发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发光装置，包含：一基板，具有一第一上表面以及多个侧表面；以及一半导体叠层，位于第一上表面上；其中半导体叠层具有一第二上表面相对于第一上表面；其中，基板包含多个切割图案，该些切割图案延伸分布于该些侧表面其中的一个侧表面上，并占据该侧表面的部分面积，且第二上表面至切割图案的深度介于5μm到50μm间。

Light emitting device

The invention discloses a light emitting device comprises a substrate having a first surface and a plurality of side surfaces; and a semiconductor layer, is located on the first upper surface; wherein the semiconductor layer has a second surface relative to the first surface; wherein the substrate comprises a plurality of cutting pattern, the cutting pattern extends located in a side surface of the side surface of the upper part, and occupy the area of the side surface, and second surface to the cutting pattern depth ranged from 5 m to 50 m.

【技术实现步骤摘要】
发光装置本专利技术是中国专利技术专利申请(申请号：201310029639.8，申请日：2013年1月25日，专利技术名称：发光装置的制造方法)的分案申请。
本专利技术涉及一种发光装置及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED)的发光原理是因电子移动于n型半导体与p型半导体间释放出能量。由于发光二极管的发光原理不同于加热灯丝的白炽灯，所以发光二极管又称作冷光源。再者，发光二极管较佳的环境耐受度、更长的使用寿命、更轻及便携性、以及较低的耗能让它被视为照明市场中光源的另一选择。发光二极管被应用于如交通号志、背光模块、街灯、以及医疗设备等不同领域，且已逐渐地取代传统的光源。图1是说明一现有的发光元件100，其包含一透明基板10，一半导体叠层12形成于透明基板10之上，以及一电极14形成于半导体叠层12之上，其中半导体叠层12包含一第一导电性半导体层120、一主动层122以及一第二导电性半导体层124。发光元件100可更进一步的连接于其他元件以形成一发光装置。发光元件100可通过具有基板10的那一侧连接于一次载体上，或以焊料或胶材形成于次载体与发光元件100间，以形成一发光装置。此外，次载本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包含：基板，具有一第一上表面以及多个侧表面；以及半导体叠层，位于该第一上表面上；其中该半导体叠层具有一第二上表面相对于该第一上表面；其中，该基板包含多个切割图案，该些切割图案延伸分布于该些侧表面其中的一个侧表面上，并占据该侧表面的部分面积，且该第二上表面至该些切割图案的深度介于5μm到50μm间。

【技术特征摘要】
2012.01.26 US 13/358,8691.一种发光装置，包含：基板，具有一第一上表面以及多个侧表面；以及半导体叠层，位于该第一上表面上；其中该半导体叠层具有一第二上表面相对于该第一上表面；其中，该基板包含多个切割图案，该些切割图案延伸分布于该些侧表面其中的一个侧表面上，并占据该侧表面的部分面积，且该第二上表面至该些切割图案的深度介于5μm到50μm间。2.如权利要求1所述的发光装置，其中该第二上表面至该些切割图案的深度介于10μm到30μm间。3.如权利要求1所述的发光装置，其中该些切割图案的每一个具有一尖锐末端，相邻的该些尖锐末端相距1μm到10μm。4.如权利要求3所述的发光装置，其中该些相邻的切割图案的该尖锐末端的间距大致相同。5.如权利要求1所述的发光装置，其中该多个切割图案的剖面视图形成一波浪状图形。6.如权利要求3所述的发光装置，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志辉，叶宗宝，张益逞，廖椿民，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71