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本发明公开了一种自限制精确刻蚀硅的方法及其专用装置，包括以下步骤：1）Si表面自我限制氧化层Si‑Br的形成；2）多余Br基气氛去除；3）传到高温台去除Si‑HBr；4）重复步骤1）~3），实现精确控制刻蚀量。本发明的自限制精确刻蚀硅的方法...
该专利属于江苏鲁汶仪器有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏鲁汶仪器有限公司授权不得商用。

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