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本实用新型公开了一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器；所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器包括上电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第二导电类型埋层、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区和下电极...
该专利属于重庆中科渝芯电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆中科渝芯电子有限公司授权不得商用。

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