阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板包括：衬底基板；有源层，其设置于衬底基板上；栅极绝缘层，其设置于有源层和裸露的衬底基板上；栅电极，其设置于栅极绝缘层上；层间绝缘层，其设置于栅电极和裸露的栅极绝缘层上；源电极和漏电极，设置于层间绝缘层上，在衬底基板和有源层之间还设置有第一刻蚀终止层和第二刻蚀终止层。本发明专利技术可以解决过刻蚀导致的源漏电极与有源层接触不良的问题。

Array substrate and its manufacturing method, display device

The present invention provides an array substrate and a manufacturing method thereof, display device, the array substrate comprises a substrate; an active layer, which is arranged on the substrate; a gate insulating layer, which is arranged on the substrate and the active layer on the exposed; a gate electrode, a gate insulating layer disposed on the insulating layer; the gate layer, which is arranged on the gate electrode and the exposed insulating layer; a source electrode and a drain electrode is arranged on the interlayer insulating layer, between the substrate and the active layer is also provided with a first etching stop layer and the etching stop layer. The invention can solve the over etching leads to poor contact the source drain electrode and active layer problem.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、显示装置
本专利技术属于显示
，具体地说，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
低温多晶硅(Lowtemperaturepoly-silicon，简称LTPS)薄膜晶体管液晶显示器有别于传统的非晶硅薄膜晶体管液晶显示器，其电子迁移率可以达到200cm2/vs以上，可有效减小薄膜晶体管器件的面积，提高开口率，在增进显示器亮度的同时还可以降低整体功耗。另外，较高的电子迁移率可以将部分驱动电路集成在玻璃基板上，减少了驱动芯片，还可以大幅度提升液晶显示面板的可靠度，从而使得面板的制造成本大幅降低。因此，LTPS薄膜晶体管液晶显示器逐步成为研究的热点。目前，LTPS制成的薄膜晶体管TFT遇到的一个重要的问题是，源漏电极和多晶硅有源层的欧姆接触效果较差。具体地，在顶栅型结构薄膜晶体管中，在衬底基板上形成多晶硅有源层、栅极绝缘层、栅电极、层间绝缘层后，需要在栅极绝缘层和层间绝缘层上形成第一过孔和第二过孔。其中，第一过孔贯穿栅极绝缘层和层间绝缘层，第二过孔贯穿栅极绝缘层和层间绝缘层。源电极通过第一过孔与有源层连接，漏电极通过第二过孔与有源层连接。然而，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：衬底基板；有源层，其设置于所述衬底基板上，包括第一导体化区域和第二导体化区域；栅极绝缘层，其设置于所述有源层和裸露的衬底基板上；栅电极，其设置于所述栅极绝缘层上；层间绝缘层，其设置于所述栅电极和裸露的栅极绝缘层上；源电极和漏电极，设置于所述层间绝缘层上，其中，在所述衬底基板和所述有源层之间还设置有第一刻蚀终止层和第二刻蚀终止层，所述第一导体化区域覆盖所述第一刻蚀终止层，所述第二导体化区域覆盖所述第二刻蚀终止层，所述源电极通过贯穿所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的第一过孔连接所述第一导体化区域，所述漏电极通过贯穿所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的第二过孔连接所述第二导体化区域，所...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板；有源层，其设置于所述衬底基板上，包括第一导体化区域和第二导体化区域；栅极绝缘层，其设置于所述有源层和裸露的衬底基板上；栅电极，其设置于所述栅极绝缘层上；层间绝缘层，其设置于所述栅电极和裸露的栅极绝缘层上；源电极和漏电极，设置于所述层间绝缘层上，其中，在所述衬底基板和所述有源层之间还设置有第一刻蚀终止层和第二刻蚀终止层，所述第一导体化区域覆盖所述第一刻蚀终止层，所述第二导体化区域覆盖所述第二刻蚀终止层，所述源电极通过贯穿所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的第一过孔连接所述第一导体化区域，所述漏电极通过贯穿所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的第二过孔连接所述第二导体化区域，所述第一刻蚀终止层用于防止刻蚀所述层间绝缘层和所述栅绝缘层形成所述第一过孔时刻蚀至所述衬底基板，所述第二刻蚀层用于防止刻蚀所述层间绝缘层和所述栅绝缘层形成所述第二过孔时刻蚀至所述衬底基板。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔还贯穿所述第一导体化区域以暴露出所述第一刻蚀终止层，进而使得所述源电极通过所述第一过孔连接所述第一导体化区域和所述第一刻蚀终止层，所述第二过孔还贯穿所述第二导体化区域以暴露出所述第二刻蚀终止层，进而使得所述漏电极通过所述第二过孔连接所述第二导体化区域和所述第二刻蚀终止层。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一刻蚀终止层和所述第二刻蚀终止层采用导电材料制成。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板上还设置有缓冲层，所述缓冲层上设置有所述第一刻蚀终止层和所述第二刻蚀终止层。5.根据权利要求1所述的阵列基...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢磊，龚冰，刘学敏，丁众好，罗茜，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42