阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶面板技术

本发明专利技术公布了一种阵列基板的制作方法，包括：在基板上沉积第一金属层，利用第一光罩图案化所述第一金属层形成相互绝缘的栅极与公共电极；在所述基板上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极与所述公共电极；在所述栅极绝缘层上依次沉积半导体层和第二金属层，图案化所述半导体层形成有源层，利用第二光罩图案化所述第二金属层形成源极、漏极及像素电极，所述像素电极在所述基板上的垂直投影与所述公共电极不相交。本发明专利技术还公布了一种阵列基板与液晶面板。省略了单独形成公共电极与像素电极的光罩曝光步骤，从而减少了一次光罩曝光步骤，简化了IPS模式液晶面板的阵列基板的制作过程，从而降低了阵列基板及液晶显示器的制作成本。

Manufacturing method of array substrate, array substrate and liquid crystal panel

The invention discloses a method for manufacturing an array substrate, comprising: a first metal layer is deposited on the substrate, using the first mask patterning the first metal layer forming the gate insulated from each other and the common electrode; depositing a gate insulating layer on the substrate, the gate insulating layer covering the gate electrode and the common electrode; insulation layer are sequentially deposited on the semiconductor layer and the second metal layer in the gate, the patterned semiconductor layer is formed by second mask patterned active layer, the second metal layer forming the source electrode and the drain electrode and the pixel electrode, the image vertical projection of pixel electrode on the substrate and the common electrode intersection. The invention also discloses an array substrate and a liquid crystal panel. The mask is omitted alone form a common electrode and the pixel electrode exposure step, thereby reducing a mask exposure step, simplify the production process of the array substrate IPS mode liquid crystal panel, thereby reducing the production cost of the array substrate and liquid crystal display.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶面板
本专利技术涉及显示
，尤其是涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶面板。
技术介绍
随着显示技术的发展，薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶液晶面板及背光模组(backlightmodule)。目前主流市场上的TFT-LCD，就液晶的驱动模式而言，可分为三种类型，分别是扭曲向列(TwistedNematic，TN)或超扭曲向列(SuperTwistedNematic，STN)型，面内转换(In-PlaneSwitching，IPS)型及垂直配向(VerticalAlignment，VA)型。其中IPS模式是利用与基板面大致平行的电场驱动液晶分子沿基板面内转动以响应的模式，由于具有优异的视角特性和按压特性而受到广泛关注和应用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上沉积第一金属层，利用第一光罩图案化所述第一金属层形成相互绝缘的栅极与公共电极；在所述基板上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极与所述公共电极；在所述栅极绝缘层上依次沉积半导体层和第二金属层，图案化所述半导体层形成有源层，利用第二光罩图案化所述第二金属层形成源极、漏极及像素电极，所述像素电极在所述基板上的垂直投影与所述公共电极不相交。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上沉积第一金属层，利用第一光罩图案化所述第一金属层形成相互绝缘的栅极与公共电极；在所述基板上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极与所述公共电极；在所述栅极绝缘层上依次沉积半导体层和第二金属层，图案化所述半导体层形成有源层，利用第二光罩图案化所述第二金属层形成源极、漏极及像素电极，所述像素电极在所述基板上的垂直投影与所述公共电极不相交。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述源极、所述漏极及所述像素电极后，所述阵列基板的制作方法还包括：在所述源极、所述漏极及所述像素电极的表面沉积钝化层，并利用第三光罩图案化所述钝化层。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，图案化所述半导体层形成所述有源层的过程包括：利用第四光罩图案化所述半导体层形成所述有源层。4.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二光罩为多灰阶光罩，图案化所述半导体层形成所述有源层的过程包括：利用所述第二光罩同时图案化所述第二金属层和所述半导体层形成所述源极、所述漏极、所述像素电极及所述有源层。5.根据权利要求1至4任意一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，利用所述第一光罩图案化所述第一金属层形成所述公共电极的同时，通过所述第一光罩图案化所述第一金属层形...

【专利技术属性】
技术研发人员：甘启明，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44