曝光光罩以及光阻材料图形化方法技术

本发明专利技术公开了一种曝光光罩，其包括第一曝光区域、第二曝光区域和包围所述第一曝光区域和第二曝光区域的遮光区域，所述第二曝光区域邻近于所述第一曝光区域的边缘设置，所述第二曝光区域包括按照逐渐远离所述第一曝光区域的方向依次并行排列第1至第M个子曝光区域；其中，第n个子曝光区域的曝光分辨率大于第n+1个子曝光区域的曝光分辨率；其中，M为大于2的整数，n＝1、2、3、…、M‑1。本发明专利技术还公开了一种光阻材料图形化方法，采用本发明专利技术提供的曝光光罩对图形化的光阻结构层进行二次曝光、显影，实现在指定位置对光阻结构层的坡度角(taper angle)进行变更调整。

Exposure mask and patterning method of photoresist material

The invention discloses an exposure mask, which comprises a first exposure area, second exposure area and surrounds the first exposure area and second shading area exposure, the second exposure area adjacent to the first exposure area is arranged at the edge of the area, including second exposure according to gradually away from the first exposure area in the direction of parallel arrangement of first to the M sub region where the exposure; n sub exposure resolution areas greater than the n+1 sub exposure resolution areas; among them, M is the integer greater than 2, n = 1, 2, 3,... M, 1. The invention also discloses a photoresist patterning method, the invention adopts two times of exposure, photoresist layer structure exposure mask provided for graphical development, realized in the slope specified position on the photoresist layer angle (taper angle) change adjustment.

【技术实现步骤摘要】
曝光光罩以及光阻材料图形化方法
本专利技术属于显示器
，涉及一种曝光光罩，还涉及使用前述曝光光罩的光阻材料图形化方法。
技术介绍
目前，在显示基板制作过程中一般采用阵列工艺在衬底基板上形成图案化阵列，从而得到显示基板；这些显示基板种类比较多，例如常见的薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光基板、有机发光二极管阵列基板或低温多晶硅阵列基板等。显示基板通常采用多次构图工艺制备形成，每一次构图工艺一般包括成膜、涂胶、曝光、显影以及刻蚀的步骤，即先利用成膜工艺在衬底基板上形成一层基材薄膜，然后利用涂胶工艺在该基材薄膜上涂布光刻胶形成光胶层，并在曝光工艺中利用曝光机和掩膜板(MASK)对光胶层进行曝光，使光胶层中曝光的部分发生变性，接着在显影工艺中通过显影液对曝光后的光胶层进行显影，以除去光胶层中发生变性的部分，使光胶层图案化，形成光刻胶掩膜层；最后以光刻胶掩膜层为掩膜，利用刻蚀工艺刻蚀基材薄膜，使基材薄膜图案化，形成与光刻胶掩膜层的图形一致的膜层结构。显示基板中的一些结构层，其材料使用的是光阻材料，光阻材料层的构图工艺一般包括涂胶、曝光以及显影的步骤即可。如图1所示，光阻材料的图形化工艺包括：(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曝光光罩，其特征在于，包括第一曝光区域、第二曝光区域和包围所述第一曝光区域和第二曝光区域的遮光区域，所述第二曝光区域邻近于所述第一曝光区域的边缘设置，所述第二曝光区域包括按照逐渐远离所述第一曝光区域的方向依次并行排列第1至第M个子曝光区域；其中，第n个子曝光区域的曝光分辨率大于第n+1个子曝光区域的曝光分辨率；其中，M为大于2的整数，n＝1、2、3、…、M‑1。

【技术特征摘要】
1.一种曝光光罩，其特征在于，包括第一曝光区域、第二曝光区域和包围所述第一曝光区域和第二曝光区域的遮光区域，所述第二曝光区域邻近于所述第一曝光区域的边缘设置，所述第二曝光区域包括按照逐渐远离所述第一曝光区域的方向依次并行排列第1至第M个子曝光区域；其中，第n个子曝光区域的曝光分辨率大于第n+1个子曝光区域的曝光分辨率；其中，M为大于2的整数，n＝1、2、3、…、M-1。2.根据权利要求1所述的曝光光罩，其特征在于，第1至第M个子曝光区域的曝光分辨率等比递减。3.根据权利要求2所述的曝光光罩，其特征在于，第n+1个子曝光区域的曝光分辨率相比于第n个子曝光区域的曝光分辨率减小15％～25％。4.根据权利要求3所述的曝光光罩，其特征在于，第n+1个子曝光区域的曝光分辨率相比于第n个子曝光区域的曝光分辨率减小20％。5.根据权利要求2所述的曝光光罩，其特征在于，所述第1个子曝光区域的曝光分辨率为曝光设备的曝光分辨率的60％，所述第M个子曝光区域的曝光分辨率为曝光设备的曝光分辨率的10％。6.根据权利要求1所述的曝光光罩，其特征在于，M取值范围是...

【专利技术属性】
技术研发人员：李燕，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42