一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器；所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器包括上电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第二导电类型埋层、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区和下电极层。所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。

A Schottky barrier contact trench type super barrier rectifier

The utility model discloses a trench Schottky barrier contact trench type super barrier rectifier; the Schottky barrier contact super barrier rectifier comprises an upper electrode layer, a first conductive type heavily doped substrate layer, a first conductive type epitaxial layer, a second conductivity type body region, lightly doped second conductive type buried layer and a gate dielectric layer, a gate electrode layer, Schottky contact zone and lower electrode layer. The trench Schottky barrier contact super barrier rectifier is super barrier rectifier type, forming manufacturing technology which can adjust the Schottky barrier contact zone can be used conventional Schottky barrier, according to the matching relation between the specific application of convenient conditions for the regulation of reverse leakage current level and between the conducting ability. Thus, the Schottky barrier contact trench type super barrier rectifier has the advantages of simple manufacturing process and convenient application.

【技术实现步骤摘要】
一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器
本技术涉及功率半导体电力电子器件
，具体是一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器。
技术介绍
功率半导体整流器，广泛应用于功率转换器和电源中。两种基本结构的功率半导体整流器是PIN功率整流器和肖特基势垒整流器。其中PIN功率整流器正向压降大，反向恢复时间长，但漏电较小，并且具有优越的高温稳定性，主要应用于300V以上的中高压范围。肖特基势垒整流器主要应用于200V以下的中低压范围，其正向压降小，反向恢复时间短，但反向漏电流较高，高温可靠性较差。结势垒控制整流器(JBS)和混合PIN/肖特基整流器(MPS)，结合了PIN功率整流器和肖特基势垒功率整流器的优点，是适用于中高压范围的常用整流器结构。超势垒整流器，在阳极和阴极之间整合并联的整流二极管和MOS晶体管来形成具有较低正向导通电压、较稳定高温性能的整流器件，在100V以下的应用中具有明显的竞争优势。已经公开的典型的超势垒整流器有多种结构和相应的制造方法，但其器件结构和制造工艺相对较复杂、不能更加灵活的调节正向导通能力和反向漏电流水平之间的优化关系。
技术实现思路
本技术的目的是解决现有技术中，超本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器，其特征在于：包括下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、轻掺杂第一导电类型外延层(30)、第二导电类型体区(40)、第二导电类型埋层(50)、栅介质层(60)、栅电极层(70)、肖特基势垒接触区(80)和上电极层(90)；所述重掺杂第一导电类型衬底层(20)覆盖于下电极层(10)之上；所述轻掺杂第一导电类型外延层(30)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(20)之上；所述第二导电类型体区(40)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面；所述第二导电类型埋层(50)浮空于轻掺杂第一导电类型外延层(30)内部；所述栅介质层(60)嵌入于轻...

【技术特征摘要】
1.一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器，其特征在于：包括下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、轻掺杂第一导电类型外延层(30)、第二导电类型体区(40)、第二导电类型埋层(50)、栅介质层(60)、栅电极层(70)、肖特基势垒接触区(80)和上电极层(90)；所述重掺杂第一导电类型衬底层(20)覆盖于下电极层(10)之上；所述轻掺杂第一导电类型外延层(30)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(20)之上；所述第二导电类型体区(40)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面；所述第二导电类型埋层(50)浮空于轻掺杂第一导电类型外延层(30)内部；所述栅介质层(60)嵌入于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面,所述栅介质层(60)呈U型结构；所述栅电极层(70)覆盖于栅介质层(60)的U型内部；所述肖特基势垒接触区(80)覆盖于第二导电类型体区(40)之上；所述上电极层(90)覆盖于栅介质层(60)、栅电极层(70)和肖特基势垒接触区(80)之上。2.根据权利要求1所述的一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器，其特征在于：所述栅介质层(60)的材料包括二氧化硅或氮氧化硅；所述栅电极层(70)的材料包括多晶硅材料；所述肖特基势垒接触区(80)包括高级硅化物；所述高级硅化物包括钛硅、铂硅或镍铂硅材料。3.一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器，其特征在于：包括下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、轻掺杂第一导电类型外延层(30)、第二导电类型体区(40)、第二导电类型埋层(50)、栅介质层(...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文锁，张培健，钟怡，刘建，陆泽灼，
申请(专利权)人：重庆中科渝芯电子有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆,50