一种半导体器件及制备方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有第一半导体材料层、牺牲层和图案化的第二半导体材料层，其中，所述第二半导体材料层包括主芯片区域和接触区域；在所述第二半导体材料层的侧壁上形成间隙壁；图案化所述牺牲层，以在所述牺牲层中形成隔离沟槽，同时去除所述接触区域中所述第二半导体材料层侧壁上的所述间隙壁；在所述牺牲层和所述第二半导体材料层上形成覆盖层，以覆盖所述接触区域中的侧壁，同时填充所述隔离沟槽；湿法蚀刻去除所述牺牲层和剩余的所述间隙壁，以在所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间形成空腔。所述方法解决了接触区域断裂的问题。

A semiconductor device and its preparation method and electronic device

The invention provides a semiconductor device, a preparation method and an electronic device. The method includes: providing a semiconductor substrate on the semiconductor substrate are sequentially formed on the first semiconductor material layer, the sacrificial layer and patterned semiconductor layer second, wherein, the second layer of semiconductor material comprises a main chip area and the contact area; clearance wall is formed in the second semiconductor material layer on the side wall; patterning the sacrificial layer to form the isolation trench in the sacrificial layer, and removing the gap in contact with the wall of the second region of the semiconductor material layer on the side wall of the sacrificial layer; and the second half in the cover layer formed of conductive material layer, so as to cover the exposed side the wall area, while filling the isolation trench; wet etching to remove the sacrificial layer and the rest of the gap in the wall, the first semiconductor material layer and the second semiconductor materials Cavities are formed between layers. The method solves the problem of contact zone fracture.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及制备方法、电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，在传感器(motionsensor)类产品的市场上，智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。其中，MEMS传感器广泛应用于汽车电子：如TPMS、发动机机油压力传感器、汽车刹车系统空气压力传感器、汽车发动机进气歧管压力传感器(TMAP)、柴油机共轨压力传感器；消费电子：如胎压计、血压计、橱用秤、健康秤，洗衣机、洗碗机、电冰箱、微波炉、烤箱、吸尘器用压力传感器，空调压力传感器，洗衣机、饮水机、洗碗机、太阳能热水器用液位控制压力传感器；工业电子：如数字压力表、数字流量表、工业配料称重等，电子音像领域：麦克风等设备。在MEMS领域中，有一部分产品，为了实现MEMS器件功能，需要在MEMS器件中形成空腔，但是在形成空腔过程中由于牺牲层上方的背板包括中心区域和接触区域，在去除牺牲层的时候很容易对所述接触区域下方的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有第一半导体材料层、牺牲层和图案化的第二半导体材料层，其中，所述第二半导体材料层包括主芯片区域和位于所述主芯片区域一侧的接触区域；在所述第二半导体材料层的侧壁上形成间隙壁；图案化所述牺牲层，以在所述牺牲层中形成隔离沟槽，同时去除所述接触区域中所述第二半导体材料层侧壁上的所述间隙壁，以露出所述接触区域中所述第二半导体材料层的侧壁；在所述牺牲层和所述第二半导体材料层上形成覆盖层，以覆盖所述接触区域中露出的所述第二半导体材料层的侧壁，同时填充所述隔离沟槽；湿法蚀刻去除所述牺牲层和剩余的所述间隙壁，以在所述第...

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有第一半导体材料层、牺牲层和图案化的第二半导体材料层，其中，所述第二半导体材料层包括主芯片区域和位于所述主芯片区域一侧的接触区域；在所述第二半导体材料层的侧壁上形成间隙壁；图案化所述牺牲层，以在所述牺牲层中形成隔离沟槽，同时去除所述接触区域中所述第二半导体材料层侧壁上的所述间隙壁，以露出所述接触区域中所述第二半导体材料层的侧壁；在所述牺牲层和所述第二半导体材料层上形成覆盖层，以覆盖所述接触区域中露出的所述第二半导体材料层的侧壁，同时填充所述隔离沟槽；湿法蚀刻去除所述牺牲层和剩余的所述间隙壁，以在所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间形成空腔。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，图案化所述牺牲层步骤中所使用的光罩具有所述隔离沟槽的图案以及所述接触区域中所述间隙壁的图案，以在形成所述隔离沟槽的同时去除所述接触区域中的所述间隙壁。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述接触区域呈长条结构。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二半导体材料层的图案化方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：王强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31