The utility model belongs to the semiconductor field, relates to a light emitting diode with nano structure, the contact surface between the electrode and the epitaxial layer adding nano structure and nano structure including high reflectivity nano wire connection electrode and the epitaxial layer, thereby enhancing the adhesion and current electrode and epitaxial layer expansion, reducing light absorbing electrode.
【技术实现步骤摘要】
具有纳米结构的发光二极管
本技术属于半导体领域,尤其涉及一种在电极与外延层接触面上设置纳米结构以增强电极粘附性和电流扩展性,减少电极吸光的发光二极管。
技术介绍
发光二极管包括衬底,以及沉积于衬底上的外延层,外延层由提供电子的N型层、提供空穴的P型层以及提供电子和空穴复合位置的发光层组成。在发光二极管上制备金属电极,通过金属电极与外源电源接通并向发光二极管内注入电流,以驱动电子和空穴在发光层内复合发光。通常,金属电极与外延层表面靠范德华力粘附在一起,然而由于电极粘附性不强,易出现掉电极的现象。另外,金属电极还导致电流拥挤和电极吸光的问题。
技术实现思路
为解决现有技术中的问题,本技术提供了具有纳米结构的发光二极管,至少包括从下至上的衬底、N型层、发光层、P型层、以及位于所述P型层表面的P电极和位于N型层表面的N电极,其特征在于:所述P电极与P型层接触位置具有第一纳米结构,所述第一纳米结构包括位于所述P型层上由第一纳米柱分隔成的第一纳米凹槽、位于所述P电极下表面由第二纳米柱分隔成的第二纳米凹槽,以及连接所述P电极和P型层的第一高反射率纳米线,所述第一高反射率纳米线上端和下端分别插入第一纳米凹槽和第二纳米凹槽内。优选的,所述N电极与N型层接触位置还具有第二纳米结构,所述第二纳米结构包括位于所述N型层上由第三纳米柱分隔成的第三纳米凹槽、位于所述N电极下表面由第四纳米柱分隔成的第四纳米凹槽,以及连接所述N电极和N型层的第二高反射率纳米线,所述第二高反射率纳米线上端和下端分别插入第三纳米凹槽和第四纳米凹槽内。优选的,所述第一高反射率纳米线的长度小于或等于第一纳米凹槽和第 ...
【技术保护点】
具有纳米结构的发光二极管,至少包括从下至上的衬底、N型层、发光层、P型层、以及位于所述P型层表面的P电极和位于N型层表面的N电极,其特征在于:所述P电极与P型层接触位置具有第一纳米结构,所述第一纳米结构包括位于所述P型层上由第一纳米柱分隔成的第一纳米凹槽、位于所述P电极下表面由第二纳米柱分隔成的第二纳米凹槽,以及连接所述P电极和P型层的第一高反射率纳米线,所述第一高反射率纳米线上端和下端分别插入第一纳米凹槽和第二纳米凹槽内。
【技术特征摘要】
1.具有纳米结构的发光二极管,至少包括从下至上的衬底、N型层、发光层、P型层、以及位于所述P型层表面的P电极和位于N型层表面的N电极,其特征在于:所述P电极与P型层接触位置具有第一纳米结构,所述第一纳米结构包括位于所述P型层上由第一纳米柱分隔成的第一纳米凹槽、位于所述P电极下表面由第二纳米柱分隔成的第二纳米凹槽,以及连接所述P电极和P型层的第一高反射率纳米线,所述第一高反射率纳米线上端和下端分别插入第一纳米凹槽和第二纳米凹槽内。2.根据权利要求1所述的具有纳米结构的发光二极管,其特征在于:所述N电极与N型层接触位置还具有第二纳米结构,所述第二纳米结构包括位于所述N型层上由第三纳米柱分隔成的第三纳米凹槽、位于所述N电极下表面由第四纳米柱分隔成的第四纳米凹槽,以及连接所述N电极和N型层的第二高反射率纳米线,所述第二高反射率纳米线上端和下端分别插入第三纳米凹槽和第四纳米凹槽内。3.根据权利要求1所述的具有纳米结构的发...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹玉飞,柯荣庆,梁玄彦,梅震,邱智中,张家宏,
申请(专利权)人:安徽三安光电有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽,34
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