的交叉点处的多个单位单元；多个传输晶体管和多个负载晶体管，其中所述传输晶体管中的一个和所述负载晶体管中的一个串联耦接在电源电压线与所述多个位线中的每个位线之间；多个比较器，所述多个比较器中的每个被配置成接收所述负载晶体管中的任何一个负载晶体管两端的电压以产生输出信号；以及多个使能信号发生器，所述多个使能信号发生器中的每个被配置成接收所述比较器的输出信号中的一个和第二组使能信号中的一个，且被配置成如果从所述多个单位单元中选中的任何一个单位单元的编程电流...

【技术特征摘要】
2016.05.17 KR 10-2016-00604501.一种电可编程只读存储器EPROM器件包括：从电源电压线分支的多个位线；与所述多个位线交叉的第一组使能信号线；分别位于所述多个位线与第一组使能信号线的交叉点处的多个单位单元；多个传输晶体管和多个负载晶体管，其中所述传输晶体管中的一个和所述负载晶体管中的一个串联耦接在电源电压线与所述多个位线中的每个位线之间；多个比较器，所述多个比较器中的每个被配置成接收所述负载晶体管中的任何一个负载晶体管两端的电压以产生输出信号；以及多个使能信号发生器，所述多个使能信号发生器中的每个被配置成接收所述比较器的输出信号中的一个和第二组使能信号中的一个，且被配置成如果从所述多个单位单元中选中的任何一个单位单元的编程电流达到参考编程电流，则输出第三组使能信号中的一个以关断所述传输晶体管中的一个。2.如权利要求1所述的EPROM器件，其中，所述多个单位单元中的每个被配置成包括选择晶体管和单元晶体管，所述选择晶体管和所述单元晶体管串联耦接在所述位线中的任何一个位线与接地电压端子之间。3.如权利要求2所述的EPROM器件,其中，单元晶体管包括第一P沟道晶体管，且选择晶体管包括第二P沟道晶体管。4.如权利要求3所述的EPROM器件，其中，第一P沟道晶体管具有与浮栅相对应的栅极、耦接到接地电压端子的漏极、以及耦接到第二P沟道晶体管的漏极的源极；以及其中，第二P沟道晶体管具有耦接到第一组使能信号线中的一个使能信号线的栅极、耦接到所述多个位线中的一个位线的源极、以及耦接到第一P沟道晶体管的源极的漏极。5.如权利要求1所述的EPROM器件,其中，所述传输晶体管中的每个和所述负载晶体管中的每个分别包括第三P沟道晶体管和第四P沟道晶体管。6.如权利要求5所述的EPROM器件，其中，第三P沟道晶体管具有被施加第三组使能信号中的一个使能信号的栅极、经由第一节点耦接到电源电压线的源极、以及耦接到第二节点的漏极；以及其中，第四P沟道晶体管具有被施加第四组使能信号中的一个使能信号的栅极、耦接到第二节点的源极、以及经由第三节点耦接到所述多个位线中的一个位线的漏极。7.如权利要求6所述的EPROM器件，其中，当执行所述多个单位单元的编程操作时，第四组使能信号具有逻辑“低”电平。8.如权利要求7所述的EPROM器件，其中，所述比较器中的每个被配置成接收第二节点的电压和第三节点的电压并将第二节点的电压和第三节点的电压相互比较，以在执行所述多个单位单元的编程操作时，如果选中单位单元的编程电流小于参考编程电流，则产生具有逻辑“低”电平的输出...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋贤旻，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR