刻蚀管控系统及其管控方法和刻蚀机台技术方案

本发明专利技术提供一种刻蚀管控系统及其管控方法和刻蚀机台。该刻蚀管控系统包括：依次通讯连接的测量模块、处理模块、转换模块以及采集模块。该刻蚀管控方法包括：获取半导体制品上表面膜的初始厚度信息，以及刻蚀液的浓度信息；根据所述刻蚀液的浓度与刻蚀速率之间的映射关系，获取所述刻蚀液的浓度信息对应的刻蚀速率信息；根据所述刻蚀速率信息、所述初始厚度信息，以及所述表面膜的目标厚度信息，获得刻蚀时间，并按所述刻蚀时间对所述半导体制品进行刻蚀。本发明专利技术通过设置转换模块和采集模块，并建立刻蚀速率与刻蚀液浓度之间的函数关系，使得刻蚀速率可直接通过测量刻蚀液浓度的方式获得，从而使获得的刻蚀时间更准确，提高了工艺稳定性。

Etching management and control system and its control method and etching machine

The invention provides an etching management and control system and its control method and etching machine. The etching management and control system includes measurement module, processing module, conversion module and acquisition module which are communicated and connected sequentially. The control method includes etching: initial thickness of semiconductor products to obtain information of the surface film, and etching liquid concentration information; according to the mapping relationship between the concentration and the etching rate of the etching solution, etching rate information corresponding concentration information obtaining the etching liquid; according to the etching rate, the thickness of the initial information information, and the surface film thickness target information, obtain the etching time, and according to the etching time of the semiconductor etching products. By setting the conversion module and acquisition module, and establish the function relationship between etching rate and etching liquid concentration, can be directly measured by the way of obtaining the concentration of etchant etching rate, etching time thus obtained is more accurate and improve process stability.

【技术实现步骤摘要】
刻蚀管控系统及其管控方法和刻蚀机台
本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种刻蚀管控系统及其管控方法和刻蚀机台。
技术介绍
先进控制系统是企业实现先进控制(AdvancedProcessControl，简称“APC”)的基础，图1提供了一种现有的先进控制系统，用于对半导体制品的刻蚀工艺进行管控。如图1所示，该先进控制系统包括测量模块101和处理模块102。该先进控制系统的管控过程具体为：测量模块101测量刻蚀之前半导体制品表面之氧化膜的厚度，得到一个膜厚的前值，并将该前值发送给处理模块102；接着，处理模块102对所述半导体制品表面之氧化膜进行刻蚀，刻蚀完成后，测量模块101测量刻蚀后的氧化膜厚度，得到一个膜厚的后值，测量模块101将该后值发送给处理模块102；之后，处理模块102根据前值和后值得到刻蚀量，并根据所述刻蚀量和刻蚀时间得到当前半导体制品的刻蚀速率；最后，处理模块102以当前半导体制品的刻蚀速率作为下一个同类型半导体制品的刻蚀速率，那么，在刻蚀量和刻蚀速率均一定的情况下，即可获得所述下一个同类型半导体制品的刻蚀时间，并以此刻蚀时间来管控所述下一个同类型半导体制品的刻蚀过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种刻蚀管控系统，其特征在于，包括依次通讯连接的测量模块、处理模块、转换模块以及采集模块；其中，所述测量模块用于获取半导体制品上一表面膜在被刻蚀液刻蚀之前的初始厚度信息并反馈给所述处理模块，所述表面膜还对应有目标厚度信息；所述采集模块用于获取所述刻蚀液的浓度信息并反馈给所述转换模块；所述转换模块用于根据所述刻蚀液的浓度与刻蚀速率之间的映射关系，获取所述刻蚀液的浓度信息对应的刻蚀速率信息并反馈给所述处理模块；所述处理模块用于根据所述刻蚀速率信息、所述表面膜的初始厚度信息以及目标厚度信息，获取所述半导体制品的刻蚀时间，以根据该刻蚀时间对所述半导体制品进行刻蚀。

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀管控系统，其特征在于，包括依次通讯连接的测量模块、处理模块、转换模块以及采集模块；其中，所述测量模块用于获取半导体制品上一表面膜在被刻蚀液刻蚀之前的初始厚度信息并反馈给所述处理模块，所述表面膜还对应有目标厚度信息；所述采集模块用于获取所述刻蚀液的浓度信息并反馈给所述转换模块；所述转换模块用于根据所述刻蚀液的浓度与刻蚀速率之间的映射关系，获取所述刻蚀液的浓度信息对应的刻蚀速率信息并反馈给所述处理模块；所述处理模块用于根据所述刻蚀速率信息、所述表面膜的初始厚度信息以及目标厚度信息，获取所述半导体制品的刻蚀时间，以根据该刻蚀时间对所述半导体制品进行刻蚀。2.如权利要求1所述的刻蚀管控系统，其特征在于，所述刻蚀管控系统还包括与所述转换模块通讯连接的显示模块，所述显示模块用于实时显示所述刻蚀速率信息。3.如权利要求2所述的刻蚀管控系统，其特征在于，所述显示模块用于将所述刻蚀速率信息以单个数值的方式和/或以相对于时间的变化关系进行实时显示。4.如权利要求2所述的刻蚀管控系统，其特征在于，所述显示模块包括人机交互界面，所述人机交互界面用于对刻蚀工艺参数进行设置。5.如权利要求2所述的刻蚀管控系统，其特征在于，所述显示模块具有一数据交换端口，所述数据交换端口用于与外界进行数据交换。6.如权利要求1所述的刻蚀管控...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇培，仓凌盛，张传民，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31