一种碱性硅晶片抛光液制造技术

一种碱性硅晶片抛光液，它的ｐＨ值范围为８～１３，粒径为１５ｎｍ～１５０ｎｍ，它是由磨料、ｐＨ调节剂、表面活性剂和水混合组成，其中磨料占１０～５０％，ｐＨ调节剂占１～６％，表面活性剂占０．０１～０．６％，水占４４～８９％。本发明专利技术的优越性在于：该抛光液是碱性，不腐蚀污染设备，容易清洗；硅抛光速率快，平整性好，表面质量好；使用不含金属离子的鳌合剂，对有害金属离子的鳌合作用增强；采用非离子型表面活性剂，能对磨料和反应产物从衬底表面有效的吸脱作用，抛光后易于清洗；对环境无污染；抛光液具有良好的流动性，提高质量传输的一致性，降低表面的粗糙度；工艺简单，成本低，降低了销售价格，具有良好的商业开发前景。

【技术实现步骤摘要】
一种碱性硅晶片抛光液(一)
：本专利技术涉及一种碱性硅晶片抛光液，特别是适用于硅衬底片、硅原始片、硅扩散片的抛光液。(二)
技术介绍
：1965年美国孟山都公司在世界上首先提出了二氧化硅溶胶和凝胶应用于硅晶圆片的抛光加工的专利。从此，半导体用抛光液(slurry)成为了半导体制造业中的重要的、必不可缺的辅助材料。半导体硅晶片抛光工艺是衔接材料与器件制备的边沿工艺，它极大地影响着材料和器件的成品率，并肩负消除前加工表面损伤沾污以及控制诱生二次缺陷和杂质的双重任务。在特定的抛光设备条件下，硅晶片抛光效果取决于抛光剂及其抛光工艺技术。随着集成电路的集成度的不断提高，相应的要求亦有所提高，不但直径要增大，技术要求也相应地提高，并不断有新的要求出现。目前在我国半导体硅抛光片加工中，所使用的抛光液绝大多数都靠进口。国外半导体硅抛光液的市场占有率较高的生产厂家主要有美国Rodel & Onden Nalco、美国的DUPONT公司、日本FUJIMI公司等。尽管我国目前在抛光液行业现已发展到有几十家的企业，但是真正涉足到半导体硅晶片抛光液制造、研发方面的企业很少。无论是产品质量上、还是在市本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碱性硅晶片抛光液，其特征在于它的ＰＨ值范围为８～１３，粒径为１５ｎｍ～１５０ｎｍ，它是由磨料、ＰＨ调节剂、表面活性剂和水混合组成，其中磨料占１０～５０％，ＰＨ调节剂占１～６％，表面活性剂占０．０１～０．６％，水占４４～８９％。

【技术特征摘要】
1、一种碱性硅晶片抛光液，其特征在于它的PH值范围为8～13，粒径为15nm～150nm，它是由磨料、PH调节剂、表面活性剂和水混合组成，其中磨料占10～50％，PH调节剂占1～6％，表面活性剂占0.01～0.6％，水占44～89％。2、根据权利要求1所说的一种碱性硅晶片抛光液，其特征在于所说的硅晶片抛光液的组成部分中，所说的磨料是粒径范围为15nm～150nm的水溶硅溶胶和金属氧化物的水溶胶。3、根据权利要求2所说的一种碱性硅晶片抛光液，其特征在于所说的粒径范围为15nm～150nm的水溶硅溶胶是SiO2。4、根据权利要求2所说的一种碱性硅晶片抛光液，其特征在于所说的金属氧化物的水溶胶是Al2O3、CeO2或TiO2。5、根据权利要求1所说的一种碱性硅晶片抛光液，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：仲跻和，
申请(专利权)人：天津晶岭电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]