一种自限制精确刻蚀硅的方法及其专用装置制造方法及图纸
A method of self limiting accurate etching of silicon and its special device
The invention discloses a method for self limiting precise etching of silicon and a special device thereof, which comprises the following steps: 1) the formation of Si self limiting surface oxidation layer of Si Br; 2) redundant Br based atmosphere removal; 3) to remove Si HBr Taiwan high temperature; 4) repeat step 1) ~3), to achieve the fine accurately control the etching amount. Since the method of the present invention limit precise etching of silicon and a special device not only has the atomic level of self limiting ability, and can realize 3D (horizontal and vertical processing) processing, also the equipment itself does not require the existing technical scheme of control ability is so high.
【技术实现步骤摘要】
一种自限制精确刻蚀硅的方法及其专用装置
本专利技术属于半导体芯片或纳米微结构制造
，具体涉及一种自限制精确刻蚀硅的方法及其专用装置。
技术介绍
集成电路（integratedcircuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路专利技术者为杰克•基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特•诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。随着技术的不断发展，晶体管的特征尺寸不断缩小，目前正在由5nm向更小的技术迈进，沟道也由平面发展到鳍形（FinFet）再到纳米线（nanowire），所以对其制造技术提出了更高的要求，尤其是三维加工能力。原子层刻蚀技术（Atomiclayeretching）是一项新兴的刻蚀技术，目前有设备厂商...
【技术保护点】
一种自限制精确刻蚀硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）Si表面自我限制氧化层Si‑Br的形成；2）多余Br基气氛去除；3）传到高温台去除Si‑HBr；4）重复步骤1）~3），实现精确控制刻蚀量。
【技术特征摘要】
1.一种自限制精确刻蚀硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）Si表面自我限制氧化层Si-Br的形成；2）多余Br基气氛去除；3）传到高温台去除Si-HBr；4）重复步骤1）~3），实现精确控制刻蚀量。2.根据权利要求1所述的自限制精确刻蚀硅的方法，其特征在于，制备之前：用长膜和光刻及刻蚀技术，生长出阻挡层SiO2厚度1~10nm，Si厚度50~100nm，硬掩蔽层SiN厚度1~10nm；光刻出90nm~45nm尺寸的线或柱，去除光刻胶。3.根据权利要求2所述的自限制精确刻蚀硅的方法，其特征在于，在真空反应腔内的低温基座上，-60~140℃，用HBr气体10sccm~1000sccm，ICP源等离子功率100W~1000W，气压为3mT~900mT，处理时间为1s~10s，通入N2吹扫抽除HBr残气。4.根据权利要求2所述的自限制精确刻蚀硅的方法，其特征在于，机械手将硅片传至高温基座上，160~80...
【专利技术属性】
技术研发人员：许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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