一种纳米图形化衬底制造技术

本实用新型专利技术涉及一种纳米图形化衬底，所述纳米图形化衬底包括基本衬底和形成在所述基本衬底上的蜂窝状的凸起结构，蜂窝状凸起结构的周期为100‑5000 nm，高度为10‑5000 nm。本实用新型专利技术的优点在于：本实用新型专利技术纳米图形化衬底，与传统纳米图形化衬底相比，改基本衬底上的圆柱凸起为蜂窝状结构，当纳米图形的周期减小并保持占空比不变的情况下，蜂窝状的nPSS比传统的圆柱形nPSS有更大的图形间隙，这就更加容易实现工艺可控。

A nano patterned substrate

The utility model relates to a nano patterned substrate, wherein the nano patterned substrate includes basic substrate and formed on the basic substrate honeycomb convex structure, honeycomb convex structure for 100 cycle 5000 height is 10 nm, 5000 nm. The utility model has the advantages that: the utility model of nano patterned substrate, compared with the traditional nano patterned substrates, modified cylindrical protrusions on the substrate as the basic cellular structure, cycle when nano pattern is reduced and the duty ratio remained unchanged, the nPSS cellular graphics gap greater than the traditional cylindrical nPSS it is easier to achieve, process control.

【技术实现步骤摘要】
一种纳米图形化衬底
本技术涉及发光二极管衬底，特别涉及一种纳米图形化衬底。
技术介绍
GaN基LED与传统的光源相比具有体积小、寿命长、效率高、节能环保等优点，目前已广泛应用于显示、指示灯、背光灯、固态照明、交通信号灯、短程光学通信和生物传感器等各个领域。由于缺少大尺寸的GaN衬底，目前GaN薄膜一般是在蓝宝石、碳化硅或硅等衬底上通过异质外延方式进行生长。蓝宝石由于价格便宜，化学稳定性和热稳定性良好，是目前商业化GaN基LED最常用的衬底。然而，GaN外延层与蓝宝石之间的晶格失配度达到16％，使得GaN薄膜在异质外延过程中产生大量的位错，晶体质量较差。同时GaN外延层与空气之间大的折射率差使得LED有源区内产生的光由于全反射效应而大部分无法出射，仅有约少量的光可以从逃逸角射出，这两个因素极大地限制了GaN基LED的出光效率。图形化蓝宝石衬底(PSS)一方面能够有效减少GaN异质外延层的位错密度，提高薄膜的晶体质量；另一方面能够改变LED器件内部光的传播方向，使一大部分全反射光重新进入逃逸角从而显著提高LED的光提取效率。其中，纳米图形化蓝宝石衬底要优于微米图形化蓝宝石衬底。目前，纳米本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米图形化衬底，其特征在于：所述纳米图形化衬底包括基本衬底和形成在所述基本衬底上的蜂窝状结构，蜂窝状结构的周期为100‑5000 nm，高度为10‑5000 nm。

【技术特征摘要】
2017.02.23 CN 20172016635421.一种纳米图形化衬底，其特征在于：所述纳米图形化衬底包括基本衬底和形成在所述基本衬底上的蜂窝状结构，蜂窝状结构的周期为100-5000nm，高度为10-5000nm。2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁宗文，吴自力，孙智江，
申请(专利权)人：海迪科南通光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32