【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种新结构的发光材料和使用该发光材料的有机发光器件。本申请要求获得于2005年11月18日提交的韩国专利申请号10-2005-111004和于2006年5月17日提交的韩国专利申请号10-2006-0044097的优先权，其全部内容在此完全引入作为参考。
技术介绍
通常，术语“有机发光现象”指电能通过有机材料转化成光能的现象。利用有机发光现象的有机发光二极管具有通常包括阳极、阴极和置于其间的有机材料层的结构。此处，为了提高有机发光二极管的效率和稳定性，有机材料层可以主要以包括不同材料的层的多层结构形成，例如，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等。在具有这种结构的有机发光二极管中，当在两个电极之间施加电压时，空穴从阳极以及电子从阴极被注入到有机材料层，注入的空穴和电子结合在一起形成激子。进而，当激子跌到基态时发出光。已知这种有机发光器件具有如自发光、高亮度、高效率、低驱动电压、宽视角、高对比度和高速响应的特性。用于有机发光二极管的有机材料层的材料根据其功能可以分成发光材料和电荷传输材料，如空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料和...
【技术保护点】
一种由下面化学式１表示的化合物： ［化学式１］ （Ｒ↑［１］）↓［ｎ］－＊－（Ｒ↑［２］）↓［ｍ］ 其中，Ａｒ↑［１］为由选自包括Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２０］烷基、Ｃ↓［２］－Ｃ↓［２０］链烯基、Ｃ↓［２］－Ｃ↓［２０］炔基、Ｃ↓［３］－Ｃ↓［２０］环烷基、Ｃ↓［３］－Ｃ↓［２０］杂环烷基、Ｃ↓［６］－Ｃ↓［２０］芳基、Ｃ↓［５］－Ｃ↓［２０］杂芳基和芳基胺基的组的至少一个基团取代的或未取代的Ｃ↓［５］－Ｃ↓［２０］亚芳基， Ａｒ↑［２］为Ｃ↓［６］－Ｃ↓［２０］芳基，其在除了与－（Ｒ↑［１］）↓［ｎ］、－（Ｒ↑［２］）↓［ｍ］和Ｌ键合的位置之外的位置含...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2005-11-18 10-2005-0111004;KR 2006-5-17 10-20061.一种由下面化学式1表示的化合物：[化学式1]其中，Ar1为由选自包括C1-C20烷基、C2-C20链烯基、C2-C20炔基、C3-C20环烷基、C3-C20杂环烷基、C6-C20芳基、C5-C20杂芳基和芳基胺基的组的至少一个基团取代的或未取代的C5-C20亚芳基，Ar2为C6-C20芳基，其在除了与-(R1)n、-(R2)m和L键合的位置之外的位置含有氢原子，L为直接键；由选自包括C1-C20烷基、C2-C20链烯基、C2-C20炔基、C3-C20环烷基、C3-C20杂环烷基、C6-C20芳基和C5-C20杂芳基的组的至少一个基团取代的或未取代的C5-C20亚芳基；或由选自包括C1-C20烷基、C2-C20链烯基、C2-C20炔基、C3-C20环烷基、C3-C20杂环烷基、C6-C20芳基和C5-C20杂芳基的组的至少一个基团取代的或未取代的C5-C20杂亚芳基，R1和R2各独立地为或且在Ar2为C6芳基的情况下，不位于相对于L的对位，其中Ar3为由选自包括C1-C20烷基、C2-C20链烯基、C2-C20炔基、C3-C20环烷基、C3-C20杂环烷基、C6-C20芳基、C5-C20杂芳基和芳基胺基的组的至少一个基团取代的或未取代的C6-C20芳基；或由选自包括C1-C20烷基、C2-C20链烯基、C2-C20炔基、C3-C20环烷基、C3-C20杂环烷基、C6-C20芳基和C5-C20杂芳基的组的至少一个基团取代的或未取代的C5-C20杂芳基，Z为氢原子；由选自包括C1-C20烷基、C2-C20链烯基、C2-C20炔基、C3-C20环烷基、C3-C20杂环烷基、C6-C20芳基和C5-C20杂芳基的组的至少一个基团取代的或未取代的C1-C20烷基；由选自包括C1-C20烷基、C2-C20链烯基、C2-C20炔基、C3-C20环烷基、C3-C20杂环烷基、C6-C20芳基和C5-C20杂芳基的组的至少一个基团取代的或未取代的C2-C20链烯基；由选自包括C1-C20烷基、C2-C20链烯基、C2-C20炔基、C3-C20环烷基、C3-C20杂环烷基、C6-C20芳基和C5-C20杂芳基的组的至少一个基团取代的或未取代的C2-C20炔基；由选自包括C1-C20烷基、C2-C20链烯基、C2-C20炔基、C3-C20环烷基、C3-C20杂环烷基、C6-C20芳基和C5-C20杂芳基的组的至少一个基团取代的或未取代的C6-C20芳基；或由选自包括C1-C20烷基、C2-C20链烯基、C2-C20炔基、C3-C20环烷基、C3-C20杂环烷基、C6-C20芳基和C5-C20杂芳基的组的至少一个基团取代的或未取代的C5-C20杂芳基，以及n和m各为0～3的整数，条件为n+m≥1。2.根据权利要求1所述的化合物，其中在化学式1中，Ar1为选自包括的组的基团，且这些基团可以由选自包括C1-C20烷基、C2-C20链烯基、C2-C20炔基、C3-C20环烷基、C3-C20杂环烷基、C6-C20芳基和C5-C20杂芳基的组的至少一个基团取代。3.根据权利要求1所述的化合物，其中在化学式1中，Ar1选自由下面结构式表示的亚蒽基团，并且这些基团可以由选自包括C1-C20烷基、C2-C20链烯基、C2-C20炔基、C3-C20环烷基、C3-C20杂环烷基、C6-C20芳基和C5-C20杂芳基的组的至少一个基团取代：4.根据权利要求1所述的化合物，其中在化学式1中，Ar2选自包括苯基、联苯基、萘基和蒽基的组。5.根据权利要求1所述的化合物，其中在化学式1中，L为直接键，或选自包括亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚吡啶基、亚联吡啶基、亚咔唑基、亚苯硫基、亚喹啉基和亚异喹啉基的组。6.根据权利要求1所述的化合物，其中在化学式1中...
【专利技术属性】
技术研发人员：金公谦，张惠荣，洪性佶，吕性珍，全相映，
申请(专利权)人：LG化学株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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